陶瓷电容器的失效分析

陶瓷电容器的失效分析

🌕本文是关于陶瓷电容器的失效分析，陶瓷电容器在不同环境下可能会失效。

1.湿度对电气参数劣化的影响

🌝当损失空气中的温度过高时，水膜会凝结在电容器外壳表面，这会降低电容器的表面绝缘电阻。此外，对于半致密结构电容器，水分也会渗透到电容器介质中，从而降低电容器介质的绝缘电阻和绝缘能力。因此，高温高湿环境对电容器参数劣化的影响极其显著。电容器的电性能在干燥和除湿后可以得到改善，但水分子电解的后果无法消除。例如，在电容器工作的高温条件下，水分子在电场的作用下被电解成氢离子（H+）和氢氧化物自由基。离子（OH-），引起根部的电化学腐蚀。即使经过干燥和除湿，也不可能恢复铅。

2.银离子迁移的后果

🌖大多数无机介质电容器使用银电极。当半密封电容器在高温条件下工作时，渗透到电容器中的水分子会产生电解。阳极发生氧化反应，银离子与氢氧根离子结合形成氢氧化银;在阴极发生还原反应，氢氧化银与氢离子反应生成银和水。由于电极反应，阳极的银离子不断还原到阴极，形成不连续的金属银颗粒，这些银颗粒通过水膜连接并以树状方式延伸到阳极。银离子的迁移不仅发生在无机介质表面，而且扩散到无机介质内部，导致漏电流增加，严重时两个银电极之间完全短路，导致电容器击穿。

🌗离子迁移会严重损坏正极表面的银层。在引线焊点和电极表面的银层之间，有具有半导体特性的氧化银，它增加了无机介质电容器的等效串联电阻，增加了金属部分的损耗，增加了电容器的损耗。切线值显著增加。

🌘随着正极有效面积的减小，电容器的电容也会相应减小。由于无机电介质电容器的两个电极之间的电介质表面上存在氧化银半导体，因此表面绝缘电阻降低。当银离子迁移严重时，在两个电极之间竖立树枝状银桥，大大降低了电容器的绝缘电阻。

✨综上所述，银离子的迁移不仅会恶化未密封的无机介质电容器的电性能，还可能导致介质击穿场强降低，最终导致电容器击穿。

🌟值得一提的是，银电极低频陶瓷单片电容器由于银离子迁移而导致的失效比其他类型的陶瓷介质电容器严重得多，这是由于这种电容器的一次性烧成过程和多层层压结构。在银电极与陶瓷介质的第一次焙烧过程中，银参与陶瓷介质表面的固相反应，并渗透到陶瓷银的接触点形成界面层。如果陶瓷介质密度不够，银离子的迁移不仅会发生在陶瓷介质表面，而且在水渗透后也会穿透陶瓷介质层。当外电极涂覆在层压层的两端时，银浆渗透到间隙中，从而降低了介电表面的绝缘电阻并缩短了电极之间的路径，银离子迁移时容易出现短路现象。

3.高湿度条件下陶瓷电容器的击穿机理

☀️击穿故障是在高湿度环境中工作的半封闭陶瓷电容器的常见且严重的问题。发生的击穿现象大致可分为介电击穿和表面到极击穿两种。介电击穿按发生时间可分为早期击穿和老化击穿。早期击穿暴露了电容器介电材料和生产工艺中的缺陷。这些缺陷导致陶瓷电介质的介电强度显着降低，因此在高湿度环境中的电场作用下，电容器可能会在耐压测试期间或工作初期损坏。发生电气击穿。老化分解大多属于电化学分解的范畴。由于陶瓷电容器中银的迁移，陶瓷电容器的电解老化击穿已成为一个相当普遍的问题。银千

🌈迁移形成的导电枝晶会局部增加漏电流，从而导致热击穿并导致电容器断裂或燃烧。热击穿多发生在管状或圆盘形小瓷介质器具中，因为击穿时局部加热严重，较薄的管壁或较小的瓷体容易燃烧或断裂。

⛄️此外，在主要由钛白粉组成的陶瓷电介质中，在负载条件下也可能发生钛白粉的还原反应，使钛离子由四价变为三价。旧的陶瓷电介质会显着降低电容器的介电强度，这可能会导致电容器冲击。穿上。因此，这种陶瓷电容器的电解击穿比没有钛白粉的陶瓷介质电容器更严重。

☃️银离子迁移电容器电极之间的电场严重畸变，陶瓷电介质表面在高湿度环境中与水膜冷凝，导致电容器边缘表面的电晕放电电压明显下降，在工作条件下发生表面电极之间飞舞的现象。在严重的情况下，会导致电容器表面电极之间的飞孤击穿。表面击穿与保护层的电容结构、电极间距离、负载电压、疏水性和透湿性等因素有关。边缘表面两极之间飞行孤位击穿的主要原因是电介质中残留的边缘量很小。在潮湿环境中工作时，银离子的迁移和表面水膜的形成使电容器边缘表面的绝缘电阻明显下降，引起电晕放电并最终导致电击。穿上。特别是在高湿度环境中。由于银离子迁移的产生和发展需要一段时间，在耐压试验的初始阶段，主要的失效模式是介电击穿，直到试验500h后，主要的失效模式过渡到边缘-表面极间飞单独击穿。

4.电极材料的改进

🍭陶瓷电容器一直使用银电极。银离子的迁移和随之而来的含钛陶瓷电介质的加速老化是陶瓷电容器失效的主要原因。一些制造商在陶瓷电容器的生产中使用镍电极代替银电极，并且在陶瓷基板上使用化学镀镍。由于镍比银具有更好的化学稳定性，并且具有低电迁移率，因此陶瓷电容器的性能和可靠性得到了提高。

🍧另一个例子是以银为电极的单片低频陶瓷介质电容器。由于银电极和材料在900°C下一次性烧结，无法获得致密的陶瓷电介质，并且存在较大的孔隙率。助焊剂氧化钡会渗透到瓷体内部，并依靠氧化钡和银在高温下良好的渗透“相互融合”能力，使热扩散发生在电极和介质内部，这就是宏观上的“瓷器吸收”。银“现象。银与氧化钡一起进入瓷体后，介质的有效厚度大大降低，导致产品的绝缘电阻和可靠性降低。为了提高单片电容器的可靠性，使用银钯电极代替通常含有氧化钡的电极，并在材料配方中加入1%的5#玻璃粉。它消除了高温下第一次烧结时金属电极对陶瓷介电层的热扩散，可以促进陶瓷材料的烧结和致密化，从而使产品的性能和可靠性大大提高。与原有工艺和介电材料相比，电容器的可靠性提高了1至2个数量级。

5.层压陶瓷电容器的断裂

🤹层压陶瓷电容器最常见的故障是断裂，这是由层压陶瓷电容器的电介质的脆性决定的。由于层压陶瓷电容器直接焊接在电路板上，因此直接受到来自电路板的各种机械应力，而引线陶瓷电容器可以通过引脚吸收来自电路板的机械应力。因此，对于层压陶瓷电容器，不同热膨胀系数或电路板弯曲引起的机械应力将是层压陶瓷电容器破裂的最重要因素。

6.叠层陶瓷电容器的断裂分析

🤹下图显示了层压陶瓷电容器在受到机械力后断裂的示意图。

🧸层压陶瓷电容器机械断裂后，断裂处的电极绝缘间距将低于击穿电压，这将导致两个或多个电极之间的放电并完全损坏叠层陶瓷电容器。机械断裂后电极间放电的层压陶瓷电容器的截面微观结构如下图所示。

🎸防止层压陶瓷电容器机械断裂的主要方法是：尽可能减少电路板的弯曲，减少陶瓷片式电容器在电路板上的应力，减小层压陶瓷电容器与电路板的热膨胀系数之差。机械应力。

🪕如何降低叠层陶瓷电容器在电路板上的应力将在下面单独描述，这里不再赘述。减少层压陶瓷电容器与电路板之间热膨胀系数差异引起的机械应力，这可以通过选择封装尺寸小的电容器来缓解。例如， 铝基电路板应尽可能使用低于 1810 的封装.可以通过多次并联的方法或通过层压的方法来解决，也可以通过带引脚封装形式的陶瓷电容器来解决。

7. 层压陶瓷电容器的电极端子熔化并淋浴

🏆当波峰焊时，层压陶瓷是容器，可能会发生电极尖端被焊料熔化的情况。主要原因是波峰焊层压陶瓷电容器与高温焊料接触时间长。现在市场上的层压陶瓷分为适用于回流焊接工艺和波峰焊工艺的容器。如果适合回流焊 该工艺生产的层压陶瓷电容器用于波峰焊，容易发生层压陶瓷电容器电极端子熔化和喷淋的现象。层压陶瓷电容器的电极端子在不同焊接工艺下可以承受的高温焊料的时间特性在叠层陶瓷电容器的适用注意事项中进行了详细说明，这里不再赘述。

🍓消除它的方法非常简单，即在使用波峰焊工艺时，尽可能使用符合波峰焊工艺的层压陶瓷电容器，或者尽可能不使用波峰焊工艺。

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