N沟道增强型场效应晶体管NCE75H11

　　NCE75H11采用先进的沟槽技术和设计，以低栅荷提供优良的rds(ON)。它可以用于各种各样的应用。

 

 

---

　　产品型号：NCE75H11

　　产品种类：MOSFET

　　产品特性：N沟道增强型场效应晶体管

　　漏源极击穿电压（最大）：75V

　　连续漏极电流（最大）：110A

　　功率耗散（最大）：210W

　　栅源极击穿电压：25V

　　漏源导通电阻（典型值）(10V)：7.5mΩ

　　封装：TO-220

 

 

---

　　一般特征:

　　VDS=75V,ID=110A

　　RDS(ON)<9mΩ@VGS=10V(Typ:7.5mΩ)

　　特殊工艺，具有高ESD能力

　　超低Rdson高密度电池设计

　　充分表征雪崩电压和电流

　　稳定性好，均匀性好，EAS值高

　　优异的散热包