MTJ笔记

 

 

场控开关：磁场在近处和远处的强度不均匀，集成度较小。将状态传出需要转换为电压或磁场，与周围电流的交互复杂。

流控开关

 

MR：磁致电阻

GMR效应：铁磁层/非铁磁性金属/铁磁层

TMR效应：铁磁层/绝缘体/铁磁层，这种结构称为MTJ磁隧道结

描述MR的模型：two-resistor model

电子自旋方向有两个：自旋向上和自旋向下

电子可以通过极化方式相同的铁磁层，极化方向相反则反弹回来

所以对于平行的两层铁磁层，同向的电子可以通过电阻较小，反向的反弹电阻较大，并联整体电阻较小

对于反向的两层铁磁层，两种自旋方向的电子全部反弹，电阻大

即：

P-电阻小-0

AP-电阻大-1

 

隧穿效应

STT 自旋磁转矩效应 改变MTJ中铁磁层的方向实现写入数据

AP→P 电子先通过固定层后通过自由层，电子通过固定层在绝缘层的阻碍下与固定层极化方向相同，在到达自由层时改变自由层的方向，写0

P→AP电子先通过自由层，部分被极化，与固定层同向的通过，与固定层反向的反弹回自由层，积累到一定程度时改变自由层方向，写1

P状态，电子从固定层通过自由层，电阻小，为0

AP状态，电子从自由层通过固定层，电阻大，为1

 

面向磁化各向异