模拟电路中常见的小知识点

• 硅二极管正向导通电压：0.7V； 死区电压：0.5V；
• 锗二级管正向导通电压：0.3V；死区电压：0.2V；
• 对于长尾式差分放大电路，在差模交流通路中，射级电阻$R_E$可视为短路；
• 在RC桥式正弦波振荡电路中，当相位平衡条件满足时，放大电路可以起振时的电压放大倍数>3,.RC桥式正弦波振荡电路由RC串并联选频网络和同相比例放大器组成；
• PN结外加正向电压时，扩散电流 > 漂移电流；
• PN结外加反向电压时，扩散电流 < 漂移电流；
• 集成运放的“虚短”和“虚断”分别是指：输入端电压为0，输入端电流为0；
• 三点式LC振荡器分为：电容三点式（考毕兹振荡器，coplitts）;电感三点式（哈特莱振荡器，hartley）;串联型改进电容三点式（克拉泼振荡器，clapp）;并联型改进电容三点式（西勒振荡器，selier）;
• 场效应管是一种电压控制电流的器件；
• 互补推挽功率放大电路采用射级输出方式，可以使放大器的输出电阻减小，便于和扬声器的阻抗相匹配，对放大器而言可以为负载提供更大的输出电流，因而提高了电路带负载能力；
• 电感和磁珠的区别：电感是储存能量，磁珠是消耗能量；电感多用来滤波，磁珠主要用来抑制信号线，电源线上的高频噪声和尖峰干扰；电感的单位是亨利，磁珠的单位的欧姆；
• 集成运放组成反相输入放大器的输入电流基本等于流过反馈电阻的电流；
• 集成运算放大器中间级的主要特点是：足够高的电压放大倍数；
• OCL电路中晶体管集电极最大功耗仅为理想时（饱和管压降为0）最大输出功率的0.2；
• 在二级运放中，引入弥勒电容产生的影响为：分裂电路主次极点；
• 并联型晶体振荡器中，晶体在电路中的作用等效于电感，串联型晶体振荡器中等效于短路线；
• 为展宽频带，应引入交流负反馈；
• MOSFET适用于低压场合；
• 通用集成运放的输入及采用差动放大电路，是因为共模抑制比大；
• 集成运算放大器（直流放大器）内部是直接耦合；
• 电压放大和功率放大的共同点：功率放大作用，即使输出功率大于信号源提供的输入功率；
• 二极管端点为U，电流方程式：$I_D=I_S(e^{(}U/(n{U}_T))-1)$;
• 振荡器是根据正反馈原理实现的，电容反馈振荡器电路的波形相对较好；
• 折叠式共源共栅与套筒式共源共栅运放相比，输出摆幅大，功耗低，增益较高，套筒式共源共栅运放可用作单位增益缓冲器；
• 单相半波整流：$U_o=0.45U_2$(输出电压平均值) （$U_2$:副边有效值）；
• 单相桥式整流：输出电压平均值：$U_o=0.9U_2$ ；
• PNP型晶体管：饱和区：发射结正偏，集电结正偏；放大区：发射结正偏，集电结反偏；截至区：发射结反偏，集电结反偏；
• 功率放大电路比电压放大电路效率高；
• 滞回比较器有两个不同的触发电平，抗干扰能力强；
• 在放大电路中抑制温漂 的方法：引入直流负反馈；采用温度补偿的方，利用热敏元件抵消放大管的变化；采用特性相同的管子；
• 温度升高时，三极管输出特性曲线变宽，β值增大；
• 对甲乙类功率放大器，其静态工作点一般设置在特性曲线的放大区，且接近截止区；
• 同向比例放大电路的输入电阻几乎无穷大；
• 复合管的电流放大系数是各管电流放大系数的乘积；
• RC振荡电路适用于低频振荡；
• 场效应管符号中，箭头由P -> N（衬底至沟道），增强型为断线；
• 二级运放中，第一级运放提供高增益，第二季运放提供大摆幅；
• 若万用表无“OFF”档，则开关应转到交流电压最高档；
• 热噪声是客观存在不可避免地，BJT地闪烁噪声比MOS管小；
• 为消除交越失真，功率放大电路应工作在甲乙类状态；
• 正弦波振荡器中正反馈网络的作用是保证产生自激振荡的相位条件；
• 共发射极接法的晶体管工作在放大状态，对直流而言其输入电压几乎不变，输出电流几乎不变；即输入恒压，输出恒流特性；
• 改进型电容三点式振荡器的主要优点是：频率稳定度较高；
• 运算放大器引入深度负反馈时处于线性区；
• 共基极放大电路的频率特性较好；