SRAM和DRAM区别

RAM可分为静态存储器（Static Random Access Memory,SRAM）和动态存储器（Dynamic Random Access Memory）。SRAM中的存储单元相当于一个锁存器，只有0，1两个稳态；DRAM则是利用电容存储电荷来保存0和1两种状态，因此需要定时对其进行刷新，否则随着时间的推移，电容其中存储的电荷将逐渐消失。

SRAM：读写速度快，生产成本高，多用于容量较小的高速缓冲存储器。

DRAM：读写速度较慢，集成度高，生产成本低，多用于容量较大的主存储器。

静态存储器与动态存储器主要性能比较如下表：

静态和动态存储器芯片特性比较

                                SRAM               DRAM

存储信息               触发器                电容

破坏性读出           非                        是

需要刷新              不要                     需要

送行列地址          同时送                分两次送

运行速度              快                        慢

集成度                  低                        高

发热量                  大                        小

存储成本              高                       低

动态存储器的定期刷新：在不进行读写操作时，DRAM 存储器的各单元处于断电状态，由于漏电的存在，保存在电容CS 上的电荷会慢慢地漏掉，为此必须定时予以补充，称为刷新操作