Xilinx DDR4/DDR3 多通道读写防冲突设计,可实现最高8个通道同时读写DDR且不冲突问题,通道数可根据使用来决定。
每个通道读写接口简单,操作独立,可同时实现最高8个通道的读写请求。
此工程经过2个月的实际上板疲劳测试,功能稳定,时序健壮,性能优异,有需要用到DDR4/DDR3的多通道/单通道的地方,此工程代码可直接移植。
本工程通过Vivado实现,程序中包含详细注释,另赠送一份详细设计说明文档,保证可以弄懂DDR的逻辑和设计架构,可直接应用于工程设计中。
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平芜尽处是春山
Xilinx DDR4 DDR3 多通道读写防冲突设计,可实现最高8个通道同时读写DDR且不冲突问题,通道数可根据使用来决定。
DDR4和DDR3是目前主流的内存类型,它们具有高速、大容量的特点,在计算机系统中广泛应用。为了充分发挥DDR4和DDR3的性能,提高内存的读写效率,本文提出了一种Xilinx DDR4 DDR3多通道读写防冲突设计。该设计可实现最高8个通道同时读写DDR,且不会出现冲突问题。而且通道的数量可以根据具体应用来决定,灵活性较高。
每个通道的读写接口都设计得简单且独立。这意味着每个通道都可以同时实现最高8个通道的读写请求,无需按顺序等待其他通道完成读写操作。这种设计极大地提高了内存的读写效率,使得系统响应更加迅速。
为了验证该设计的稳定性和可靠性,我们进行了为期2个月的实际上板疲劳测试。经过测试,该设计的功能稳定,时序健壮,并且性能表现优异。如果有需要用到DDR4和DDR3的多通道或单通道的地方,可以直接将该工程代码移植过去,不需要进行额外的修改。
本工程是通过Vivado实现的,其中的代码都附有详细的注释,便于理解DDR的逻辑和设计架构。此外,我们还附赠一份详细的设计说明文档,其中介绍了该设计的原理和实现方法,可以直接应用于工程设计中。
综上所述,本文介绍了一种Xilinx DDR4 DDR3多通道读写防冲突设计。通过该设计,可以实现最高8个通道同时读写DDR,且不会出现冲突问题。该设计经过实际上板疲劳测试,功能稳定,时序健壮,并且性能优异。希望这篇文章对于需要使用DDR4和DDR3的多通道或单通道的工程设计有所帮助。
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