PMOS阵列（PMOS阵列代替）（高侧开关）

已于 2023-09-07 15:23:51 修改
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分类专栏： 笔记 文章标签： PMOS阵列 PMOS阵列代替 高侧开关
于 2023-09-07 09:08:27 首次发布
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pmos阵列没有找到，不过高压侧驱动芯片倒是可以使用VN340SP

 

Datasheet - VN340SP-E & VN340SP-33-E - Quad high-side smart power solid-state relayicon-default.png?t=N7T8https://www.st.com/resource/en/datasheet/vn340sp-33-e.pdf

 VN340SP-E - 四通道高侧智能功率固态继电器 - 意法半导体STMicroelectronicsicon-default.png?t=N7T8https://www.st.com/zh/power-management/vn340sp-e.html

特此记录

anlog

2023年9月7日 

其他一些高压侧驱动芯片

高压侧开关芯片

高侧开关 | TI.com.cnicon-default.png?t=N7T8https://www.ti.com.cn/zh-cn/power-management/power-switches/high-side-switches/overview.html

 

TPS4H000-Q1 40V、1000mΩ 四通道智能高侧开关

 

anlog
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专栏目录
PMOS和NMOS在开关应用中高侧和低侧驱动的对比
風の記憶
07-14 4万+
一说到开关，我们脑海中首先浮现的就是各式各样的机械开关，常见的有自锁开关、拨码开关、船型开关等等。区别于这类常见的机械开关，我们在电子电路中常用的还有各类半导体开关，例如三极管开关、使用三极管级联的达林顿管开关、MOS管开关、晶闸管开关等等。我们可以看到普通机械开关与半导体开关最大的差异就在于开关速度上的优劣。机械开关通常是由人手动操作，其动作时间一般是几十毫秒到几百毫秒之间。而半导体开关呢？拿D
MOS做电源开关的电路，NMOS、PMOS高侧低侧驱动大全解，电容浮栅自举电路，泄放电阻的作用，MOS选型参数分析_高侧用pmos
最新发布
2401_85013863的博客
05-15 1487
大到一定程度，MCU端口能提供的几mA电流就显然不够用了，继续使用MCU端口直驱，一方面会使MCU过载，另一方面会对输出信号的波形造成衰减，严重时会影响NMOS的正常开通。分类，能外接NMOS的型号还是非常多的。，低频时对电流的需求不明显，而随着频率升高，电容充放电频率的加快，电容的容抗与频率成反比，容抗变小。，而单单低侧的栅极驱动由于较为简单，搞个NP对管就能实现相近的效果，即使芯片有很多选择，也并不常用。，在PMOS开通时，导致Vgs超出了手册中的Vgs允许范围，也会造成PMOS的损坏。
PMOS做固态继电器，PMOS做高侧双向开关电路，PMOS防电流倒灌电路，PMOS电源防反接电路
Mark_md的博客
07-08 2万+
用MOS做高侧开关时，PMOS比NMOS更便于控制，不用额外的电荷泵升压，栅极拉低和置高就能控制通断。而随着半导体工艺的进步，PMOS在导通内阻方面的参数渐渐好转，逐步缩小了与NMOS的差距，使得PMOS的应用场景被进一步拓宽。 下面列举一些PMOS做电源防倒灌、防电源反接、理想二极管、单向开关的电路。（基本上是同一个电路，但可以有这些的应用场景） PMOS防电源反接（电源倒灌实例） 上述两张图的电路可用于防电源反接，但不防电源倒灌，来分析这个电路： 当VCC有效时，PMOS的体二极管率先导通，随后S的
MOS管当开关控制时，一般用PMOS做上管NMOS做下管的原因
sdkdlwk的博客
08-03 9963
了解MOS管的开通/关断原理你就会发现，使用PMOS做上管、NMOS做下管比较方便。使用PMOS做下管、NMOS做上管的电路设计复杂，一般情况下意义不大，所以很少采用。 下面先了解MOS管的开通/关断原理，请看下图： NMOS管的主回路电流方向为D→S，导通条件为VGS有一定的压差，一般为5~10V（G电位比S电位高）；而PMOS管的主回路电流方向为S→D，导通条件为VGS有一定的压差，一般为-5~-10V（S电位比G电位高），下面以导通压差6V为例。 NMOS管 使用NMOS当下管，S极直接接
MOS做电源开关的电路，NMOS、PMOS高侧低侧驱动大全解，电容浮栅自举电路，泄放电阻的作用，MOS选型参数分析
热门推荐
Mark_md的博客
07-02 5万+
随着对器件的控制需求提升，越来越多的电源开关电路出现在设计中。这些设计的目的各有不同：有的需要快速开通与关断，有的需要低导通电阻+大电流，有的需要闲时0功耗。虽然应用场合不同，但这都是MOS适用的强项。下面来介绍几种产品设计中常用的NMOS的电源开关电路。 1、NMOS做电源开关（低端驱动，最简单） 由于NMOS和PMOS在原理和生产工艺上存在差异，导致同价格的NMOS在开通速度、额定电流、导通内阻这些参数上均优于PMOS，所以设计中尽量优先选择NMOS。 下图为使用NMOS，最简单的开关电路。（低端驱
功率电子开关的高边开关和低边开关high -side power switch
u011878611的博客
05-06 2050
下图是PMOS做高侧开关的电路，CONTROL为控制信号，电平范围为0~VCC。下图为使用NMOS，最简单的开关电路。
PMOS——用于电源开关浅析
霁风AI
04-15 4万+
前言： 为了方便查看博客，特意申请了一个公众号，附上二维码，有兴趣的朋友可以关注，和我一起讨论学习，一起享受技术，一起成长。 1. 简介 在网上查了一些关于 PMOS 和 NMOS 哪个更适合用于电源开关这种场合，大部分都是从工艺，导通电阻 Rds 来解释，但随着半导体工艺的进步，现今的 PMOS 与 NMOS 之间差距已经不大了，从 SOT-23 的封装来看，两者的大小也是差不多的。个人觉得...
Diodes新推达林顿阵列可直接驱动大电感负载
01-20
Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出高性能低成本的达林顿 （Darlington） 阵列行业标准ULN2000系列。该系列集成了七款集电极开路达林顿晶体管，每款都能以50V的输出额定值提供高达500mA的输出电流。 　全新...
半导体阵列微剂量探测器前端读出电路设计.pdf
08-29
此外，电路还具备低功耗、低噪声和高集成度的特点，这些都是在设计高性能半导体阵列微剂量探测器时必须考虑的关键因素。 综上所述，这篇文献详尽介绍了如何设计一款适用于半导体阵列微剂量探测器的前端读出电路，...
一种应用于AMOLED的阵列扫描控制电路 (2011年)
05-10
为了提高显示屏的成品率，降低...该电路由阵列扫描控制电路构成，每个阵列扫描控制单元由2个时钟信号控制，并包含5个PMOS-TFT。通过 HSPICE的仿真，结果得出电路的仿真结果与分析结果一致，验证了电路功能的正确性。
一种8管双分裂控制存储单元、存储阵列及存内计算装置的制作方法.docx
11-03
8管双分裂控制存储单元由PMOS管T1和T2，以及NMOSt管T3至T8组成，各管子之间通过精心设计的连接方式形成稳定的存储结构。例如，T1和T2的源极连接到电源VDD，T3和T4的栅极分别连接到T1和T2的漏极，以此类推，形成了...
PMOS开关电路+单按键开关电路
学海无涯的专栏
01-23 1万+
本次项目上需要实现的功能是利用AO3401 PMOS设计一个开关电路，实现一款设备的开关控制。被控设备12V供电，供电电流小于3A即可。且为了提高响应速度，使流过该设备的电流尽可能的大。该设备内阻大约为6ohm。 AO3401产品参数 其他参数 芯片内部等效电路 引脚顺序 设计电路 设计并调试好的电路如下图所示，由于供电电压和驱动电压均可以使用12V，所以采用了如下较为简单的方案。 如图所示，Q9 AO3401的栅极（G）通过100k电阻上拉到12V，源级（S）直...
BMS中高边驱动和低边驱动，未来趋势探讨
qianoocheng的博客
08-29 6623
就产生的同口和异口的区别。同口架构的充电口和放电口共用一个端口， 缺点是 CFET 和 DFET 的数量均需要按照充放电电流的最大值进行选型， 若充电电流和放电电流相差比较大时，比如一般锂电池包的充电电流要比放电电流小， 选择同口架构，则需要选择比实际需要更多的 CFET，造成不必要的浪费。第二种方案由于仍然使用了光耦，不仅扩大了PCBA的布板空间，更重要的是光耦的抗共模能力弱、功耗高等缺点，仍极大的限制电路使用场景，同样光耦的制造工艺原因，使用寿命较短，影响整个系统的使用年限，方案3的集成方案就产生了。
PMOS做信号开关NMOS做电平转换
AirCity123的博客
10-29 6153
PMOS做信号开关NMOS做电平转换 作者：AirCity 2019.10.19 Aircity007@sina.com 1 PMOS与NMOS 硬件工程师在设计原理图是，肯定会遇到一些状况，需要一个开关或转换一下接口电平。当然，可以找专用的芯片来解决这个问题。但如果对这些功能电路的性能要求不高，并且预算有限，用MOS管电路就能实现，简单便宜有效。如下是两个MOS管的图例。 你可能会觉得本文...
硬件电路|PMOS开关电路
ningvay的博客
05-23 2万+
​概述 负载开关电路日常应用比较广泛，主要用来控制后级负载的电源开关。此功能可以直接用IC也可以用分立器件搭建，分立器件主要用PMOS加三极管实现。本文主要讨论分立器件的实现的细节。 电路分析 如下图所示R5模拟后级负载，Q1为开关，当R3端口的激励源为高电平时，Q2饱和导通，MOS管Q1的VGS<VGSth导通，R5负载上电，关断时负载下电。电路中R3为三极管Q2的限流电阻，R4为偏置电阻，R1R2为Q1的栅极分压电阻，C1C2为输出滤波电容。 提出问题 ...
MOS管当开关控制时，为什么一般用PMOS做上管NMOS做下管？
pan0755的博客
12-12 1万+
了解MOS管的开通/关断原理你就会发现，使用PMOS做上管、NMOS做下管比较方便。使用PMOS做下管、NMOS做上管的电路设计复杂，一般情况下意义不大，所以很少采用。 下面先了解MOS管的开通/关断原理，请看下图： NMOS管的主回路电流方向为D→S，导通条件为VGS有一定的压差，一般为5~10V（G电位比S电位高）；而PMOS管的主回路电流方向为S→D，导通条件为VGS有一定的压差，一...
NMOS的驱动电路与PMOS的驱动电路区别
TaidL的博客
03-04 3598
相对通用的电路【NMOS的驱动电路与PMOS的驱动电路区别】 电路图如下： 　 图1用于NMOS的驱动电路 图2用于PMOS的驱动电路 　　这里只针对NMOS驱动电路做一个简单分析： 　　Vl和Vh分别是低端和高端的电源，两个电压可以是相同的，但是Vl不应该超越Vh。 　　Q1和Q2组成了一个反置的图腾柱，用来完成阻隔，一起确保两只驱动管Q3和Q4不会一起导通。 　　R2和R3供给了PWM电压基准，通过改动这个基准，可以让电路作业在PWM信号波形比较陡直的方位。 　　Q3和Q4用来供.
mos管的参数及选择(比较好) 并附三极管
weixin_30466953的博客
11-07 849
附1：三极管：要想使管子饱和导通,则应该(NPN型)Ub>Ue,Ub>Uc;(PNP型)Ue>Ub,Uc>Ub http://jeanscheng.blog.163.com/blog/#m=0&t=1&c=fks_087071086086089065086081082095085087083070087082086066085 首先要进行MOS...
pmos功率管开关电路设计
07-27
PMOS功率管开关电路设计是一种用于控制高电压和高功率负载的电路设计方案。它的主要原理是利用PMOS管的特性，在不同电压下进行开关操作，从而实现对负载电流的控制。以下是一个简单的PMOS功率管开关电路设计的步骤。 第一步，选择合适的PMOS功率管。首先要确定所需的最大负载电流和电压，并根据这些参数选择适当的PMOS功率管。 第二步，设计电源电压。根据负载的电压要求，选择适当的电源电压。为了保证PMOS功率管的可靠工作，电源电压应稍高于负载电压。 第三步，设计驱动电路。为了控制PMOS功率管的开关操作，需要设计一个适当的驱动电路，其中包括一个信号源和一个偏置电路。信号源通常是一个电压源或一个微控制器，用于产生开关信号。偏置电路用于调整信号源的电平，以满足PMOS功率管的开关要求。 第四步，连接电路元件。将PMOS功率管、驱动电路和负载正确地连接在一起。确保电路的连接正确并按照设计要求进行布局。 第五步，测试和调整。连接电源并测试电路的性能。如果必要，根据测试结果进行调整，以实现所需的开关功能和负载控制。 最后，我们需要注意PMOS功率管开关电路设计的热管理。由于高功率负载的存在，PMOS功率管会产生一定的热量。因此，要确保电路中有适当的散热器和热管理措施，以确保电路的稳定性和可靠性。 总结来说，PMOS功率管开关电路设计是一种用于控制高功率负载的电路设计方案。通过选择合适的元件、设计驱动电路和考虑热管理问题，可以实现对负载电流的可靠控制。
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