硬件电路杂谈（一）

1，电源转换芯片

  根据电源转换原理的不同，直流电源转换芯片可以分为线性电源转换芯片（电源输出纹波小，转换效率低）和高频开关电源转换芯片（转换效率高，电源输出纹波较大）。

2，数模转换芯片

  AD,DA芯片的三个主要参数指标是转换速率、精度（分辨率）、转换范围。

3，数据存储芯片

  数据存储芯片主要分为 ROM 和 RAM两大类。

ROM：只读存储器（Read Only Memory），掉电后数据不会丢失，只能读取，不能写入。

PROM：可编程只读存储器（Programmable Read Only Memory）,只能写入一次，也叫一次可编程存储器。

EPROM：可编程可擦除ROM（Erasable Programmable Read Only Memory）,可多次编程写入，但需要紫外线长时间照射擦除。

EEPROM：电可擦除可编程只读存储器（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory）可以直接通过计算机程序对其进行重复的擦写，其原理是通过高于常规的操作电压实现的。

Flash：闪存，具有长寿命和非易失性的存储器，是EEPROM的一种特殊形式，其每次擦写是以块为单位，所以更新速度快。Flash又分为NOR型和NAND型两个大类，其中NOR型具有独立的地址线和数据线，适合频繁地随机读、写场合，适合程序代码的存储和直接运行，但容量通常较小，价格也比较贵；而NAND型的地址线和数据线是共用的，因此其本身的操作速度和频率就会偏低，但是容量相对较大，且价格也要便宜，所以适合大量资料的存储。

RAM：随机访问存储器（Random Access Memory）,其内部存储单元的内容可以按需随机的读写。掉电数据丢失。

SRAM：静态随机访问存储器（Static Random Access Memory）它是一种具有静止存、取功能的内存，即不需要额外的电路，就能够长是时间保持其存储数据不丢失。速度快，性能高电路较复杂。集成度低，价格高。

DRAM：动态随机访问存储器（Dynamic Random Access Memory）,与SRAM的最大区别是数据只能保持很短的时间，需要专门的刷新电路，DRAM芯片每隔一段时间就必须刷新充电一次，否则内部数据就会丢失。性能低，电路简单，集成度高，价格便宜。

SDRAM：同步动态随机访问存储器（Synchronous Dynamic Random Access Memory）同步是指存储器在工作的时候需要同步时钟信号；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失，第一代SDRAM使用SDR接口，后面的由于频率较高，采用可降低干扰的差分时钟信号作为同步时钟，并且都是基于DDR接口。