SRAM和DRAM存储原理

一、静态随机存取存储器（SRAM）

1.基本单元结构

静态随机存取存储器（Static Random Access Memory）是随机存取存储器RAM的一种。“静态”是指只要保持通电，里面存储的数据就可以恒常保持。但是断电后数据会发生丢失。SRAM最常见的结构是6管存储单元。如下图所示，由6个MOS管组成，其中4个NMOS管和2个PMOS管。P1和N1、P2和N2分别为两对反相器，完成数据的存储；N3和N4作为读写管。

1.1 写操作
写“1”时，初始状态是0，n1节点为0，n2节点为1，即N1和P2导通，P1和N2截止。将位线B为高电平1，反位线BN为低电平0，而字线WL为高电平，因此读写管N3和N4都导通。此时，位线B通过读写管N3对节点n1进行充电，反位线BN通过读写管N4对节点n2进行放电。当n1节点上升为高电平，n2节点放电为低电平时，完成写“1”操作。
写“0”时，初始状态是1，n1节点为1，n2节点为0，即N1和P2截止，P1和N2导通。将位线B为低电平0，反位线BN为高电平1。字线WL也为高电平，读写管N3和N4都导通。此时，位线B通过读写管N3对节点n1放电，反位线BN对节点n2进行充电。当n1节点放电到低电平，n2节点充电至高电平时，完成写“0”操作。

1.2 读操作
读操作是指将存储在节点