半导体可饱和吸收体(SA)

本文介绍了半导体可饱和吸收体(SAM)的基本概念和用途,如在激光调Q锁模中的作用。重点阐述了SAM的重要参数,包括吸收率A、调制深度△R、弛豫时间τ、饱和通量Fsat和反射带宽,以及如何影响其性能。此外,还讨论了温度影响和SAM的反射吸收带宽,并提供了相关的参考资料。
摘要由CSDN通过智能技术生成

Batop是很著名的Saturable Absorber生产厂商了。其网站下也有很多基础知识的介绍【1】。再结合一些别的内容,整理一下,方便以后查阅、修改。

1 ,使用SAM  的目的

      可饱和吸收体在强光下被漂白,可以使大部分腔内能量通过可饱和吸收体到达反射镜,并再次反射回激光腔中;在弱光下,表现为吸收未饱和的特性,吸收掉所有入射光,有效的把这部分弱光从激光腔中去除掉,表现了调 Q 锁模的抑制作用。对于下图的可饱和吸收镜SAM,由于吸收掉了脉冲前沿部分,脉冲宽度在反射过程中会逐渐变窄。

 

2,可饱和吸收镜SAM主要参数

 

尽管半导体可饱和吸收镜已经被广泛的用于各种激光腔中进行模式锁定,但是SAM的应用还是要根据具体情况被精确地设计,如不同的激光器具有不同损耗,增益谱,腔内功率等等,可饱和吸收体的参数都需要跟这些参数相匹配。对于一块SAM,其最重要的参数如下:

          √   吸收率: A

          √   调制深度:△R

          √   弛豫时间:τ

          √   饱和通量:Fsat

          √   反射带宽以及吸收带宽

 

3,吸收率 A

 

可饱和吸收镜SAM属于非线性光学元件。所以其对光的吸收率A1和光能量F相关。如果脉冲宽度τp比吸收材料中载流子的弛豫时间τ短,那么光能量依赖的吸收率可表示如下:

 

A0          小信号的饱和吸收率

F(r)         高斯脉冲径向依赖的辐射通量

Fsat         吸收材料的饱和吸收通量

F0          脉冲能量平均值

r           光斑半径(距离光束轴的距离)

r0          高斯光束半径

高斯光束的有效吸收率A源自于平均后径向依赖的辐射通量F(r):

下图根据方程(1)、(2)给出了可饱和吸收材料的吸收特性。对于弱光而言F

小信号的吸收率A0正比于吸收层中电磁波电场强度的平方。所以SAM的饱和吸收可以通过设计得到调节。典型的饱和吸收通量值Fsat=50uJ/cm2对于短脉冲,双光子ATPA吸收也会使饱和吸收体的吸收有所增加:

β            双光子吸收效率

I             脉冲强度

d             饱和吸收体层厚度

F             脉冲能量

Tp            脉冲宽度

 

4,调制深度△R

 

可饱和吸收镜(SAM)的反射比R取决于材料的吸收率A即R&#

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