硬件基础之MOS管

一、技术理论

1.场效应管定义

场效应管：场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET），利用 输入回路的电场效应 控制 输出回路电流 的一种半导体器件。

2.场效应管分类（压控）

结型场效应管，JFET

绝缘栅型场效应管，也称为金属氧化物半导体场效应管，简称MOS-FET，也就是MOS管。

3.MOS管分类

        MOS管分为N沟道与P沟道两类，每一类又分为增强型与耗尽型两种，因此MOS管共有四类：N沟道增强型、N沟道耗尽型、P沟道增强型、P沟道耗尽型。

增强型： 电压为零时， 的管子

耗尽型：电压为零时， 的管子

4.增强型MOS管构造

N沟道MOS管：

 P沟道MOS管：

5.常用封装

二、增强型NMOS管

1.输入输出特性曲线

2.输出特性曲线分析

3.输入特性曲线分析

 时， ;

 时， 为一常量时， 越大， 越大

4.应用说明

实际应用时，NMOS管常作为低端驱动与开关使用,源极S接地，此时，MOS管工作在夹断区与可变电阻区。

夹断区， , 此时，功率 

可变电阻区， 相对很小，功率  相对也很小

三、增强型PMOS管

         所以，PMOS管一般作为高端驱动器件，源极S接电源正极。

        补充：如果我们是控制电源，我们认为是高端驱动；如果我们是控制地下的话，就是低端驱动。

1.输入输出特性曲线

 2.输出特性曲线分析

3.输入特性曲线分析

 时，

 时， 为一定常量时， 越大，  越大

4.应用说明

实际应用时，PMOS管常用作高端驱动与开关结合，此时，PMOS管工作在夹断区与可变电阻区。（一般不在放大区，功耗太大）

夹断区，，此时功率 

可变电阻区， 相对很小，功率   相对也很小

四、寄生电容与寄生二极管（很重要）

1.寄生电容 

        如下图，由于源极S与衬底B相连，源极S、栅极G、绝缘膜刚好组成寄生电容  ,此电容大小为 pF 级别，一般规格书可以查到。

         使用时，要特别注意GS管脚的寄生电容  ，控制MOS管的导通和截止，本质上是控制  电容的充放电：

        如果要求MOS管快速导通与截止，此时需要驱动源能够提供足够大的驱动电流，以提供 电容的瞬间充放电；

        如果仅仅作为开关使用，可以串电阻，以减小  的充放电电流，此时，对驱动源的要求就不高，单片机的IO口（推挽输出时，可以提供20mA的驱动电流）可以直接驱动。 

         R14的电阻是不能少的，因为一直的直接瞬间的冲放电电流的冲击是很大的，会影响产品的 寿命以及可靠性。所以需要存在该电阻来缓冲，并可以并联一个寄生电容。

        R6与U8之间就存在一个寄生电容。R3的作用也是用来缓冲电源端的电流冲击，保护Q3二极管；但R3也不能太大，以防充得太慢，会影响U8出来的波形。

2.寄生二极管

        如下图，为NMOS管的构造，衬底B与源极S、漏极D均存在PN结，由于源极S与衬底B相连，左边的二极管无效，源极S与漏极D存在寄生二极管，方向为S指向D。

        增强型P沟道：

        使用时，要特别注意 内部的寄生二极管，如果接反，将导致无法关闭MOS管；另外，某些场合可以巧用寄生二极管，比如作防反接使用时。

3.NMOS管用于防反接保护（项目实战）

        因为NMOS管一般是低端驱动器件，一般是放在地。

1）防反接

设计说明：

1.巧妙利用内部寄生二极管。上电时，通过内部寄生二极管，电压大于 电压，NMOS管完全导通；

2.R87，R88：电阻分压，调整 电压， 电压尽量大，这样  越小，压降越小，损耗越低；

3.D25，稳压二极管，防止 电压超过极限电压。

        补充一点，MOS管没有规定电流方向，D到S和S到D都可以，双向流动，其内部只是一个沟道。

2）低端开关

 设计说明：

1）R14起到限流作用，单片机输出高电平时，通过R14给  电容充电，U7导通；单片机输出低电平时， 电容通过R14放电，U7截止；

 2）由于单片机输出电压没有超过  的运行电压，GS端不需要并电阻到地。

 

3）PWM开关

 设计说明：

1.单片机输出PWM流控制NMOS管，D级接到2.5V的参考电压，再通过RC滤波，可以控制输出0
~2.5V电压输出，再配上放大器、射随（射极跟随器），可以实现PWM调压输出；

2.R21电阻不能太大，否则电容充放电速度过慢，波形输出受影响，也不能太小，否则 电容充放电过大，单片机IO驱动不了。

 

 

        NMOS管的选型依据：

1.常用型号：AO3400,AO3414,AOD4184等，型号很多，可以根据需求合理选择：

2.选型依据：

①电流，导通电阻越小，允许的越大；

②开关速率，手册里的打开、保持、关闭时间；

③开启电压，驱动电压，极限电压；

④极限电压

⑤封装尺寸

小结：

        NMOS管是驱动电路常用的器件，使用时根据需求合理选择型号，应用时应该注意内部寄生参数，极限参数，提高产品的可靠性。

4.PMOS管用于防反接保护

1）防反接

         利用了U8里的内部寄生二极管来实现导通的，若是没有寄生二极管就无法导通（没有滴电压）。

设计说明：

1.巧妙利用内部寄生二极管，上电时，通过内部寄生二极管， , PMOS管完全导通；

2.R29、R31：电阻分压，调整 ，需要尽可能大，这样，越小，压降越大，损耗越低；

3.D5，稳压二极管，防止  电压超过极限电压。

2）高端开关

 设计说明：

        1）如果VIN电压小于单片机IO口电压，可以去掉U6，直接控制U5；

        2）R10，R12：电阻分压，调整  电压， 电压尽量大，这样 越小，压降越小，损耗越低；

        3）R12同时起到限流作用，U6导通时， 寄生电容通过R12充电，避免过大的充电电流流过U6，出现大批量生产时，MOS管被击穿的现象；

        4）R16同样起到限流作用，单片机输出低电平时， 寄生电容通过R16放电，避免过大的放电电流流过单片机的IO口，出现大批量生产时，单片机IO口被击穿的现象；

        5）F2是PTC可恢复保险丝，起到限流、短路保护的作用。

五、MOS管与BJT的差异

        （BJT是多子和少子同时参与导电（流控型），MOS只有多子导电（阻值很大，压控性））

        场效应管的栅极g、源极s、漏极d对应于晶体管的基极b、发射极e、集电极c，作用比较类似，都可以作为开关、放大使用（还有驱动），但结构、工作方式、性能差异较大。

1.场效应管只有多子参与导电，为单极性；而晶体管的多子与少子均参与导电，为双极性；

2.因为少子数目受温度、辐射影响较大，因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强；

3.场效应管用  控制漏级电流  ,输入阻抗达  Ω，栅极电流几乎为0；而晶体管工作时基极需要一定的电流。因此，要求输入阻抗高的电路应选用场效应管；

4.场效应管的电流方向可以为D到S，也可以S到D，而晶体管的电流方向只能为C到E（NPN）或E到C（PNP），不能同时两个方向。

备注：

NMOS->方向D至S，与寄生二极管反向，NMOS管可控

              方向S至D，与寄生二极管同向，NMOS管不能关闭

PMOS->方向S至D，与寄生二极管反向，PMOS管可控

              方向D至S，与寄生二极管同向，PMOS管不能关闭