DDR原理

DDR SDRAM全称为Double Data Rate SDRAM，中文名为“双倍数据流SDRAM”。DDR SDRAM在原有的SDRAM的基础上改进而来。也正因为如此，DDR能够凭借着转产成本优势来打败昔日的对手RDRAM，成为当今的主流。本文只着重讲讲DDR的原理和DDR SDRAM相对于传统SDRAM（又称SDR SDRAM）的不同。

SDRAM的接口速度是133M，DDR1接口的速度是266M，DDR2接口的速度是533M，DDR3的接口速度是1066M。每提高一代，接口性能都提高了一倍，但是注意看，这四代接口的核心频率都是133M！！也就是说，DRAM存储单元的读写速度没有丝毫提高！！

这是怎么做到的？？？

核心技术点就在于：（1）双沿传输（2）预取

SDRAM是单沿传输的，核心频率133M，没有预取，也就是说，每个时钟只取1bit数据，时钟频率也是133M，接口速度还是133M（只有上升沿传数）；

DDR1是双沿传输的，核心频率依然是133M，但是有2bit预取，也就是说每个时钟可以取出2bit，时钟频率是133M，但是接口速度是266M（注意接口时钟仍然是133M，但是其上升和下降沿都可以传数，所以接口速度翻倍）；

DDR2是双沿传输的，核心频率依然是133M，但是有4bit预取，也就是说每个时钟可以取出4bit，时钟频率是266M，但是接口速度是533M（上升和下降沿都可以传数）；

DDR3是双沿传输的。核心频率依然是133M，但是有8bit预取，也就是说每个时钟可以取出8bit，时钟频率是533M，但是接口速度是1066M（上升和下降沿都可以传数）；

 

DDR的核心频率、时钟频率和数据传输频率：

核心频率就是内存的工作频率；DDR1内存的核心频率是和时钟频率相同的，到了DDR2和DDR3时才有了时钟频率的概念，时钟频率就是将核心频率通过倍频技术得到的一个频率。数据传输频率就是传输数据的频率。DDR1预读取是2位，DDR2预读取是4位，DDR3预读取是8位。

DDR1在传输数据的时候在时钟脉冲的上升沿和下降沿都传输一次，所以接口速度就是核心频率的2倍。DDR2内存将核心频率倍频2倍所以时钟频率就是核心频率的2倍了，同样还是上升边和下降边各传输一次数据，所以接口速度就是核心频率的4倍。

DDR3内存的时钟频率是核心频率的4倍，所以接口速度就是核心频率的8倍了。

 

DDR中的名词 

RAS：    Row Address Strobe，行地址选通脉冲；

CAS：    Column Address Strobe，列地址选通脉冲；

tRCD：  RAS to CAS Delay，RAS至CAS延迟；

CL：      CAS Latency，CAS潜伏期（又称读取潜伏期），从CAS与读取命令发出到第一笔数据输出的时间段；

RL：      Read Latency,读取潜伏期；

tAC：    Access Time from CLK,时钟触发后的访问时间，从数据I/O总线上有数据输出之前的一个时钟上升沿开始到数据传到I/O总线上止的这段时间；

tWR：   Write Recovery Time,写回，保证数据的可靠写入而留出足够的写入/校正时间，被用来表明对同一个bank的最后有效操作到预充电命令之间的时间量；

BL：  Burst Lengths,突发长度，突发是指在同一行中相邻的存储单元连续进行数据传输的方式，连续传输所涉及到存储单元（列）的数量就是突发长度(SDRAM)，在DDR SDRAM中指连续传输的周期数；

Precharge：L-Bank关闭现有工作行，准备打开新行的操作；

tRP：   Precharge command period，预充电有效周期，在发出预充电命令之后，要经过一段时间才能允许发送RAS行有效命令打开新的工作行；

AL：   Additive Latency，附加潜伏期（DDR2）；

WL：  Write Latency，写入命令发出到第一笔数据输入的潜伏期；

tRAS:    Active to Precharge Command，行有效至预充电命令间隔周期；

tDQSS： WRITE Command to the first corresponding rising edge of DQS，DQS相对于写入命令的延迟时间；

 逻辑Bank

SDRAM的内部是一个存储阵列，要想准确地找到所需的存储单元就先指定一个（row）,再指定一个列（Column）,这就是内存芯片寻址的基本原理；

芯片位宽

SDRAM内存芯片一次传输率的数据量就是芯片位宽，那么这个存储单元的容量就是芯片的位宽（也是L-Bank的位宽）；

存储单元数量=行数*列数（得到一个L-Bank的存储单元数量）*L-Bank的数量也可用M*W的方式表示芯片的容量，M是该芯片中存储单元的总数，单位是兆（英文简写M，精确值是1048576），W代表每个存储单元的容量，也就是SDRAM芯片的位宽，单位是bit；

DDR SDRAM内部存储单元容量是芯片位宽（芯片I/O口位宽）的一倍；

DDR2 SDRAM内部存储单元容量是芯片位宽的四倍；

DDR3 SDRAM内部存储单元容量是芯片位宽的八倍；

DDR4 SDRAM内部存储单元容量是芯片位宽的八倍；