**1. 输入参数确定**
1.1 客户产品销售区域的电网信息(电压范围、频率、稳定性、双电网情况)及地方法规要求。
**2. 电机参数确定**
2.1 电机电压:决定拓扑选择(如100-120V电网可直接整流,220-240V需降压)。
2.2 极对数:影响控制芯片最小PWM频率(单极20-25kHz,双极>35kHz)。
2.3 磁场强度:关联反电动势大小。
**3. 发热丝参数确定**
3.1 阻抗:拓扑选择逻辑同电机电压要求。
3.2 绕组数:PWM频率要求同电机极对数规则。
3.3 超温保护温度点:影响反电动势。
3.4 NTC位置(温度感应系数)。
**4. 按键及指示灯参数确定**
**5. 保险丝设计**
5.1 参数:耐压需>输入电压额定值,熔断电流为最大工作电流2-3倍,I2T需覆盖启机浪涌及雷击电流,满足安规认证。
**6. 压敏电阻设计**
6.1 作用:吸收电网尖峰电压。
6.2 参数:耐压需考虑±20%公差及温度影响,能量吸收能力匹配浪涌等级,等效电容避免与电解电容直接并联,响应时间需达标,满足安规。
**7. X电容及放电电阻设计**
7.1 参数:耐压>输入电压,容量按EMC测试定,放电电阻需在1秒内降至32V以下(容量>100nF时使用),X类型按耐压选型(X1/X2/X3),温度影响耐压,满足安规。
**8. 整流桥设计**
8.1 参数:正向电流2-3倍工作电流,反向电压600-1000V,正向压降约1V,瞬时过流能力匹配浪涌,封装适配散热需求。
**9. 滤波电容设计**
9.1 参数:耐压>输入电压×1.2×√2,容量1.5-2倍负载功率,纹波电流需低发热量(并联CBB电容优化),尺寸适配结构,寿命匹配质保时长。
**10. MCU及方案选型**
10.1 方案对比:
- **分立方案**(MCU+预驱+功率):灵活,高集成度低,EMC难度大。
- **集成预驱+功率**:高集成度,EMC易整,功率受限。
- **MCU+预驱模块+功率**:中等集成,低耐压,适用低压场景。
- **SOC方案**:设计简化,功率及功能扩展性差。
10.2 功率模块类型:三相IPM(高集成,高成本)、单相IPM(平衡集成与成本)、独立双NMOS(低成本,体积大)、P+NMOS(低压小功率)。