BPI FLASH 读写时序分析（三）——FLASH擦除、编程、读取

千寻xun

已于 2023-09-26 15:15:51 修改

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分类专栏： FPGA BPI FLASH读写文章标签： fpga开发

于 2023-09-08 13:38:34 首次发布

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BPI FLASH读写

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前面说了bpi flash 读ID的时序以及代码编写，如果已经成功读出ID了，那后面这些操作（擦除、编程、读取）也就很简单了，废话不多说直接上正文。

本来今天只想讲擦除的，但是感觉这三（擦除、读取、写入）不能分开，分开就不能验证了，还是一起来吧。

（注：以下为个人见解，不一定是正确的，欢迎大家指正，一起学习，共同进步）

一、验证方法

我们按照命令码步骤进行执行后，怎么验证我们是否成功呢（个人理解：写程序就是这样，不怕程序出错，就怕写出来后自己也不知道自己写的程序是对是错，我们首先应该知道程序正确错误的判断依据）。读ID那里相对容易，看一下读出来的数据就知道了，其他三个（擦除、读取、写入）的验证方法如下，其实也很简单，提供一下个人思路。

读取操作最简单，这个不用验证，得用读取去验证擦除和编程，只要时序是对的，那读取的数据就不会有错。等会也简单说一下怎么搞吧。

1.1擦除操作验证

最简单的方法是在擦除完成后进行读取，查看数据是否为0xFFFF。这里也存在一个问题，那就是如果你那个地址的数据本来就是0xFFFF，这样也无法验证是否擦除成功，最好的步骤还是先进行读取查看该扇区数据是否全为0xFFFF，如果是0xFFFF，那就需要进行编程操作，把数据编程为其他数据（如0x0000），再进行擦除，擦除后读取判断是否为0xFFFF，这样就能判断是否擦除成功了。

具体验证擦除是否成功流程如下：（随便画的一个）

1.2编程操作验证

编程之前需要先进行擦除，或者直接读取判断内存中数据是否为0xFFFF，这一步是必须的，编程之前必须保证所编程地址中数据为0xFFFF，原因在数据手册中也有：

无法将“0”编程回“1”。后续读取显示数据仍为“0”
只有擦除操作才能将“0”转换为“1”

简单举例：如果那个地址中数据为0X0000,不擦除直接编程为0x5555，再使用读取操作去读取，数据还依然是0X0000,因为只有擦除操作才能将“0”转换为“1”

所以在编程之前需要先判断内存中数据是否为0xFFFF（已擦除状态）。

继续说怎么判断是否编程成功，这个也很简单，编程后进行读取，查看读取出的数据是否为写入的数据（前提是：必须保证读取操作是正确的，不然这个方法就没有意义了）。

二、flash擦除、读取、编程时序介绍

2.1读取时序

读取相对简单，命令码就发一次，单个进行读取。

步骤为：①从地址RA（需要读取输的的地址）中直接读数据就好了，读数据时序在读ID那里也讲过。

刚开始写程序可以一个一个数据的读取，时序图和前面读ID那里一样，就参考一下那部分的把。

BPI FLASH 读写时序分析（二）——读ID_千寻xun的博客-CSDN博客

放个之前的时序图：

2.2擦除时序

还是根据数据手册来：

百度翻译：

这些设备能够进行多种编程和/或擦除操作模式，这些模式将在以下部分中详细描述。
在写入操作期间，当提供地址、命令和数据时，系统必须将CE#和WE#驱动到V IL，将OE#驱动到VIH。
地址被锁存在WE#或CE#的最后一个下降沿，而数据被锁存到WE#或CE的第一个上升沿。
解锁旁路功能允许主机系统向闪存设备发送程序命令，而无需在命令序列中首次写入解锁周期。有关解锁旁路功能的详细信息，请参见第7.7.8节。
请注意以下内容：
 嵌入式程序算法完成后，设备返回读取模式。
 系统可以通过读取DQ状态位来确定编程操作的状态。请参阅写入操作状态
有关这些状态位的信息，请参见第32页。
 无法将“0”编程回“1”。后续读取显示数据仍为“0”
 只有擦除操作才能将“0”转换为“1”
 在嵌入式程序/擦除期间写入设备的任何命令都将被忽略，挂起命令除外。
 当程序操作正在进行时，安全硅扇区、自动选择和CFI功能不可用。
 硬件重置和/或断电会立即终止编程/擦除操作和编程/擦除命令
一旦设备返回到读取模式，就应该重新启动序列以确保数据完整性。
 对于单个字编程操作，允许以任何顺序和跨扇区边界进行编程。请参阅写入缓冲区
使用写入缓冲区时在第23页编程。
 允许多次编程到同一个字地址，而不需要进行干预擦除。

重要部分：

无法将“0”编程回“1”。后续读取显示数据仍为“0”
只有擦除操作才能将“0”转换为“1”

先还是看一下命令码部分，需要进行那些操作，然后用状态机一步一步进行就可以了

bpi flash擦除分为两种，一个是芯片擦除（整片擦除，全片数据清除），二是扇区擦除（单个扇区擦除），关于扇区介绍在之前说过BPI FLASH S29GL01GP、 S29GL512P、 S29GL256P、 S29GL128P NOR flash介绍，与FPGA代码编写（一）_千寻xun的博客-CSDN博客

芯片擦除花费时间较长，而且flash擦除次数也是有寿命的，擦除次数越多，每次擦除所需时间越长。手册中对于擦除时间也有说明。

整片擦除相对耗时长，调试等待时间久，我们先编写扇区擦除的代码，扇区擦除和整片擦除大同小异。

还是按照读ID一样，先把这个命令码拆开，一步一步进行。

步骤为：①往地址0x555中，写入数据0xAA;

②往地址0x2AA中，写入数据0x55;

③往地址0x555中，写入数据0x80;

④往地址0x555中，写入数据0xAA;

⑤往地址0x555中，写入数据0x55;

⑥往扇区地址SA中（这里以第一个扇区举例，写入地址为0x000），写入数据0x30;

⑦等待擦除完成。

前面几步写数据还是和读ID那里的写时序一样，

BPI FLASH 读写时序分析（二）——读ID_千寻xun的博客-CSDN博客

这里需要注意的是怎么去正确的判断擦除完成，只有等待擦除完成后才能去操作。

擦除是否完成和编程是否完成的判断是一样的。

这个判断方法还是得从数据手册中去找。具体判断方法有几种

一、RY/BY#引脚判断

RY/BY#是一个专用的开漏输出引脚，用于指示嵌入式算法是否正在进行或已完成。这个
RY/BY#状态在命令序列中的最后一个WE#脉冲的上升沿之后有效。由于RY/BY#是开漏输出，
RY/BY#引脚可以与上拉电阻器并联在一起以连接到V CC。此功能允许主机系统检测
当数据准备好读取时，只需监控RY/by#引脚（这是一个专用输出）。

时序图中也有体现：