DDR2基础知识

1、DDR简介

The DDR and DDR2 SDRAM High-Performance Controller MegaCore functions and ALTMEMPHY megafunction offer full-rate or half-rate DDR and DDR2 SDRAM interfaces. The DDR and DDR2 SDRAM High-Performance Controller MegaCore functions offer two controller architectures: high-performance controller (HPC) and high-performance controller II (HPC II). HPC II provides higher efficiency and more advanced features.

 

HPC和HPC II（DDR and DDR2 high-perfomance controllers）

-6等级，top,bottom bank可以到200Mhz, left, right bank 到167Mhz.

 

内存的性能取决于位宽和频率，即带宽=位宽*频率。带宽（MB/s）用来表示内存的性能，位宽指的是内存总线位数，频率就是指数据传输的速率。

由此可见，通常提高内存性能的方法是提高频率和位宽.

 

DDR2，是第2 代DDR 内存，有着和DDR SDRAM 基本类似的机构。DDR2 内存的工作电压为1.8V，使得它的功耗仅为DDR 内存（2.5V）的50%左右。数据通道则采用双边的同步电路设计，一次同时处理4 组数据，即4 比特预读取，但核心工作频率是DDR 内存的两倍，从而在不改变原有RAM 核心的情况下频率加倍。与DDR内存相比，DDR2 采用了3 项新技术，即：片外驱动调教（OCD，Off-Chip Drive），提高数据采样信号DQS 与数据DQ 同步精读的设计；片内终结电阻（ODT，On-DieTermination），通过调整负载调整了信号完成性，同时降低了外围电路成本；前置读写命令信号（CAS）和引入附加延迟，减少命令的冲突——总线“冒泡”现象，提高了总线的利用率。因此，DDR2 SDRAM 具有更高的速度及带宽，同时功耗更低，散热更好。

DDR3 SDRAM 是最新一代的SDRAM，工作电压由1.8V 降低至1.5V，并增加了异步复位功能。DDR3 在DDR2 的基础上，采用了如下的新型设计：采用8 比特的预读取设计，即DRAM 的内核频率为外部数据频率的1/8ÿ