玻尔兹曼机通俗理解

玻尔兹曼机特点:

  Boltzmann机是第一个受统计力学启发的多层学习机,它是一类典型的随机神经网络属于反馈神经网络类型 。其命名来源于Boltzmann在统计热力学中的早期工作和网络本身的动态分布行为 。

 它在神经元状态变化中引入了统计概率,网络的平衡状态服从Boltzmann分布,网络运行机制基于模拟退火算法。

 Boltzmann机结合多层前馈神经网络和离散Hopfield网络在网络结构、学习算法和动态运行机制方面的优点,是建立在离散Hopfield网基础上的,具有学习能力,能够通过一个模拟退火过程寻求最优解。不过,其训练时间比BP网络要长。

 离散Hopfield神经网络+模拟退火+隐单元=Boltzman


关于 Hopfield的介绍可以参考。
http://blog.csdn.net/changdejie/article/details/78099410

下图是 Boltzmann的一个具体例子。


假如现在我们有这样一个玻尔兹曼机,下面我们将来说明如何运用边的权重来建模(就是算出v1、v2出现某种状态的概率):

  • 我们有两个可视层节点v1、v2,两个隐藏层节点h1、h2,每个节点的取值是0或者1,那么这4个节点共有16种状态,如上表所示
  • 分别计算这16种状态下的能量。
  • 计算出-E之后,再计算eEe−E值,并且得到总的eEe−E值,用红色数字表示
  • 计算p(v, h),相当于做了归一化,把前面的每一项都除以红色的39.70
  • 把可视层状态相同的p(v, h)概率加起来,就得到p(v),例如可视层出现11的概率为0.466

当网络很大的时候,我们需要用马尔可夫链蒙特卡罗方法进行模型的采样和学习。过程如下。其中概率 Pj的计算就是依赖于当前的温度。用的是模拟退火算法。



具体参考  Boltzmann(玻尔兹曼机)的算法实现  http://blog.sina.com.cn/s/blog_c0ea025f0102xhk0.html



<think>嗯,用户现在问的是MOS管的噪声特性。之前他们问了等效电路模型,现在应该是想更深入了解MOS管在实际应用中的表现,特别是在噪声方面。首先,我需要回顾一下之前的回答,确保这次的回答能衔接上。之前介绍了大信号、小信号和高频模型,现在噪声可能属于小信号模型的一部分,或者需要单独讨论。 用户可能是电子工程的学生或者从事电路设计的工程师,他们可能在设计低噪声放大器、射频电路或者其他精密模拟电路时遇到噪声问题。需要明确噪声的来源、类型以及如何建模。MOS管的噪声主要包括热噪声、闪烁噪声(1/f噪声)、栅极感应噪声和沟道噪声等。可能还要提到不同工作区域(饱和区、线性区)对噪声的影响,以及工艺参数如沟道长度、宽度对噪声的调制作用。 用户可能还想知道如何减少噪声,比如通过优化偏置点、选择合适的工作区域、增加器件尺寸等方法。此外,高频下的噪声特性可能与低频不同,需要考虑寄生参数的影响。可能还需要比较不同模型(比如SPICE中的噪声模型)的复杂度和应用场景。 需要确认是否要涵盖噪声的数学模型,比如噪声电压和电流的表达式,以及等效噪声模型的表示方法。例如,小信号模型中添加噪声源,如栅极电阻的热噪声,漏极电流的沟道热噪声等。另外,闪烁噪声的模型通常是经验公式,需要考虑工艺参数如氧化层陷阱密度。 还要注意用户可能的后续问题,比如如何测量噪声,或者特定应用中噪声的优化策略。因此,在回答时要结构清晰,分点列出噪声类型、来源、模型和抑制方法,确保用户能够逐步理解并应用在实际设计中。可能需要用例子说明,比如在放大器中,噪声系数如何计算,或者如何通过电路拓扑结构降低整体噪声。 最后,检查是否有遗漏的重要噪声机制,比如栅极泄漏电流引起的散粒噪声,或者在高频时的诱导栅极噪声。确保信息准确,引用常见的公式和模型,比如van der Ziel的噪声模型,或者BSIM模型中的噪声参数。同时,语言要通俗易懂,避免过于专业的术语,必要时进行解释,比如说明1/f噪声为什么在低频时显著,以及热噪声与温度的关系。</think>MOS管的噪声特性是模拟电路设计(如低噪声放大器、振荡器)中的关键考量因素。其噪声主要由载流子随机运动和器件结构缺陷引起,主要包含以下几种类型: --- ### **1. 主要噪声类型与来源** #### **(1) 热噪声(Thermal Noise)** - **来源**:沟道中载流子的热扰动(电阻性损耗)。 - **模型**:等效为漏源极间的噪声电流源,功率谱密度为: $$ \overline{i_{n}^2} = 4kT \gamma g_{d0} \Delta f $$ - \(k\):玻尔兹曼常数 - \(T\):温度(K) - \(g_{d0}\):零偏压时的沟道电导(线性区) - \(\gamma\):与工作区相关的系数(饱和区\(\gamma \approx 2/3\),深亚微米工艺可能更高) #### **(2) 闪烁噪声(1/f噪声,Flicker Noise)** - **来源**:载流子被栅氧化层界面陷阱捕获和释放的随机过程。 - **模型**:等效为栅源极间的噪声电压源,功率谱密度为: $$ \overline{v_{n}^2} = \frac{K_F}{C_{ox} W L} \cdot \frac{1}{f^\alpha} \Delta f $$ - \(K_F\):工艺相关参数(与界面陷阱密度有关) - \(\alpha \approx 1\)(典型值) - **特点**:低频主导,对音频、传感器电路影响显著。 #### **(3) 沟道感应栅极噪声(Induced Gate Noise)** - **来源**:沟道电势波动通过栅电容耦合到栅极。 - **模型**:高频时显著,等效为栅极噪声电流源,功率谱密度与频率平方成正比: $$ \overline{i_{ng}^2} \propto f^2 $$ #### **(4) 散粒噪声(Shot Noise)** - **来源**:栅极泄漏电流(\(I_G\))的离散性(主要存在于短沟道器件)。 - **模型**:功率谱密度为: $$ \overline{i_{n}^2} = 2qI_G \Delta f $$ --- ### **2. 噪声等效电路模型** 在小信号模型中,噪声源通常以电压/电流源形式叠加: ``` 栅极(G) ──┬──C_gs───源极(S) ├──C_gd───漏极(D) ├──噪声电压源v_n²(1/f噪声) 漏极(D) ──┼──噪声电流源i_{nd}^2(热噪声) └──r_o 源极(S) ───┘ ``` --- ### **3. 关键影响因素** #### **(1) 工作区** - **饱和区**:热噪声为主,闪烁噪声较低(因沟道电场均匀)。 - **线性区**:热噪声增强(\(g_{d0}\)增大),闪烁噪声可能更显著。 #### **(2) 器件尺寸(W/L)** - **增大W**:降低1/f噪声(分摊界面陷阱影响),但增加寄生电容。 - **增大L**:降低热噪声(\(g_{d0}\)减小),但牺牲速度。 #### **(3) 偏置条件** - **高\(V_{GS}-V_{th}\)**:跨导\(g_m\)增大,热噪声电流增强。 - **低\(V_{DS}\)**:进入线性区,噪声特性恶化。 #### **(4) 工艺技术** - **FinFET/纳米线**:1/f噪声更低(界面体积比优化)。 - **厚氧化层**:降低栅极泄漏电流,减少散粒噪声。 --- ### **4. 噪声抑制方法** 1. **选择工作区**:优先饱和区以平衡噪声与功耗。 2. **器件尺寸优化**: - 增大W/L比以降低1/f噪声(如运放输入对管)。 - 避免极小沟道长度(减少短沟道效应噪声)。 3. **电路技术**: - **相关双采样(CDS)**:消除低频1/f噪声(用于传感器读出电路)。 - **斩波稳定(Chopper)**:将信号调制到高频避开1/f噪声区。 4. **工艺改进**: - 高k栅介质(减少界面陷阱密度)。 - SOI工艺(降低衬底耦合噪声)。 --- ### **5. 高频噪声特性** - **噪声系数(NF)**:高频时沟道感应栅极噪声和栅电阻热噪声(\(R_g\))占主导,需优化: $$ NF_{\text{min}} \approx 1 + \frac{2}{\sqrt{3}} \frac{\omega C_{gs}}{\sqrt{g_m R_g}} $$ - **对策**: - 降低栅极电阻\(R_g\)(采用多指栅结构)。 - 提高跨导\(g_m\)(增大偏置电流或W/L)。 --- ### **示例:NMOS噪声模型参数(0.18μm工艺)** | 噪声类型 | 典型值(\(\Delta f = 1\text{Hz}\)) | 频率依赖 | |---------------|-------------------------------------|-----------------| | 热噪声(饱和区) | \( \overline{i_{n}^2} \approx 10^{-22} \text{A}^2/\text{Hz} \) | 白噪声(平坦) | | 1/f噪声 | \( \overline{v_{n}^2} \approx 10^{-10} \text{V}^2/\text{Hz} @1\text{Hz} \) | \(1/f\) | --- ### **总结** - **低频应用**:重点抑制1/f噪声(如增大器件面积、使用CDS技术)。 - **高频应用**:优化热噪声和栅极感应噪声(如降低\(R_g\)、提升\(g_m\))。 - **纳米级工艺**:需考虑短沟道效应带来的额外噪声机制(如RTS噪声)。 --- **相关问题**: 1. 如何通过仿真工具(如Spectre)提取MOS管的噪声参数? 2. 在差分放大器中,如何利用对称性降低共模噪声? 3. 深亚微米工艺下,栅极隧穿电流对噪声的影响如何建模?
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