学习笔记——计算机组成原理第三章半导体存储器

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一、存储芯片的基本结构

• 存储矩阵：大量存储单位组成的列阵
• 译码驱动：把地址信号翻译成选择的存储单元的位置
• 读写电路；用来完成读/写操作
• 片选线：$\overline{CS}、\overline{CE}$，选择芯片，带上划线是低电平有效
• 读写控制线：一根线的话$\overline{WE}$(低电平写，高电平读)
          两根线的话$\overline{OE}$允许读
                  $\overline{WE}$允许写

地址线（单向）	数据线（双向）	芯片容量
10	4	$1K\ast 4位=2^{10}\ast 4$
16	1	$8K\ast 1位=2^{16}\ast 1$

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二、SRAM、DRAM的工作原理

1.SRAM和DRAM区别

2.DRAM的刷新

  因为通过电容保存、电荷只能持续1到2ms，防止信息丢失就要刷新

• 刷新周期一般为2ms
• 使用行列线是因为用二维方式寻址能大大减少选通线数量
  比如8位，如果一维要$2^8$根选通线
  如果二维只要$2^4+2^4$根选通线

  问题1：如何刷新，每次刷新多少存储单元？

• 以行为单位、每次刷新一行，有硬件支持，读出一行信息后重新写入，占用一个读/写周期

  问题2：什么时刻刷新

• ①分散刷新
  每读写完都刷新一次，也就是系统存取周期变为1us
  前0.5us用于正常读写
  后0.5us用于刷新某行

• ②集中刷新
  2ms内集中安排时间全部刷新
  刷新的那段时间无法访问存储器，称为访存死区

• ③异步刷新
  计算好要刷新的行数，刷新的时间平均分配到每个部分

• 刷新对CPU是透明的

• 透明的意思是不知道内部工作原理，只提取结果

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三、ROM只读存储器

1.分类

• 掩膜式只读 存储器（MROM）
  在芯片生产过程中直接写入信息，然后不能更改

• 一次性可编程只读存储器（PROM或者OTPROM）
  由用户用专门设备一次性写入之后无法修改

• 可擦除可编程只读存储器（EPROM）
  ①紫外线擦除(UVEPROM）
  ②电擦除（EEPROM）

• 闪速存储器（Flash Memony）
  U盘

• 固态硬盘（Solid state Drives）
  控制单元+FLASH芯片

2.注意问题

• ROM是内存中的一种，广义的内存称为ROM,RAM和Cache三部分

四、习题补充

1.DRAM不存在死时间的方式

• 分散刷新，不是所有方式都有死时间，间隔太短的不算死时间的

2.SRAM芯片引脚最小数目

  题目条件，容量为1024X8位，不算电源和接地端

• 容量1024的单位是B，因为后面是乘8位，B是字节
• $1024B=2^{10}B$
• 也就是10+8=18，然后还有读写控制线和片选线
• 再加3或者2，因为读写控制线可能一根也可能两根

3.RAM存储单元和地址线

• 地址线只与存储单元个数有关，与存储字长无关
• 存储单元有多长，比如16位，那么地址线也就是16位

4.SRAM需要刷新吗

• 不需要，因为它是触发器，双稳态，DRAM是电容

5.DRAM地址复用技术芯片引脚数

 题目：DRAM容量为1024X8位，不算电源和接地端，读写控制线算两条

• $1024B=2^{10}B$直接减半为$2^5$
• 然后片选线变成行通选和列通选两条
• 也就是5+8+2+2=17条

6.DRAM默认的就是地址复用

• 也就是通过容量算地址线的时候必须！必须！减半地址线
• 传两次地址的策略

7.Cache制作

• Cache一般用高速的SRAM制作
• DRAM也是可以用来制作的，但不占主体
• 不用ROM

8.U盘的读写速度

• 闪存是EEPROM的进一步发展
• 也就是说他可读可写
• 但写入时候必须擦除原有数据
• 也就是说写速度要比读速度满不少

9.内存概念

• 一般提到内存的RAM，一般都是DRAM ，因为DRAM的成本要比SRAM低很多

10.EEPROM改写

• 改写次数不止一次，可以多次，但是有限制
• 改写较为繁琐
• 写入时间很长

11.DRAM的特点

• 在工作中存储器内容会产生变化，这句话表述是错的
• 只是刷新

12.提高刷新存储器带宽

• ①采用高速DRAM芯片
• ②采用多体交叉存储结构
• ③刷新存储器至显示控制器的内部总线宽度加倍
• ④采用双端口存储器将刷新端口和更新端口分开

13.DRAM刷新计算

  题目：一个1K X4位DRAM芯片，若其内部结构排列成64X64形式，且存取周期为0.1us。
  (1)异步刷新的方式，刷新信号周期应取多少
  (2)集中刷新的方式，则对该存储芯片刷新一遍 需多少时间？死时间率是多少？

• ① 2ms内要对64行各刷新一遍，刷新信号时间为$2ms/64=31.25us$。因此可以取刷新周期为31us

• ② 存取周期是0.1us，则2ms内集中6.4us刷新，死时间率为（6.4/2000）=0.32%