STD45NF75T4特征应用说明

　　STD45NF75T4简介：
　　这种功率MOSFET是ST微电子最新发展的独特的“单特征尺寸”条带制程。
　　所得到的晶体管显示出极低的on电阻、坚固的雪崩特性和较低的临界对准步骤的封装密度极高，因此具有可标记的制造重现性。

　　特征说明：
　　典型的RDS(on) = 0.018Ω
　　100%雪崩测试
　　门费用最小化
　　表面安装DPAK (TO-252)带卷电源包(后缀为T4)

　　应用：
　　高电流,开关
　　应用程序

　　内部原理图：

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