黑猫带你学NandFlash第4篇：NandFlash结构详解

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1 功能结构及引脚

1.1 功能框图

以MT29F2G08 nand为例：

1.2 总线

命令总线：
CE#，CE2#：chip enable，片选使能
对于8Gb，前4Gb使用CE#控制，后4Gb使用CE2#控制，具体每个nand也不一样，还是要看具体情况。

CLE：Command latch enable，命令锁存器
WE#上升沿期间，当CLE为高的时候，命令信息是通过IO[7:0]传输到device的命令寄存器。

ALE：Address latch enable, 地址锁存器。
当ALE为高的时候，，地址信息是通过IO[7:0]传输到device的地址寄存器。

WE#：Write enable，写使能
拉低有效

RE#