为了保护STM32的flash和提升调试速度，可以在RAM中运行和调试程序。硬件上，设置BOOT0和BOOT1引脚。软件上，新建烧录目标，配置IROM1和IRAM1，调整中断向量表，使用MicroLIB，设置调试器参数，并创建.ini文件。完成这些步骤后，程序会在RAM中启动和运行。
尽管STM32 flash的擦写次数号称能达到≥10000次，但一为了保护flash，二为了提升程序烧录速度，我们可以选择在RAM中调试程序。以下仅为个人在实践中总结的经验。
硬件上：
将BOOT0与BOOT1引脚置1（短接至VCC）
软件上：
首先，点开魔术棒图标旁的项目管理器，新建一个烧录对象（Target），为了区分，这里命名为SRAM。
新建完后，点击魔术棒打开项目配置，打开Target选项卡，按照芯片的RAM大小配置IROM1和IRAM1选项（示例中使用的芯片为STM32F407VE，RAM大小为131KB）。其中IROM1为RAM中虚拟FLASH的起始地址和大小 IRAM1为剩余RAM的起始地址和大小，这里我们将RAM等分成两份，一份从0x2000 0000开始，大小为0x1 0000；一份从0x2001 0000开始，大小也
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