电子元器件篇—MOS管

本文详细介绍了MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的基本概念、分类(增强型与耗尽型,N管与P管)、应用场景,如开关、驱动等,并探讨了其主要参数、等效电路、损坏机制及设计注意事项。相较于三极管,MOS管具有高输入电阻、良好温度稳定性和快速开关等优点。

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一、MOS管的定义

全名MOSFET ,mos管是金属氧化物半导体场效应晶体管(FET),属于电压控制性器件,常用于开关电路。

二、MOS管的分类和记忆方法

增强型和耗尽型:耗尽型一般很少见到,我们说的更多的是增强型的。

MOS又可分为N管和P管。有很多人不好记忆N管和P管。我们用一种简单的方法记忆和使用。如下图以NPN的管子为例,两边是N,中间是P。正常状态下,P将N隔开了,当G极给一个P,P与P相互排斥,这样中间的P被推走了,两边的N就连接了,MOS管就导通了,这种通过N连接导通的就是N管,反之亦然。

如果我们看到右侧mos管原理图就可以将这个过程逆推一遍就出来了。我们要记忆一下下面几个点。

1、MOS管与三极管导通记忆方式相反,剪头指向为反向,即箭头指向方向为正极导通

2、P为正,N为负

3、G级导通状态就是与中间阻隔状态相同,即当G等于P时导通,中间状态为P,两端为N,这个管就是N管。反之为P管
在这里插入图片描述

注:NMOS的载流子是电子,有效质量更小,在相同的电场下速度更快,因此性能会更好

虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动,但由于导通电阻大,价格贵,替换种类少等原因,在高端驱动中,通常还是使用NMOS。

总结:考虑到电路的性能参数,在符合要求的情况下,我们从电路的简单角度考虑

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