半导体器件
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【白话模电5】三极管典型电路仿真及应用(2/2)
上节内容我们讨论了如何分析一个三极管的放大电路,这些电路现在已经很少以分立电路的形式出现在产品中了。甚至对于集成电路而言也已经很少采用BJT工艺,绝大部分的集成电路采用功耗更低,速度更快的CMOS工艺。但是,分析的方法论对于进一步学习模拟电路或者集成电路是有益的。引用笔者的一句校训来说就是:“越基础的越有生命力,越基础的越有迁移力”。那么这一节我们将探讨下现在依然活跃在分立电路中几种典型的三极管应用电路。原创 2023-01-05 15:52:50 · 534 阅读 · 0 评论 -
【白话模电4】三极管典型电路仿真及应用(1/2)
这里引申下交流耦合,实际电路中没办法设置很多的偏置电源进行工作点确定,如图1.8是两个实用的共射极放大电路,左图为直接耦合,Rb1,Rb2分压为电路提供直流偏置点,u1作为输入信号如果含有直流分量,那么电路的直流偏置点将会发生。因此,我们更常用的是使用右图的阻容耦合形式,Rb确定电路的直流偏置点,u1的交流分量通过C1进行叠加,这将不会影响到原来电路的直流偏置点,能够很安全的将电路保持在。至此,完成了一个典型三极管放大电路的分析和求解过程,仿真结果如图1.3所示,可以看出输出信号和输入信号的相位是相反的。原创 2023-01-01 20:51:48 · 850 阅读 · 0 评论 -
【白话模电3】BJT基本工作原理
上节我们知道PN结半导体具有单相导电的性能,但是由PN结构成的各种二极管(Diode)器件的单相导电性是没办法进行主动控制的,因此这类器件也称为被动器件。与其对应的是能够被主动控制通断的器件,这类器件也可以称为主动器件。这种主动器件一般我们统称为晶体管(Tansistor),晶体管可以分为以下三类:流控器件BJTs,压控器件FETs,混合结构IGBTs。本文主要分析BJT(Bipolar Junction Transistors),也就是我们俗称的“三级管”器件的基本工作原理和主要参数。原创 2022-12-28 15:53:56 · 2847 阅读 · 0 评论 -
【白话模电2】二极管特性和分类
在半导体器件中,PN结是最基本的半导体结构。如果将PN半导体封装起来,就形成的二极管器件。简单来说二极管就是一个具有单相导电性的PN结,但是在实际工程应用中,不同应用场景的需求诞生了不同类型的二极管。本文主要介绍二极管的特性和分类。...原创 2022-07-30 16:30:32 · 1847 阅读 · 0 评论 -
【白话模电1】PN结与二极管
上次分享了本征半导体的基本概念今天给大家聊聊半导体工业中的基础PN结与二极管。原创 2022-07-15 17:08:29 · 1087 阅读 · 0 评论 -
IGBT 直通短路过程问题分析
在进行IGBT短路实验的过程中,我们通常使用“退饱和电路”进行器件的短路保护。那么退饱和电路的实现机理是什么样的?另外,短路负载对短路特性有什么样的影响呢?本文主要就这两个问题进行讨论,从机理层面作简要的分析,有不当之处希望各位读者批评指正。为了理解IGBT进入退饱和的过程机理,我们有必要简单比较下MOSFET和IGBT结构上的区别: 简单来看,IGBT在MOSFET的基本结构上增加了一个P+层提供空穴载流子,这样可以和漏极N+区域的电子在基区N-进行电导调制,从而降低IGBT在大电流条件下的导通压降。IG原创 2022-07-13 16:32:03 · 3293 阅读 · 0 评论