高边沿开关LM5050

已于 2024-05-06 08:25:33 修改
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分类专栏： 元器件原理图 文章标签： 高边沿控制 理想二极管 二极管
于 2024-05-03 12:00:29 首次发布
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可以用于高边沿单片机控制电路

LM5050-1/-Q1 高侧 OR-ing FET 控制器与外部 MOSFET 配合工作，当与电源串联时则用作理想的二 极管整流器。此 ORing 控制器可使 MOSFET 替换电 源分配网络中的二极管整流器，从而降低功率损耗和压 降。 LM5050-1/-Q1 控制器为外部 N 沟道 MOSFET 和快速 响应比较器提供电荷泵栅极驱动，以在电流反向流动时 关断 FET。LM5050-1/-Q1 可连接 5V 至 75V 的电 源，可承受高达 100V 的瞬态电压

 

与单片机连接的控制引脚

 控制引脚极限电压

参考链接

电源远端电压补偿-CSDN博客icon-default.png?t=N7T8https://blog.csdn.net/anlog/article/details/133862778?spm=1001.2014.3001.5502

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anlog

2024年5月3日

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电源系统ORING工作原理
我思故我在！
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N+1 架构支持更高的电源可靠性
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利用比较器的方法是最简单的，如图 5 的左侧所示。尽管如此，它却有一个致命的缺点，如果电压大于0V，那么 MOSFET 将开启，而电压小于 0V 时则被关闭。如果负载电流能够接近0A，那么VAC则降低至 0V，而该电压刚好是比较器的阈值电压。图5左侧显示了一个简化的调节 VAC 的方法。所选择的已调整的电压小于IFL * RDSON（IFL 为满负载 MOSFET 电流），这样就可避免满负载压降及功率损耗 的增加。相反地，如果 VAC 小于 VP，放大器就驱动栅极为低，在电流反向之前关闭 MOSFET。
理想二级管电路及实例仿真
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实际工程的理想二极管应用
汽车环境中可提供反极性保护并降低功率耗散设计参考-电路方案
04-20
描述 反极性是汽车环境中所需的标准保护。当分离和重新连接电池电缆时，存在将电线连接到错误的电池端子的可能性。此错误可能会损坏电子控制单元 (ECU) 中的组件。为避免对 ECU 造成损坏，需要进行反极性保护。可以使用肖特基二极管，但将会产生持续高功率损耗。 该参考设计使用 LM5050-Q1，同时搭配 n 通道 MOSFET，可提供反极性保护并降低功率耗散。 特性 12V/24V/48V 反极性保护 Oring 控制器可连接多节电池 提高系统效率且具有低静态电流 取代肖特基二极管并降低功率耗散 符合 ISO7637-2 和 ISO16750-2 的要求
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这篇文章探讨了如何以德州仪器（Texas Instruments）生产的LM5117芯片为核心，设计和实现一个输出电压为5V的降压型开关电源。 LM5117是一款高效能的同步降压控制器芯片，它支持从5.5V到65V的宽电压输入范围，能够...
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11-26
LM5107是一款由国家半导体公司（National Semiconductor，简称国半）设计并推出的高压栅极驱动器，专为同步降压或半桥配置中的高边和低边N-MOSFET提供驱动能力。这款器件继承了LM5100系列的特性，能够在高达100V的...
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11-08
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电源技术中的IR 新型12V、100A有源ORing参考设计
12-09
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电源技术中的TI宣布推出具备高级功能的ORing电源控制器系列TPS241x
12-03
德州仪器 (TI) 宣布推出具备高级功能的ORing 电源控制器系列——TPS241x。这些高性能器件能够提高多种设备的功率分配能力，如 12 V 刀片服务器、N+1 电信系统与冗余低压处理器电源。这种集成电路不仅为 ORing 二极管提供了高效的替代产品，而且还能智能监控电源，以防止在工作期间因总线瞬态事件而出现电压峰值导致主板损坏故障。更多详情，敬请访问：http://focus.ti.com.cn/cn/docs/prod/folders/print/tps2410.html。 　　TI 全新 TPS241x 系列 ORing 控制器支持 3 V 至 18 V 的输入电压范围，并可将
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德州仪器(TI)宣布推出具备高级功能的ORing电源控制器系列——TPS241x。这些高性能器件能够提高多种设备的功率分配能力，如12V刀片服务器、N+1电信系统与冗余低压处理器电源。这种集成电路不仅为ORing二极管提供了高效的替代产品，而且还能智能监控电源，以防止在工作期间因总线瞬态事件而出现电压峰值导致主板损坏故障。        　　TI全新TPS241x系列ORing控制器支持3V至18V的输入电压范围，并可将电源电压控制在0.8V。与目前的标准ORing二极管解决方案相比，这些控制器与低Rdson N通道MOSFET配合使用时，可显著提高系统效率并降低功耗。TPS241x器件不仅能
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