单片机 adc 阻抗计算

本文记录了在使用STM32和瑞萨单片机时遇到的ADC阻抗计算问题。对于SAR型ADC,采样过程中的电压误差与源信号阻抗有关。为了确保ADC转换精度,需限制源信号的最大输出阻抗。计算阻抗涉及采样电容、等效电阻和采样时间等因素。可通过调整采样时间来改善ADC性能。文中列举了几款常用MCU的阻抗计算实例,并提及STM32的高精度ADC实现策略。
摘要由CSDN通过智能技术生成

之前从STM32切换到华大单片机时,在adc的阻抗问题上踩过坑;最近测试瑞萨单片机时,又忘记了阻抗怎么计算。所以专门写个笔记,来做个记录。

ADC采样时的等效电路(来自STM32手册)

一般单片机内部的ADC都是SAR型,主要分采样和转换两个步骤。采样时,内部采样电容 C_{ADC}充电,阻抗包括ADC内部等效电阻 R_{ADC}和信号源的输出阻抗R_{AIN}.

这是标准的RC充电电路,电容C上的电压为:

\large V_{t}=V_{AIN}*[1-e^{-\frac{t}{(R_{AIN} + R_{ADC})*C_{ADC}}}]

采样时间 T 固定后,电容C与源信号之间的电压误差为:

\large V_{err}=V_{AIN}*e^{-\frac{T}{(R_{AIN} + R_{ADC})*C_{ADC}}}

从公式可以看到,电压误差与源信号幅度有关:源信号越大,电压误差越大。当源信号

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