1.创建网格 width 网格宽度? y方向网格与厚度不一致
2.第一层 -5~-0.603 GaN衬底
第二层 3nm InGaN 井 20%In well.ny 量子阱网格点数
第三层 100nm AlGaN 20%Al
第四层 500nm GaN
3.掺杂 均匀掺杂
4.物理模型选择
1.创建网格 width 网格宽度? y方向网格与厚度不一致
2.第一层 -5~-0.603 GaN衬底
第二层 3nm InGaN 井 20%In well.ny 量子阱网格点数
第三层 100nm AlGaN 20%Al
第四层 500nm GaN
3.掺杂 均匀掺杂
4.物理模型选择