【白话模电3】BJT基本工作原理

目录

1、NPN和PNP

2、BJT的工作机理

3、从放大到饱和

4、通用三级管的参数

4.1电压参数

4.2电流参数

4.3损耗参数

参考资料:


上节我们知道PN结半导体具有单相导电的性能,但是由PN结构成的各种二极管(Diode)器件的单相导电性是没办法进行主动控制的,因此这类器件也称为被动器件。与其对应的是能够被主动控制通断的器件,这类器件也可以称为主动器件。这种主动器件一般我们统称为晶体管(Tansistor),晶体管可以分为以下三类:流控器件BJTs,压控器件FETs,混合结构IGBTs。

图1 晶体管的分类(来源:TOSHIBA Semiconductor)

本文主要分析BJT(Bipolar Junction Transistors),也就是我们俗称的“三级管”器件的基本工作原理和主要参数。

1、NPN和PNP

我们刚刚接触三极管器件,肯定会有人告诉你三极管有两种:NPN和PNP,那么我们就从这里讲起。如下图1.1所示,左边为NPN三极管结构,右边为PNP三极管结构。通过在NPN三极管基极(Base)加上一个正电流,就能控制三极管导通形成导通电流Ic;通过在NPN三极管基极(Base)加上一个负电流,就能控制三极管导通形成导通电流-Ic。利用这个性质,作为开关管的三极管,NPN常用在底边驱动,PNP常用在高边驱动。感兴趣,关注我,我们后续再对三极管的应用电路进行探讨。 从结构图上看,三极管的结构很简单:N-P-N堆叠和P-N-P堆叠。那么,是不是可以将三极管,看做是两个“背靠背”或者“面对面”的二极管呢?有不少教材或者文章是告诉你可以这样看!但是我是不推荐的,这样看是没办法看到三极管背后运行的机理的,反而很容易误入歧途!

图1.1 NPN 和 PNP结构
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BJT(双极型晶体管)放大作用的基本工作原理是利用PN结的整流和放大作用。BJT由三个掺杂不同的半导体材料组成,分别为n型材料(发射区)、p型材料(基区)和n型材料(集电区)。当BJT的发射极(Emitter)与基极(Base)之间加上正向偏置电压,发射区的n型材料中的自由电子会向基区中的空穴扩散,同时发射区中的电子与基区的空穴结合,形成一个空穴-电子二极管,使得基区中的空穴浓度增加,从而使得基区变成高浓度p型半导体。 当基极与集电极(Collector)之间加上反向偏置电压时,集电区的n型材料中的自由电子会被吸引到接近基区的区域,形成一个薄的耗尽区域。当发射区中的电子和空穴结合产生的空穴进入基区时,由于基区中的空穴浓度增加,使得空穴向集电区扩散的速度加快,同时由于集电区中的电子被耗尽区阻挡,只能向外侧扩散,因此在集电区与基区接触面附近形成了一个电子浓度高、空穴浓度低的区域,这个区域称为集电结(Collector Junction)。 当发射极与基极之间加上正向偏置电压时,发射区中的自由电子向基区扩散,同时基区中的空穴浓度增加,从而使得集电结区域变得更加窄小,形成了一个狭窄的通道,这个通道可以让电子从发射区流向集电区,这样就实现了电流的放大作用。因此,BJT的放大作用是通过控制电流的方式来实现的。

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