半导体器件分类

半导体器件分类

一、电子器件

1.双极

PN结 ，正向导通，反向截止

双极型晶体管（BJT，Bipolar Junction Transistor）   npn型，pnp型

             bjt 基本功能：电流放大、流控开关

                工作：发射结正偏，集电结反偏。发射区中的多子注入基区，在那里他们变为少子。少子扩散过基区进入集电结空间电荷去，在那里，它们被扫入极电区。 

                HBT:   在bjt的基础上，将发射区改用宽带隙材料。

                 特点：1、基区可以搞掺杂，则基区不易穿通，从而基区厚度可以很小

                            2、因为基区高掺杂，则基区电阻很小，最高振荡频率fmax得以提高

                            3、基区电导调制不明显，则大电流密度时的增益下降不大

                           4、基区电荷对集电结电压不敏感，则Early电压得以提高

                           5、发射区可以低掺杂，则发射结势垒电容降低，晶体管的特征频率ft提高

                           6、可以做成基区组分缓变的器件，则基区中有內建电场，从而载流子杜越基区的时间tb得以减短。

2.肖特基二极管：   肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件     

3.  场效应管（field effect transistor）

       MOSFET

     

 MESFET