周立功ARM调试心得

2008-9-11 调试“SmartARM2200 V2.02实验箱”心得：

1、在调试“E:/htwang/smart2200v201/ARM嵌入式系统实验教程(二)/开发板出厂编程程序/液晶显示程序/LCM_Disp”的程序时，想使用外部RAM进行仿真调试，在将ADS1.2中的“DebugInExram Settings…->Arm Linker -> Output -> Equivalent Command Line”的“-info totals -entry 0x8100000 -scatter ./src/mem_b.scf”改为“-info totals -entry 0x80000000 -scatter ./src/mem_b.scf”时，编译时总是出现错误信息“Error: L6206E: Entry point(0x80000000) lies outside the images”，经梁工（宝琼）提示：“这是由于程序空间超出范围，需要改一个参数。”

       打开关于外部RAM调试的分散加载文件“mem_b.scf”发现所有的程序调试地址都是指向0x81000000的Flash地址空间，而不是0x80000000的RAM地址空间（此时硬件电路板上的短路片RAM接CS0、Flash接 CS1），后把0x81******全部改为0x80******，编译调试都正常。

 

2、不正常现象：在调试“SmartARM2200 V2.02”实验箱时，每次实验箱断电或实验箱上复位按键后，H-Flash的Load操作都要重新执行一遍（或者简单一点：只要在H-Flash -> Programming -> Check 按钮上点击一下也可以），否则下载程序后实验箱运行不了。

（先是在选用DebugInExram出现这种情况，后选用RelOutChip则不会出现这种情况。）

       <2008-9-12> 另外，每次重新启动H-JTAG和H-Flash后，都要将H-Flash重新设一遍。

 

3、  现象：在调试GB_Disp工程时，程序无法正常运行。

分析：当调试的程序中包含中断时，分散加载文件“mem_*.scf”的“IRAM ”项设置不能从0x40000000开始，而应该从0x40000040开始（给中断向量留下空间），否则程序无法调试。（先是在选用RelOutChip出现这种情况，后选用DebugInExram也出现这种情况。）

< 2008-9-12 htwang注: 上面的解释并不正确，因为在调试其他中断实验的过程中，配置文件“mem_*.scf”的“IRAM ”项设置成从0x40000000开始也可以正常运行。（估计可能是存储器映射的问题）

打开GB_Disp工程“target.c”文件，果然发现在函数“void TargetResetInit(void)”中将存储器映射寄存器初始化成“MEMMAP ＝ 0x2”，这是选用的用户RAM模式，中断向量也从静态RAM重新映射。如果想映射到用户外部存储器模式，应该改为“MEMMAP ＝ 0x3”（见《ARM嵌入式系统基础教程》P166 或《深入浅出ARM7—LPC2200》P119）。按此方式更改后，实际调试也正常。

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（2008-9-12）结论：要么把该工程文件 “mem_bscf” 中的“IRAM ”项改成从0x40000040开始；要么把该工程文件“target.c”中的存储器映射初始化为“MEMMAP ＝ 0x3”。

 

4、在调试中断程序时，如果使用IRQ.S中的汇编宏定义程序和“IRQ_Eint3_Handler  HANDLER IRQ_Eint3”代替原来的C语言函数中断方式（当然同时将代码“VICVectAddr0 = (uint32)IRQ_Eint3;”改为“VICVectAddr0 = (uint32)IRQ_Eint3_Handler; ”），则应将C语言中断函数 “void   __irq IRQ_Eint3(void)”改写成“void   IRQ_Eint3(void)”。

       否则调试是出现的情况就是程序在“IRQ_Eint3_Handler HANDLER IRQ_Eint3”和中断函数“void   __irq IRQ_Eint3(void){}”里面反复执行，再也退不出来。

 

2008-9-12 调试“