文章讨论了电源芯片在非同步拓扑结构中的GND位置，强调了减小干扰环路的重要性，如缩短SW引脚到电感的连接，优化元件布局，确保肖特基二极管的短链接，以及使用多个过孔降低噪声干扰。此外，还提到了开关频率和速度对EMI辐射及转换效率的影响。
1.电源芯片的输入电容的GND在哪？ 电源芯片的输出电容的GND在哪？ 电源芯片的GND在哪？（非同步拓扑结构，肖特基GND即可为电源芯片的GND）
每个环路都是一个干扰发射源 尽可能缩小此两个环路！
1. SW引脚到电感的导线，尽可能粗而短；
2. 输入电容、输出电容、电感、MOSFET、自举电容尽可能离IC近些，LAYOUT优先保证功率环路，再考虑信号部分；
3. 如果外围电路有肖特基，肖特基的两端要和相邻器件最 短链接，否则负向脉冲很大；
4.地层通过多个过孔接到器件侧的地上,以进一步减少敏感电路节点上的噪声干扰.
5.去藕电容应靠近VREF和VDD引脚.
EMI从哪里来？
开关频率-EMI传导 开关频率越高，同样电感和电容，纹波越小； 开关频率越高，同样纹波所用电感越小。
开关速度-EMI辐射 开关速度越快，IC转换效率越高； 开关速度越慢，IC转换效率越低；
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