HBM内存,全名叫高带宽存储器(High Bandwidth Memory,缩写HBM)。HBM内存是三星电子、SK海力士、AMD共同提出的基于3D堆栈工艺的高性能DRAM,适用于高存储器带宽需求的应用场合,像是图形处理器、网络交换及转发设备(如路由器、交换器)等。首款使用高带宽存储器的设备是AMD Radeon Fury系列显示核心。目前使用HBM内存的主要是高性能显卡、计算卡、高性能计算机等设备。
http://www.photoint.net/article/674661.htmls
https://www.eet-china.com/mp/a208492.html
是一种新型的CPU/GPU内存芯片,其实就是将很多个DDR芯片堆叠在一起后和GPU封装在一起,实现大容量,高位宽的DDR组合阵列。
高速,高带宽HBM堆栈没有以外部互连线的方式与信号处理器芯片连接
而是通过中间介质层紧凑而快速的连接,同时HBM内部的不同DRAM采用TSV实现信号纵向谅解,HBM具备的特性几乎与片内集成的RAM存储器一样
TSV硅通孔
TSV,硅通孔技术,可以穿过硅基板实现硅片内部垂直电互联,这项技术是目前唯一的垂直电互联技术,是实现3D先进封装的关键技术之一。TSV技术能够将晶圆与晶圆之间垂直导通、芯片与芯片之间垂直导通,从而实现晶圆堆叠、芯片堆叠,其目的在于大幅提升芯片性能,是解决摩尔定律失效的重要技术之一