STD45NF75T4简介:
这种功率MOSFET是ST微电子最新发展的独特的“单特征尺寸”条带制程。
所得到的晶体管显示出极低的on电阻、坚固的雪崩特性和较低的临界对准步骤的封装密度极高,因此具有可标记的制造重现性。
特征说明:
典型的RDS(on) = 0.018Ω
100%雪崩测试
门费用最小化
表面安装DPAK (TO-252)带卷电源包(后缀为T4)
应用:
高电流,开关
应用程序
内部原理图:
STD45NF75T4简介:
这种功率MOSFET是ST微电子最新发展的独特的“单特征尺寸”条带制程。
所得到的晶体管显示出极低的on电阻、坚固的雪崩特性和较低的临界对准步骤的封装密度极高,因此具有可标记的制造重现性。
特征说明:
典型的RDS(on) = 0.018Ω
100%雪崩测试
门费用最小化
表面安装DPAK (TO-252)带卷电源包(后缀为T4)
应用:
高电流,开关
应用程序
内部原理图:
转载于:https://my.oschina.net/u/4062913/blog/3042815