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原创 Silvaco Vcsel example01 解析

go atlas#启动atlas模块options verbose#提供额外的debugging输出数据mesh cyl auto#定义圆柱对称的网格x.mesh location=0 spacing=0.5x.mesh location=6 spacing=0.5#定义X方向网格，location定义网格的位置，spacing 网格间距#定义top区域，从y=0的位置向上#sapcerregion material=GaAs thick=0.01 sy=0.00

原创 InGaAs探测器结构图

原创 ECV原理

一、ECV背景对于半导体器件的设计和制造而言，器件中载流子浓度、掺杂厚度以及杂质分布都是必须严格控制的参数，就要求对载流子的浓度及分布有更精确可靠的测量。目前，业界已有几种表征杂质浓度分布的方法，如扩展电阻法、电容一电压法(C-V)、二次离子质谱(SIMS)、微分霍耳法、电化学电容一电压法(ECV)等。这些技术各有其自身的优缺点。传统的CV法尽管实验方法简单，有较好的分辨率及精确性，但它受限于反偏电压下的击穿，不易表征高掺杂样品和具有一定深度分布的样品以及pn结；扩展电阻法可以测量pn结

原创 Sentaurus training 笔记

一.1个device文件（_des.cmd)包括如下几部分：FileElectrodePhysicsPlotMathSolveFile{*Input files Grid="nomos_msh.tdr" *Grid file包括2类信息，1几何形状包括区域、材料、电极、网格 2场值分布，例如掺杂分布Parmeter="nmos.par"*outputfilesCurrent=“nmos" *包括电极名和电压、电流、电荷、时间、温度等，用curr...

原创 半导体器件分类

半导体器件分类一、电子器件1.双极PN结 ，正向导通，反向截止双极型晶体管（BJT，Bipolar Junction Transistor） npn型，pnp型 bjt基本功能：电流放大、流控开关 工作：发射结正偏，集电结反偏。发射区中的多子注入基区，在那里他们变为少子。少子扩散过基区进入集电结空间电荷去，在那里，它们被扫入极电区。 HBT: 在bjt的基础上，将发射区改用宽带隙材...

原创 化合物半导体晶格常数汇总

化合物半导体晶格常数汇总1.Eg与晶格常数关系2.III-V族As3.III-V族N4.III-V族P5.SiGe

原创 Sentaurus 入门之二视频教程合集

1.Synopsys Sentaurus TCAD 器件仿真软件使用基本介绍使用1https://www.bilibili.com/video/av7122931102.Sentaurus TCAD功能介绍 及实例演示https://www.moore8.com/courses/2747

原创 Sentaurus 入门之一安装教程

参考:SentaurusTCAD详细安装教程（一）https://zhuanlan.zhihu.com/p/28517634Sentaurus TCAD vO-2018.06详细安装教程https://zhuanlan.zhihu.com/p/119299285Sentaurus TCAD安装之jedit+TCAD宏包https://zhuanlan.zhihu.com/p/29088473难点：1.linux 虚拟机2.linux基本操作 vim文本编辑 y...

原创 silvaco 仿真 实例1 LED

1.创建网格 width 网格宽度？ y方向网格与厚度不一致2.第一层 -5~-0.603 GaN衬底第二层 3nm InGaN 井 20%In well.ny 量子阱网格点数第三层 100nm AlGaN 20%Al第四层 500nm GaN3.掺杂 均匀掺杂4.物理模型选择...