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上节我们知道PN结半导体具有单相导电的性能,但是由PN结构成的各种二极管(Diode)器件的单相导电性是没办法进行主动控制的,因此这类器件也称为被动器件。与其对应的是能够被主动控制通断的器件,这类器件也可以称为主动器件。这种主动器件一般我们统称为晶体管(Tansistor),晶体管可以分为以下三类:流控器件BJTs,压控器件FETs,混合结构IGBTs。

本文主要分析BJT(Bipolar Junction Transistors),也就是我们俗称的“三级管”器件的基本工作原理和主要参数。
1、NPN和PNP
我们刚刚接触三极管器件,肯定会有人告诉你三极管有两种:NPN和PNP,那么我们就从这里讲起。如下图1.1所示,左边为NPN三极管结构,右边为PNP三极管结构。通过在NPN三极管基极(Base)加上一个正电流,就能控制三极管导通形成导通电流Ic;通过在NPN三极管基极(Base)加上一个负电流,就能控制三极管导通形成导通电流-Ic。利用这个性质,作为开关管的三极管,NPN常用在底边驱动,PNP常用在高边驱动。感兴趣,关注我,我们后续再对三极管的应用电路进行探讨。 从结构图上看,三极管的结构很简单:N-P-N堆叠和P-N-P堆叠。那么,是不是可以将三极管,看做是两个“背靠背”或者“面对面”的二极管呢?有不少教材或者文章是告诉你可以这样看!但是我是不推荐的,这样看是没办法看到三极管背后运行的机理的,反而很容易误入歧途!
