在iar ewarm 520里 在ram里调试 是很方便的 将*ram.icf 和flash.icf带进就可以了。很简单。 以前接触mdk时候没有详细接触。所以用的不舒服。 下面就转载的一篇关于在ram中调试的文章 文章出处:http://blog.csdn.net/gypak/archive/2009/03/24/4019796.aspx 先说说自己的理解。对下面第一点: 1:0x40000000是内部ram的开始地址 注意要查手册 2:0x2000是根据自己的程序来决定的 3:0x40002000是由上面0x2000决定的 比如上面的若为0x3000这里就为0x40003000 要求连贯 4:我在使用软件模拟的时候没有任何问题 在使用jlink调试的时候 出现了程序乱跳的现象 不知道咋办?找了一天,有人说是remap,说实话我还不懂remap是啥东西。 把Load application at start 的对号 去掉周一去试试。 5:修改startup.s 选项,选择“options for file’startup.s’”再选择“asm”页,在define 中填入“RAM_MODE”和“REMAP”
内容: 参照《RealView MDK 下ARM 程序在RAM 中调试的方法》(杨广京 中科院自动化所)文章,实验在RAM中调试程序,以便设置多个断点和延长FLash寿命。步骤如下: 1、修改IROM1(0x40000000,0x2000) 和IRAM1(0x40002000,0x2000)地址空间 2、设置硬件仿真器的初始化文件RAM.ini,其下的Load application at start 一定不要选中: FUNC void Setup (void) {
3、修改startup.s 选项,选择“options for file’startup.s’”再选择“asm”页,在define 中填入“RAM_MODE”和“REMAP”
尝试用外部RAM调试,没有成功,过程为: 1、修改ROM1(0x80000000,0x70000) 和RAM1(0x80070000,0x10000)地址空间 2、设置硬件仿真器的初始化文件RAM.ini,其下的Load application at start 一定不要选中: FUNC void Setup (void) {
3、修改startup.s 选项,选择“options for file’startup.s’”再选择“asm”页,在define 中填入“EXTMEM_MODE”和“REMAP” 4、boot_sel(jp7)跳线改为outside 5、在startup.s配置EMC为bank0,其他参数默认memory width 为16/8bit都不行
现象:反汇编时从0x80000000开始的地址代码都是ff。 估计可能是在startup.s配置EMC的某些参数与外部SRAM不匹配,数据没有写入SRAM中,以后有时间可以按照ADS中的实例来调整。 |
MDK340 在RAM中调试
最新推荐文章于 2024-07-03 20:28:11 发布
MDK340 在RAM中调试 方法
2009年04月26日 星期日 11:49