MOS管半桥驱动芯片原理

自举升压就是通过对一个电容充电，然后用一个可以跳动的电压将电容的负压端举高，因为电容两端的压差不能突变，那么正压端就会获得一个相较于电源地更高的电压。

芯片IR210x系列是驱动MOS半桥电路的专用芯片，通过外部二极管D1与电容C1获得自举电源（二极管可以防止升压后电源倒灌），用来驱动上端MOS管，浮地端对应VS,升压后电源正极对应VB。

从半桥驱动芯片功能框图可以看到，实际输出MOS驱动脚类似推挽输出结构，驱动上端MOS的引脚HO，输出高电平时，其引脚实际高电平电压为VB脚电压，输出低电平时，其引脚实际低电平电压为VS脚电压。

输出电平—>	高电平	低电平
HO	VB	VS
LO	VCC	COM

因为MOS管的导通电压为Vgs(th)（一般小于VCC）,那么下端MOS管Q4导通只需要在Q4的G极输出高电平（S极接地为0V），即LO引脚输出的VCC要大于等于Vgs(th)即可 ；
对于上端MOS管Q2，如果HO引脚输出的VB等于VCC，Q2在导通一瞬间，VBUS电压导通至A+点（Q2的S极），Q2的Vgs = VCC - VBUS ，一般VBUS大于VCC，此时Vgs 小于Vgs(th)导致Q2断开。
所以上端MOS管Q2不能简单的和下端MOS管Q4一样施加大于等于Vgs(th)的方式，需要通过自举升压电路，不会因为上端MOS管Q2导通后S极电压升高而关断，这就要求其G极与S极的压差始终大于等于Vgs(th)。
对于上端MOS管Q2，自举升压后，VB点电压可抬高至VCC+VBUS，HO引脚输出高电平VB，Vgs 始终大于等于VCC，且VCC大于Vgs(th) ，可实现Q2导通。

需要注意的是，外部半桥中上下MOS管不能同时导通 ，避免VBUS直接施加到地导致短路。该类半桥驱动芯片通常会自带死区保护时间，即一个MOS管关闭后，需要打开另一个MOS管时，芯片不会立即响应，会延时一定时间再打开，参数deadtime。选型时可以关注是否自带死区时间，减轻编程负担；死区时间是否大于MOS管的关断时间，避免短路。

MOS驱动电路

1.三极管推挽电路

低边驱动，性价比较高。输入高电平Q8导通，Q10截止，mos管导通；输入低电平Q8截止，Q10导通，mos管截止。

2.集成驱动

低电压脉冲输入，可以输出相同频率的高电压脉冲，以驱动mosfet。同样为低边驱动（UCC2732、MC34151）

低端（边）驱动和高端（边）驱动

低端驱动：负载通过开关接地的驱动方式。容易实现，电路简单。（MOS管相对于负载在电势的低端。）

高端驱动：负载通过开关接电源的驱动方式。适用于精密装置的仪器，设计相对复杂，布线成本低。适合PMOS，而使用NMOS时需要增加自举电路，使栅极电压高于源极电压，同FAN73711、半桥驱动IR2103/4。（MOS管相对于负载在电势的高端。）

负载短接地：低边驱动，负载将开启；高边驱动，短地故障的发生将不会使能负载。
短接电源：低边驱动，将短路至电源，负载不会被使能；高边驱动，负载将永久开启。
选择何种驱动方式主要看电路附近最容易接触到的金属参考物接地还是接电源。

选型参数

MOS管参数中需要注意最大漏电流、最大漏源电压、栅源开启电压、最大栅源电压、漏源导通内阻（计算导通损耗）、反向恢复电荷Qrr。
MOS驱动芯片参数中需要注意供电电压、拉灌电流能力IO±（直接决定驱动芯片能否给MOS提供足够的电子使其开通/关断，如果这个参数与MOS管不匹配，则会出现MOS不能完全开通/关断的情况）、通断延迟时间ton/toff（单片机PWM信号输入到驱动芯片的时间与驱动芯片将PWM信号输出到MOS管端时间的差值）。