ROM  RAM  SR…

 

ROM：READ ONLY MEMORY，常用的硬盘存储器件，系统停电后依然保持数据；

RAM：RANDOM ACCESS MEMORY，常用作内存器件，读写速度快于ROM，系统停电后，数据消失；SRAM：静态RAM，常用作高速缓存器件，读写速度快于DRAM，供电状态，不需要刷新，因为SRAM使用了场效应管；

DRAM：动态RAM，所谓"动态"，即当DRAM在供电状态，也需要不断刷新DRAM，对电容重新充电，才可以保持数据； 

DDRAM：双倍数据速率动态随机存取存储器，一种更为快速的SDRAM；

FLASH：从EEPROM进化而来，属于非易失存储器，早期的EEPROM可以电子可擦除编程，但速度慢，而FLASH对此进行了改进，可以快速地擦写，也正因为快速擦写的操作非常类似于照相中的按快门操作，所以命名为"FLASH"。

NOR FLASH：NOR一般只用来存储少量的代码；NOR主要应用在代码存储介质中。NOR的特点是应用简单、无需专门的接口电路、传输效率高，它是属于芯片内执行 (XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在（NOR型）flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。

NAND FLASH：NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。

NOR FLASH和NAND FLASH现在普遍用于嵌入式和u盘中。

 

ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。

    RAM有两大类，一种称为静态RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。另一种称为动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。SRAM比DRAM访问速度快的另外一个原因是SRAM可以一次接收所有的地址位，而DRAM则使用行地址和列地址复用的结构。

 

    DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等。

　SDRAM: Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存储器，同步是指Memory工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。SRAM不应该与SDRAM相混淆，SDRAM代表的是同步DRAM（Synchronous DRAM），这与SRAM是完全不同的。SRAM也不应该与PSRAM相混淆，PSRAM是一种伪装成SRAM的DRAM。从晶体管的类型分，SRAM可以分为双极性与CMOS两种。从功能上分，SRAM可以分为异步SRAM和同步SRAM（SSRAM）。异步SRAM的访问独立于时钟，数据输入和输出都由地址的变化控制。同步SRAM的所有访问都在时钟的上升/下降沿启动。地址、数据输入和其它控制信号均于时钟信号相关。

 

DDR RAM（Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准－Rambus DRAM。在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。

 

    ROM也有很多种，PROM是可编程的ROM，PROM和EPROM（可擦除可编程ROM）两者区别是，PROM是一次性的，也就是软件灌入后，就无法修改了，这种是早期的产品，现在已经不可能使用了，而EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序，是一种通用的存储器。另外一种EEPROM是通过电子擦出，价格很高，写入时间很长，写入很慢。举个例子，手机软件一般放在EEPROM中，我们打电话，有些最后拨打的号码，暂时是存在SRAM中的，不是马上写入通话记录（通话记录保存在EEPROM中），因为当时有很重要工作（通话）要做，如果写入，漫长的等待是让用户忍无可忍的。

 

Flash存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据（NVRAM的优势, NVRAM 非易失性随机访问存储器 (Non-Volatile Random Access Memory)，是指断电后仍能保持数据的一种RAM。），U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里，嵌入式系统一直使用ROM（EPROM）作为它们的存储设备，然而近年来Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用（U盘）。

　　目前Flash主要有两种NOR Flash和NAND Flash。NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。NAND Flash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码，因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外，还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。一般小容量的用NOR Flash，因为其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息，而大容量的用NAND FLASH，最常见的NAND FLASH应用是嵌入式系统采用的DOC（Disk On Chip）和我们通常用的"闪盘"，可以在线擦除。目前市面上的FLASH 主要来自Intel，AMD，Fujitsu和Mxic，而生产NAND Flash的主要厂家有Samsung和Toshiba及Hynix。

 

Nor flash的有自己的地址线和数据线，可以采用类似于memory的随机访问方式，在nor flash上可以直接运行程序，所以nor flash可以直接用来做boot，采用nor flash启动的时候会把地址映射到0x00上。

     Nand flash是IO设备，数据、地址、控制线都是共用的，需要软件区控制读取时序，所以不能像nor flash、内存一样随机访问，不能EIP（片上运行），因此不能直接作为boot。

iNAND是SanDisk公司研发的存储芯片，可以简单的看成SD卡或MMC卡芯片化。用户完全可以默认他是SD卡或者MMC卡。在U盘、SSD等固态存储产品中，闪存芯片颗粒是核心，其关乎产品成本、寿命以及速度。闪存芯片颗粒主要有三种类型，分别为SLC、MLC、TLC，三者之间的区别，如下slc、mlc、tlc闪存芯片颗粒区别介绍。

SLC MLC TLC规格对比

SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命；

MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命

TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500-1000次擦写寿命。

 

     简单地说SLC的性能最优，价格超高。一般用作企业级或高端发烧友。MLC性能够用，价格适中为消费级SSD应用主流，TLC综合性能最低，价格最便宜。但可以通过高性能主控、主控算法来弥补、提高TLC闪存的性能。

MMC就是跟SD, CF…等记忆卡的协会. eMMC是embedded multi media card 的简称. 

eMMC=Control+Nand Flash基本是一颗主控 + Flash 封装成一颗IC. 方便MID, 手机等客户的设计, 不会因为不同的Flash, 不同的制程, 就需要重新优化软件. eMMC的性能比MLC和TLC的稳定性好很多，相对SLC差一点，不过每单位容量的性价比相对三种Nand Flash来说是最高的，而且eMMC是统一标准接口，就算eMMC内部的Flash工艺升级咯，软件也是不用修改的，而Nand Flash基本上每次工艺升级，相应的软件都需要做修改。SanDisk称为iNAND, samsung称为MoviNAND. 目前有Sandisk, Kingston, Samsung, Hynix, toshiba等几家推出, 容量从2GB ~ 64GB, 有的会推出128GB. 这个eMMC产品适合用在手机, 平板, GPS等手持式移动上网装置.

首先明确的一点是eMMC只是一种接口标准，而iNand是符合eMMC标准的由Sandisk公司生产的一款芯片，Samsung公司生产的符合eMMC标准的芯片是moviNand。eMMC可以看作是SD/MMC卡的芯片化，其接口和SD/MMC卡的接口是兼容的。x210开发板上的iNand就是用的SD/MMC通道0与210芯片相连的。eMMC就是（embedded MMC），其基本的存储单元和NandFlash类似，和普通的Nand不同的是：

    在eMMC中除了存储单元还集成了控制单元，由eMMC中的控制单元来管理存储单元，这就减轻了主芯片的负担。如果是普通NandFlash，那么存储单元的管理将全部由主芯片来负责。所以可以认为eMMC=Nandflash+控制管理单元。

1、NAND Flash 是一种存储介质，要在上面读写数据，外部要加主控和电路设计。

2、eMMC是NAND flash+主控IC ，对外的接口协议与SD、TF卡类似；对厂家而言简化了电路设计，降低了成本。