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这个作者很懒,什么都没留下…
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《LPMM》——Chapter 4
4 电源门控随着先进工艺的进步,CMOS泄漏功耗与日俱增。(沟长变短了,栅极对晶体管的控制能力减弱)电源门控可以降低泄漏功耗; 4.1动态功率分布图和泄漏功率分布图 PG的基本策略:提供两种功率模式——低功耗模式和活动模式。 设计目标:在适当的时间以适当的方式在模式间切换,最大程度节省能量的同时最小化对性能的影响。 区别:第2章中的几种标准低功耗方法(时钟门控、门级功率优化、多电压、多阈值)不会影响功能,也不需要更改RTL;但是PG对设计的影响较大,会影响模块之间的接口通信,并显著增原创 2020-06-11 19:20:31 · 313 阅读 · 0 评论 -
《LPMM》——Chapter 3
3 多电压设计 第二节提到的低功耗技术中,电源门控和自适应电压缩放技术现在较为常用。传统方法认为电路只能由单一固定的电压供电,这两种方法不同于传统,基本形式是多电压设计:多电压设计——将芯片的内部逻辑划分为多个电压区域或功率区域,每个区域都有自己的电源。更进一步,还可以采用更复杂的电源策略,比如电压缩放和电源门控:电压缩放——将芯片的内部逻辑划分为多个电压区域或功率域,每个区域都有自己的电源; 电源门控——闲置时将电源电压降到0; 多电压策略分类:原创 2020-06-10 20:43:06 · 503 阅读 · 0 评论 -
《LPMM》——Chapter2
标准低功耗方法2.1 时钟门控2.2 门级功率优化2.3 多电压2.4 多阈值逻辑2.5 总结cost/benefit 2.1 时钟门控 动态功耗很大一部分消耗在时钟上,尤其是时钟缓冲器(切换率高,为了最小化延时驱动力强); 时钟门控即不需要时关闭时钟;(此时钟指的是模块内部的gclk) 无时钟门控: 寄存器随着clk切换数据,不受EN控制;EN=0时虽然Q不变,但寄存器仍然处于高活动性; 寄存器的时钟端是常开的; 采用时钟门控后: 寄存器随着gclk原创 2020-06-10 02:06:01 · 598 阅读 · 0 评论 -
《LPMM》——Chapter1
1.1 随着先进工艺技术的发展,特征尺寸缩小到一定程度时,泄漏电流急剧增大,在某些工艺节点下相当甚至超过动态电流。 由于功耗密度已经非常大(对封装等来说接近极限),因此,不再通过提高时钟频率来提升性能,而是采用多处理器芯片(多核),取代单核高性能芯片。 降低泄漏方法:电源门控PG(在闲置时power down该模块,工作时再上电)多阈值库(tradeoff 泄漏vs速度,高vt的泄漏小但是速度慢)多电压供电(不同工作模式的电路工作在不同电压下)电压缩放技术(根据模块的工作负载和性能要求原创 2020-06-09 02:16:40 · 633 阅读 · 0 评论 -
Learning List
Learning List打卡列表BOOKSTOOLS……打卡列表学一些东东~BOOKS1.LPMM(Low Power Methodology Manual)TOOLS……原创 2020-06-09 00:54:31 · 350 阅读 · 0 评论