Nand Flash 笔记（五） W25N01G手册解读

Nand Flash 笔记

第一章 Nand概述
第二章 硬件接口规范
第三章 软件功能规范
第四章 接口规范
第五章 W25N01G手册解读
第六章 HC32F460_QSPI驱动
第七章 FatFs移植
第八章 lvgl文件系统移植
第九章 lvgl之tiny ttf engine

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一、概述

1.1 产品简介

W25Nxx是中国台湾Winbond(华邦)公司推出的一系列Nand Flash产品，包括从512Mb-4Gb各容量的芯片。下图是从手册中摘出的命名规范：

该芯片具有以下特性：

• 兼容标准SPI 串行flash命令
• 代码影射，XIP功能
• 常规的缓冲读取模式(BUF=1)及特有的连续读模式(BUF=0)
• 用户可配置的内置硬件ECC功能，采用海明码，支持1位纠错及2位检错能力
• 支持部分编程，NoP=4（可1/4页写入）
• 内置坏块管理功能
• 支持JEDEC标准的厂商及设备ID，附加 UniqueID页，参数页及10个2K大小的OTP页

1.2 引脚

该芯片工作电压为2.7~3.6V，支持Standart/Dual/Quad Spi读写接口，常见多为WSON-8封装，引脚图如下

\模式 \ 引脚\	标准SPI	Dual SPI	Qual SPI	备注
/CS	片选	片选	片选	低电平有效，上下电时必须跟随电源（可以加上拉电阻）
CLK	时钟	时钟	时钟	最大104MHz，SPI MODE 0 空闲时低电平，SPI MODE 3 空闲时高电平
DI	MOSI	IO0	IO0	-
DO	MISO	IO1	IO1	-
/WP	写保护	写保护	IO2	低电平有效，由SR-1寄存器的WP-E位控制，WP-E=0时，硬件写保护仅可作用于SR-1，由SRP[1:0]和BP[3:0]控制软件写保护的范围。WP-E=1时，四线SPI读操作不可用，硬件写保护作用于整个芯片
/HOLD	状态保持	状态保持	IO3	低电平有效，四线模式时不可用，CLK下降沿 和 /HOLD 引脚电平变化 共同满足之后保持功能打开/关闭

ps: 数据输入输出口均为时钟上升沿写入，下降沿读取。

1.3 空间

W25N01G 共1024个块，每块64页，每页2048Byte数据空间，即：

1Gbit = 128MByte = (1024 Block per Chip) × (64 page per Block) × ( 2048 Byte per page)

为了满足ECC校验及坏块管理的功能，每页还有额外64Byte的Spare Area(空闲空间)，空闲空间还提供了2+4字节的用户数据区用来存放自定义数据，有些文件系统（如jffs2）就用到了自定义数据来存放文件系统信息。
W25N01G支持部分编程，最小的编程单位是sector(扇区)，每页分为4个512字节的扇区，空闲空间也对应分为16字节×4，部分编程时，每扇区的数据和它对应的空闲空间数据要一并写入。一个page的内部划分如下图所示

寻址采用 页地址(PA) + 列地址(CA) 方式：页地址长16位，由10bit块地址 + 6bit页地址 组成；列地址12位，寻址空间为0-4095，但只有前(2048 + 64)字节空间可以读写。32位地址的位域定义如下图

主存储空间外，W25N01G还具有单独的1个UniqueID页，1个参数页及10个OTP页，地址如下：

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二、寄存器

2.1 SR-1(写保护寄存器)

• WP-E = 0，SRP1 = 1： /WP引脚无写保护功能
  • SRP0 = 0：上下电时SRP0、SRP1复位为0
  • SRP0 = 1：寄存器SR-1上下电不丢失
• WP-E = 0，SRP1 = 0：
  • SRP0 = 0：/WP引脚无写保护功能
  • SRP0