DDR和DDR2详细介绍

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DDR和DDR2详细介绍 
     2004-11-23CplusE    
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DDR

DDR (Double DATa Rate)SDRAM，顾名思义就是在相同工作频率下它能以两倍于SDRAM的速度来传输数据，也就是每时钟周期传输两次数据——时钟信号上升沿和下降沿各传输一次。那么加倍的数据传输率究竟从何而来呢？

DDR内存的存储阵列工作频率和同频的SDRAM（比如PC100的SDRAM和DDR200）一样，但是内部总线——也就是从内部存储阵列到I/O缓存之间的总线宽度是外部总线（buffer到内存控制器）的两倍，即从缓存到内存控制器采用了频率加倍的总线。也就是说，存储阵列使用一个较宽但较慢的总线，但是当数据传输到控制器时使用了一个较窄但是快速的总线。

实际上，内部的DRAM存储阵列在DDR266内存中的工作频率是133MHz，在DDR333中，存储阵列的工作频率是166MHz，DDR400中的存储阵列工作频率是200MHz，目前最快的DDR SDRAM的频率（这里不包括那些超频的内存）达到了600MHz，它的内部阵列工作频率达到300MHz，这个频率已经很难再继续提高。但是CPU的发展还在继续，对内存带宽的要求并没有因此停止，因此就出现了DDR2技术。

DDR2

通过上面对DDR SDRAM的讲解，DDR2的特性就很容易理解了，和DDR一样，它的内部存储阵列到I/O缓存之间通过一条宽敞的64位，100MHz总线，但是数据从缓存传输到外部控制器通过一条快速而狭窄的总线（16位，200MHz），外部总线仍然使用双倍传输数据的策略，我们得到的数据传输率为400MHz。因此，64位模组需要同时使用4个Bank以达到64位的总线宽度。这个内存模组被称为DDR2 400，它的标记方法和DDR内存相同，都是以内存的数据传输率来标识。

因此，以同样100MHz频率工作的DRAM存储阵列，我们使用不同的内存模组宽度，得到不同的内存带宽，SDRAM是800MB/s，DDR SDRAM是1600MB/s，DDR2 SDRAM则达到了3200MB/s的数据传输率！

这样看来，DDR2的性能似乎很容易就比DDR提高很多了，其实不然，除了带宽，这里还有一个重要的参数是延迟。正是由于延迟的影响，DDR2的性能并没有像预期一般理想。

让我们看看会有那些延迟，例如内存阵列工作的时钟组合是2-2-2，如果内存阵列在所有的方案中以相同的频率工作，那么所有的模组都具有同样的延迟（这里说的是PC100，DDR200，DDR2 400）。它们仅仅是带宽的区别。顺便提一下，2-2-2组合的含义是：CAS延迟，RAS到CAS的延迟和RAS预充电时间。第一个数字是取得列地址的延迟时间，第二个数字是行和列地址之间的延迟，第三个数字是存储阵列充电时间，预充电实际上是对行数据进行读操作。

但实际上，存储阵列不会工作在相同的频率上，举例来说PC133就是一个使用非常普遍的SDRAM，它的DRAM单元工作在133MHz上。DDR200虽然有着比PC133更高的带宽，但是它的相应延迟却更慢（内部阵列的工作频率仅100MHz），PC133的存储阵列的频率要比DDR200存储阵列的频率高33%。结果就是，DDR266才具有和PC133一样的延迟上的优势。

现在我们也看到类似的情形，DDR200和DDR2 400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2 400和DDR400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是，DDR400的存储阵列工作频率是200MHz，而DDR2 400的存储阵列工作频率是100MHz，也就是说DDR2 400的延迟要高于DDR400。上图是DDR2 533与DDR266的比较，可以看到这两者的延迟才是处于一个水平上。

让我们来比较一下数字，拿DDR2 533来说，在计算CL（CAS Latency）参数时其时钟周期一般为3.75ns（min）/8ns（max），而DDR400则为5ns。因此对于CAS延时为4个周期的DDR2 533内存来说其延迟时间为15ns（min）/32ns（max），而CAS延时2周期的DDR400则为10ns，即使是CL为2.5的DDR400也能达到12.5ns，低于DDR2 533不少。至于为什么DDR2的CAS延迟参数会有min和max之分，那是由于DDR2的外部I/O总线频率与内部芯片工作频率不一致造成的，拿DDR2 533来说，其外部I/O总线频率为266MHz（周期约3.75ns），而内部芯片工作频率为133MHz（周期约7.5ns），所以在顺利的情况下可以达到最快的3.75ns，而最慢就只有8ns了。

情况看上去有些荒谬，DDR2虽然能提供更大的带宽，具有潜在的优势，但是，DDR2初期的产品在性能上甚至落后于DDR。那么除了未来可以发展到更高规格的水平之外（如DDR2 800），DDR2还具有什么优势呢？

DDR2的优势

DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这里就需要说到另一种封装—BGA或者Ball Grid Array，它可以适应更高的工作频率，如在显卡中已经使用了大量用BGA封装的高速显存。这种封装具有很低的阻抗和寄生电容，并且具有更小的几何尺寸，允许更在效的散热。DDR2内存颗粒将采用BGA封装。不过，BGA封装的成本要高于TSOP。当然BGA封装并不是DDR2内存所独有的，除了显卡上大量使用过以外，很早以前，Kingmax就已经使用BGA封装的DDR内存。

另外一个DDR与DDR2之间的区别就在于信号终结电阻。由于高频信号会在信号线的终点产生反射，这会影响信号品质，混淆有用的信号和反向信号。我们需要防止这种现象的发生，于是通过在电路终点使用终结电阻来减少信号反射。

在使用DDR SDRAM的主板上都有几百颗的信号终结电阻，你可以仔细看看DIMM插槽下方那些大量的电阻器，它们就是所谓的终结电阻，大量的终结电阻会增加主板的制造成本。而DDR2把终结电路直接内建在核心中，因此就不再需要主板上提供终结电路。这也就是所谓的ODT（On-Die TerminATion）。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信噪比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。

还有一个DDR2相对于DDR很大的优势就是在发热量方面。DDR2的核心工作电压仅为1.8V，而DDR的核心工作电压在2.5-2.6V（高电压意味着高发热），因此，DDR2产生的热量要小于DDR，一般估计可以减少30%。实际上，我们也注意到目前有许多DDR也工作在1.8V，但由于DDR模组规格要求2.5V工作电压，因此它需要把2.5V的输入电压进行转换，这部分会变成热量散发，因此使用低电压DDR也不能减少模组的发热量。

总的来说，目前的DDR2在性能上还不能完全打败DDR，当然在生产成本上也没有优势。不过由于其低发热以及内存存储阵列频率较低的特点，将来的发展潜力是非常大的。相信更高规格的DDR2的出现将使得其性能更上一层楼。

DDR和DDR2的其它区别参见下表：

 
DDR
DDR2
数据传输频率
200/266/333/400 MHz
400/533/(667) MHz
I/O 总线频率
100/133/166/200 MHz
200/266/(333) MHz
存储阵列频率
100/133/166/200 MHz
100/133/(166) MHz
Batch reading size
2/4/8
4/8
CAS Latency
1.5, 2, 2.5
3+, 4, 5
Write Latency
1T
Read Latency-1
Pin 数量
184pin
240pin

DDR2的优势

DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这里就需要说到另一种封装—BGA或者Ball Grid Array，它可以适应更高的工作频率，如在显卡中已经使用了大量用BGA封装的高速显存。这种封装具有很低的阻抗和寄生电容，并且具有更小的几何尺寸，允许更在效的散热。DDR2内存颗粒将采用BGA封装。不过，BGA封装的成本要高于TSOP。当然BGA封装并不是DDR2内存所独有的，除了显卡上大量使用过以外，很早以前，Kingmax就已经使用BGA封装的DDR内存。

另外一个DDR与DDR2之间的区别就在于信号终结电阻。由于高频信号会在信号线的终点产生反射，这会影响信号品质，混淆有用的信号和反向信号。我们需要防止这种现象的发生，于是通过在电路终点使用终结电阻来减少信号反射。

在使用DDR SDRAM的主板上都有几百颗的信号终结电阻，你可以仔细看看DIMM插槽下方那些大量的电阻器，它们就是所谓的终结电阻，大量的终结电阻会增加主板的制造成本。而DDR2把终结电路直接内建在核心中，因此就不再需要主板上提供终结电路。这也就是所谓的ODT（On-Die TerminATion）。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信噪比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。

还有一个DDR2相对于DDR很大的优势就是在发热量方面。DDR2的核心工作电压仅为1.8V，而DDR的核心工作电压在2.5-2.6V（高电压意味着高发热），因此，DDR2产生的热量要小于DDR，一般估计可以减少30%。实际上，我们也注意到目前有许多DDR也工作在1.8V，但由于DDR模组规格要求2.5V工作电压，因此它需要把2.5V的输入电压进行转换，这部分会变成热量散发，因此使用低电压DDR也不能减少模组的发热量。

总的来说，目前的DDR2在性能上还不能完全打败DDR，当然在生产成本上也没有优势。不过由于其低发热以及内存存储阵列频率较低的特点，将来的发展潜力是非常大的。相信更高规格的DDR2的出现将使得其性能更上一层楼。

DDR和DDR2的其它区别参见下表：

 
DDR
DDR2
数据传输频率
200/266/333/400 MHz
400/533/(667) MHz
I/O 总线频率
100/133/166/200 MHz
200/266/(333) MHz
存储阵列频率
100/133/166/200 MHz
100/133/(166) MHz
Batch reading size
2/4/8
4/8
CAS Latency
1.5, 2, 2.5
3+, 4, 5
Write Latency
1T
Read Latency-1
Pin 数量
184pin
240pin

DDR2的优势

DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这里就需要说到另一种封装—BGA或者Ball Grid Array，它可以适应更高的工作频率，如在显卡中已经使用了大量用BGA封装的高速显存。这种封装具有很低的阻抗和寄生电容，并且具有更小的几何尺寸，允许更在效的散热。DDR2内存颗粒将采用BGA封装。不过，BGA封装的成本要高于TSOP。当然BGA封装并不是DDR2内存所独有的，除了显卡上大量使用过以外，很早以前，Kingmax就已经使用BGA封装的DDR内存。

另外一个DDR与DDR2之间的区别就在于信号终结电阻。由于高频信号会在信号线的终点产生反射，这会影响信号品质，混淆有用的信号和反向信号。我们需要防止这种现象的发生，于是通过在电路终点使用终结电阻来减少信号反射。

在使用DDR SDRAM的主板上都有几百颗的信号终结电阻，你可以仔细看看DIMM插槽下方那些大量的电阻器，它们就是所谓的终结电阻，大量的终结电阻会增加主板的制造成本。而DDR2把终结电路直接内建在核心中，因此就不再需要主板上提供终结电路。这也就是所谓的ODT（On-Die TerminATion）。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信噪比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。

还有一个DDR2相对于DDR很大的优势就是在发热量方面。DDR2的核心工作电压仅为1.8V，而DDR的核心工作电压在2.5-2.6V（高电压意味着高发热），因此，DDR2产生的热量要小于DDR，一般估计可以减少30%。实际上，我们也注意到目前有许多DDR也工作在1.8V，但由于DDR模组规格要求2.5V工作电压，因此它需要把2.5V的输入电压进行转换，这部分会变成热量散发，因此使用低电压DDR也不能减少模组的发热量。

总的来说，目前的DDR2在性能上还不能完全打败DDR，当然在生产成本上也没有优势。不过由于其低发热以及内存存储阵列频率较低的特点，将来的发展潜力是非常大的。相信更高规格的DDR2的出现将使得其性能更上一层楼。

DDR和DDR2的其它区别参见下表：

 
DDR
DDR2
数据传输频率
200/266/333/400 MHz
400/533/(667) MHz
I/O 总线频率
100/133/166/200 MHz
200/266/(333) MHz
存储阵列频率
100/133/166/200 MHz
100/133/(166) MHz
Batch reading size
2/4/8
4/8
CAS Latency
1.5, 2, 2.5
3+, 4, 5
Write Latency
1T
Read Latency-1
Pin 数量
184pin
240pin

DDR2的优势

DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这里就需要说到另一种封装—BGA或者Ball Grid Array，它可以适应更高的工作频率，如在显卡中已经使用了大量用BGA封装的高速显存。这种封装具有很低的阻抗和寄生电容，并且具有更小的几何尺寸，允许更在效的散热。DDR2内存颗粒将采用BGA封装。不过，BGA封装的成本要高于TSOP。当然BGA封装并不是DDR2内存所独有的，除了显卡上大量使用过以外，很早以前，Kingmax就已经使用BGA封装的DDR内存。

另外一个DDR与DDR2之间的区别就在于信号终结电阻。由于高频信号会在信号线的终点产生反射，这会影响信号品质，混淆有用的信号和反向信号。我们需要防止这种现象的发生，于是通过在电路终点使用终结电阻来减少信号反射。

在使用DDR SDRAM的主板上都有几百颗的信号终结电阻，你可以仔细看看DIMM插槽下方那些大量的电阻器，它们就是所谓的终结电阻，大量的终结电阻会增加主板的制造成本。而DDR2把终结电路直接内建在核心中，因此就不再需要主板上提供终结电路。这也就是所谓的ODT（On-Die TerminATion）。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信噪比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。

还有一个DDR2相对于DDR很大的优势就是在发热量方面。DDR2的核心工作电压仅为1.8V，而DDR的核心工作电压在2.5-2.6V（高电压意味着高发热），因此，DDR2产生的热量要小于DDR，一般估计可以减少30%。实际上，我们也注意到目前有许多DDR也工作在1.8V，但由于DDR模组规格要求2.5V工作电压，因此它需要把2.5V的输入电压进行转换，这部分会变成热量散发，因此使用低电压DDR也不能减少模组的发热量。

总的来说，目前的DDR2在性能上还不能完全打败DDR，当然在生产成本上也没有优势。不过由于其低发热以及内存存储阵列频率较低的特点，将来的发展潜力是非常大的。相信更高规格的DDR2的出现将使得其性能更上一层楼。

DDR和DDR2的其它区别参见下表：

 
DDR
DDR2
数据传输频率
200/266/333/400 MHz
400/533/(667) MHz
I/O 总线频率
100/133/166/200 MHz
200/266/(333) MHz
存储阵列频率
100/133/166/200 MHz
100/133/(166) MHz
Batch reading size
2/4/8
4/8
CAS Latency
1.5, 2, 2.5
3+, 4, 5
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1T
Read Latency-1
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DDR2与DDR的区别
冀博
05-20 1976
<br /> <!-- @page { margin: 2cm } P { margin-bottom: 0.21cm } --> <br />DDR2与DDR的区别<br /> 与DDR相比，DDR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实现的。作为对比，在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心。技术上讲，DDR2内存上仍然只有一个DRAM核心，但是它可以并行存取
DDR2 model and testbench
10-17
DDR2 model and testbench， Micron DDR2 die； File Descriptions: ------------------ ddr2.v -ddr2 model ddr2_mcp.v -structural wrapper for ddr2 - multi-chip package model ddr2_module.v -structural wrapper for ddr2 - module model ddr2_parameters.vh -file that contains all parameters used by the model readme.txt -this file tb.v -ddr2 model test bench subtest.vh -example test included by the test bench. tb.do -compiles and runs the ddr2 model and test bench
从内部结构分析DDR到DDR2的变化
最新发布
weixin_50810761的博客
03-01 692
文章介绍了DDR2内存的设计思路和与DDR的主要区别。DDR2通过保持内核时钟频率不变，提高IO端口时钟频率，实现数据传输速率的翻倍。DDR2支持更多bank和更高的预取，引入了差分DQS信号和OCD校准技术以确保数据传输稳定性。同时，DDR2简化了PCB设计，通过内置终结（ODT）技术减少了信号反射。此外，DDR2调整了时序参数，引入了前置CAS、附加潜伏期和写入潜伏期。文章还提供了获取相关手册和文档的方法。
DDR2基础
weixin_34192816的博客
11-24 424
一． DDR2介绍 DDR2由JEDEC（电子设备工程联合委员会）开发的新生代内存技术标准。该标准定义了DDR2封装、寻址及操作、电气等所有特性。 DDR相关技术对比   DDR DDR2 DDR3 电压,VDD 2,5V 1,8V 1,5V I/O接口 SSTL_25 ...
DDR和DDR2的区别
weixin_33881050的博客
03-17 106
严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现...
DDR与DDR2详细介绍
12-22
本文详细介绍了DDR和DDR2的差异及时序。
DDR2.zip_ddr2_ddr2 verilog
09-21
DDR2仿真说明有图文，容易接受！！！！
ddr2 读写模块verilog
03-31
ddr2 读写模块verilog，基于Qys，LPDDR2 SDRAM Controller、Avalon-MM Pipeline Bridge slave接口
DDR，DDR2原理图 .rar
09-10
DDR，DDR2原理图 DDR2标准原厂OK内存条原理圖_8bit.rar 192.18 KB, 下载次数: 778 , 下载积分: 资产 -2 信元, 下载支出 2 信元 DDR2标准原厂OK内存条原理圖_16bit.rar 152.43 KB, 下载次数: 768 , 下载积分: ...
ddr2.rar_ddr2
09-23
TMS320c6455ddr2驱动例子，经测试可用
DDR,DDR2,DDR3区别
王世宏的专栏
06-13 800
DDR是一种继SDRAM后产生的内存技术，DDR，英文原意为“DoubleDataRate”，顾名思义，就是双数据传输模式。之所以称其为“双”，也就意味着有“单”，我们日常所使用的SDRAM都是“单数据传输模式”，这种内存的特性是在一个内存时钟周期中，在一个方波上升沿时进行一次操作(读或写)，而DDR则引用了一种新的设计，其在一个内存时钟周期中，在方波上升沿时进行一次操作，在方波的下降沿时也做一次
DDR2实验
qq_41858135的博客
11-08 645
使用的 Micron DDR2 的颗粒 MT47H64M16，此 DDR 芯片的容量为1Gb。DDR2和 FPGA 之间的连接的数据宽度都为 16bit。配置引脚有要求，DDR2要求1.8v，需要配置相应引脚。在使用 ALTMEMPHY IP 之前需要确认是否安装了 DDR 的 License。 1、IP核里没有MT47H64M16选项，选择MT47H32M15-5E，再把Row address width的参数改为13。保存后下一次调用IP可以直接用。 2、设置频率时设置166.7MHz。原因：T
DDR2基础知识
10-12 1029
1、DDR简介 The DDR and DDR2 SDRAM High-Performance Controller MegaCore functions andALTMEMPHY megafunction offer full-rate or half-rate DDR and DDR2 SDRAMinterfaces. The DDR and DDR2 SDRAM High-P...
DDR2初始化源码分析_2
Eric的专栏
05-02 2385
14-25步的SDRAM有些就让人摸不着头脑了，因为说得不详细（因为详细了可就有的说了涉及的知识非常多，不过做的不好的就是没有提示在哪里可以得到相关资料），而且寄存器的配置说明讲额也不是很清楚 这些步骤主要是对寄存器DirectCmd的操作，贴上这个的寄存器的操作： cmd_type和cmd_chip 按照相关的命令设置就可以了，而后面的  cmd_bank    cmd_ad
温故知新——DDR2从相识到相知
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11-20 2034
IT狂人    DDR2内存详解                                                       ——从原理到测试      作为PC不可缺少的重要核心部件——内存，它伴随着DIY硬件走过了多年历程。从286时代的30pin SIMM内存、486时代的72pin SIMM 内存，到Pentium时代的EDO DRAM内存、PII时代的SDRAM内存，
ddr2是几代内存_DDR1 DDR2 DDR3内存条有什么区别?怎么区分?
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01-26 3069
DDR1,DDR2,DDR3内存条(DDR是Double Data Rate双倍速率同步动态随机存储器的英文缩写)就是俗称的一二三代内存条。这三种内存条工艺不同，接口不同，性能不同，互不兼容。要区分它们，也不难。1、如果要我说哪种内存条最好区分，我会选DDR1，也就是一代内存条。这种内存条的内存颗粒足足有二代三代的两倍，一看就知道是落后工艺，旧时代的产品。配有一代内存的电脑，不用说，cpu肯定是单...
32. DDR2内存内部结构-1
我思故我在！
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现在进入动态时序阶段 一般，把对SDRAM的一次操作分为四个阶段，命令阶段/Bank操作阶段，Device操作阶段，数据总线阶段。 命令阶段：DMC要做两件事情，1>把各路的控制信号线线置位成它该有的电平，如CLK/CAS/RAS等，同时把行地址线上ADDR0~ADDR14把行地址给出来。同时给出Bank0~2的地址，选择8个bnak。控制器给出行地址以后，Device收到信号后进行解码。首先对命令进行解码，同时对address解码，收到寄存器里面，分到行地址1分舵的多路器，分到各个bank进..
DDR2 SDRAM
一步一个脚印
12-12 642
DDR2 SDRAM　　DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线
SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 sdram、DDR3 sdram详细介绍他们之间的区别
06-11
SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM都是动态随机存储器（DRAM）的不同版本。它们之间的主要区别在于以下几个方面： 1. 时钟速度：SDRAM的时钟速度较慢，DDR SDRAM比SDRAM的时钟速度快一倍，而DDR2 SDRAM比DDR SDRAM的时钟速度快两倍，DDR3 SDRAM比DDR2 SDRAM的时钟速度快两倍。 2. 数据传输速度：DDR SDRAM相比SDRAM提高了数据传输速度，DDR2 SDRAM比DDR SDRAM提高了两倍的数据传输速度，而DDR3 SDRAM比DDR2 SDRAM提高了两倍的数据传输速度。 3. 内存带宽：DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM相比SDRAM拥有更高的内存带宽。 4. 工作电压：DDR SDRAM的工作电压为2.5V，DDR2 SDRAM的工作电压为1.8V，而DDR3 SDRAM的工作电压为1.5V。 5. 数据流水线：DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM相比SDRAM拥有更长的数据流水线，可以更有效地处理数据。 综上所述，DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM相比SDRAM在性能、带宽、工作电压等方面都有了显著的提升，使得它们能够更好地满足现代计算机系统对内存的要求。同时，DDR2 SDRAM和DDR3 SDRAM还能够更好地节省能源和降低发热量。

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