众所周知,存储器主要分为只读存储器(ROM)、闪存(flash)、随机存储器(RAM)、光磁介质存储器。
而对于随机存储器(Random-Access Memory),即我们平时所说的RAM,他和只读存储器(ROM)之间相比最大的缺点就是掉电信息会丢失,但是最大的优点却是他可以任意可擦除和可读写。本文主要对于RAM进行一些探讨。
RAM可以分为静态RAM(Static RAM)和动态RAM(Dynamic RAM),DRAM以电荷的形式进行存储,数据存储在电容器中,由于电容器会由于漏电而导致电荷的丢失,因而DRAM器件需要定期被刷新。但是SRAM是静态的,只要供电他就会保持在一个固定的值,他没有刷新周期,每个SRAM的存储单元由6个晶体管组成,而DRAM则是由一个晶体管和一个电容器组成。以下从存储原理、单元结构、优缺点等几个方面比较SRAM和DRAM的区别:
对于SRAM有:
(1)、存储原理:由触发器存储数据
(2)、单元结构:六管NMOS或OS构成
(3)、优点:速度快、使用简单、不需刷新、静态功耗极低;常用作Cache