MRAM学习笔记——2.VGSOT

[Wu, Y. C., Garello, K., Kim, W., Gupta, M., Perumkunnil, M., Kateel, V., Couet, S., Rao, S., Beek, S. Van, Sethu, K. K. V., Yasin, F., Crotti, D., & Kar, G. S. (n.d.). Voltage-Gate Assisted Spin-Orbit Torque Magnetic Random Access Memory for High-Density and Low-Power Embedded Application.]

背景：SOT和VCMA各自的问题

STT-MTJ的写速度和击穿电压之间的trade off，以及 incubation delay ，限制了STT-MTJ的写入时间小不到哪去（小不到5ns以下）。为了解决STT写入速度快不起来的问题，该课题组提出了SOT+VCMA的套路。
SOT-MRAM就是说三端器件嘛，可以读写分离，提高endurance，且最近的研究进展表明已经用SOT-pMTJ实现了亚ns级的靠谱的信息写入。
[9] E. Grimaldi, V. Krizakova, G. Sala, F. Yasin, S. Couet, G. S. Kar, K. Garello, and P. Gambardella, Single-shot dynamics of spin–orbit torque and spin transfer torque switching in three-terminal magnetic tunnel junctions, Nat. Nanotech. 15, 111-117, 2020.
[10] K. Garello, F. Yasin, S. Couet, L. Souriau, J. Swerts, S. Rao, S. Van Beek, W. Kim, E. Liu, S. Kundu, D. Tsvetanova, N. Jossart, K. Croes, E. Grimaldi, M. Baumgartner, D. Crotti, A. Furnemont, P. Gambardella, and G. S. Kar, SOT-MRAM 300mm integration for low power and ultrafast embedded memories, IEEE Symp. VLSI Circ., p. 81-82, 2018.
另一方面，关于VCMA，致力于实现超低功耗的MRAM写入，它是通过极短电压脉冲形成的外电场的作用，改变FM/MgO界面处的电子分布，进而改变界面势垒高度，同时也在短时间内改变了FM界面的PMA（垂直磁各向异性）。但SOT-MTJ自由层的磁矩方向，需要有外加的面内磁场来固定下来，即需要外磁场来实现确定性翻转。VCMA实现的SOT翻转，功耗为fJ级，延迟为sub-ns级。

为实现SOT的确定性翻转，科研界可谓是绞尽了脑汁，比如在芯片内部嵌入微磁场发生器；利用起反铁磁耦合作用；或者利用STT辅助SOT来翻转。
[ [14] Y. C. Wu, W. Kim, K. Garello, F. Yasin, G. Jayakumar, S. Couet, R. Carpenter, S. Kundu, S. Rao, D. Crotti, J. Van Houdt, G. Groeseneken, and G. S. Kar, Deterministic and field-free voltage-controlled MRAM for high performance and low power application, IEEE Symp. VLSI Tech., p. TMFS.4, 2020.
[15] K. Garello, F. Yasin, H. Hody, S. Couet, L. Souriau, S. H. Sharifi, J. Swerts, R. Carpenter, S. Rao, W. Kim, J. Wu, K. K. Vudya Sethu, M. Pak, N. Jossart, D. Crotti, A. Furnemont, and G. S. Kar, Manufacturable 300mm platform solution for Field-Free Switching SOT-MRAM, IEEE Symp. VLSI Tech., p. T194-T195, 2019 ] 。

总结下来，SOT有两大问题：

• 1.三端器件面积大；SOT单元的操控电路变得复杂，也许是能翻了，但阵列面积和写效率都下来了。下图是一个SOT-MTJ的读写单元，三端器件，每个MTJ需要两个管子来控制。
  
• 2.底电极通入的写电流大（相比于STT）；需要降低自旋霍尔角。

VCMA有两大问题：

• 1.WER大（写错误率）；因为写电压脉冲的持续时间的margin很小（sub-ns级），因此在工艺和脉冲控制上有一丢丢的variation都会导致很大的写错误率，像是VCMA系数、MTJ直径漂移、写电压幅度漂移都会造成WER变大。
• 2.VCMA系数和retention之间的Trade-off；为了避免影响MTJ的数据保持性能，VCMA系数必须取得很大，得大过800fJ/Vm，但事实上，30~70fJ/Vm才是常态。

总的来说，SOT,VCMA在实际阵列应用中各自都很有问题，于是有人提出了SOT+VCMA的套路，称作VGSOT-MRAM（voltage-gate assisted SOT-MRAM）。[H. Yoda, N. Shimomura, Y. Ohsawa, S. Shirotori, Y.Kato, T. Inokuchi, Y. Kamiguchi, B. Altansargai, Y. Saito, K. Koi, H. Sugiyama, S. Oikawa, M. Shimizu, M. Ishikawa, K. Ikegami, and A. Kurobe, Voltage-Control Spintronics Memory (VoCSM) Having Potentials of Ultra-Low Energy- Consumption and High-Density,
IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), p. 27.6.1-27.6.4, 2016.]

VGSOT原理及结构

基本原理就一句话：SOT效应来翻free layer，VCMA电压来assist。
单元结构如下图：

用VCMA来协助的几个优势是：

• 1.电压脉冲可以降低PMA，进而让SOT的底电极翻转电流减小很多；
• 2.将加电压脉冲的gate transistor作为MTJ selector，可以实现多MTJ pillar的单元结构，进而曲线救国减小单元占地面积，如下图
  
• 3.读的时候，读gate电压加的跟写assisted gate voltage反向，则PMA会被增大，减小了读电压的干扰。（这块挺有意思还没深入看）[H. Lee, C. Grezes, S. Wang, F. Ebrahimi, P. Gupta, P. Khalili Amiri, and K. L. Wang, Source Line Sensing in Magneto-Electric Random-Access Memory to Reduce Read Disturbance and Improve Sensing Margin, IEEE Magn. Lett. 7, 3103405, 2016.]
• 4.通过适当设计，能满足很多低功耗、高速写等的性能要求。

实验

实验电路如下图，

PMA field（磁各向异性场）——Hk,eff，热稳定因子（Delta），翻转概率Psw，之间的关系：

[L. Thomas, G. Jan, J. Zhu, H. Liu, Y. J. Lee, S. Le, R. Y. Tong, K. Pi, Y. J. Wang, D. Shen, R. He, J. Haq, J. Teng, V. Lam, K. Huang, T. Zhong, T. Torng, and P. K. Wang, Perpendicular spin transfer torque magnetic random access memories with high spin torque efficiency and thermal stability for embedded applications (invited), J. Appl. Phys. 115, 172615, 2014.]

VCMA系数的计算公式：是通过曲线拟合得到的，具体的我还没太看
[J. Huang, C. H. Sim, V. B. Naik, M. Tran, S. T. Lim, A. Huang, Q. J. Yap, and G. Han, Electric field effect on a double MgO CoFeB-based free layer, J. Magn. Magn. Mater. 401, p. 1150-1154, 2016.]

推VCMA系数所用的数据

Psw、Ic等

测定不同Vg条件下的Psw、Psw=50%时的翻转电流Ic、平均本征翻转电流Ic0,avg等的结果。

写入功耗（能量）：

由下图可见，当Vg=1V和Vg=0V相比较，总功耗降低了45%（tp=0.4ns或1ns）

WER

实验结论就是加正向Vg=1V时，WER最低。

VGSOT方式可以降低SOT翻转对器件自旋霍尔角的要求

略

DTCO分析

作者提供的不同foundry里做的SRAM、STT、SOT和本篇做的多pillar VGSOT的性能对比。

其中本篇的VGSOT的性能是基于这些条件：Delta=60，RA=20ohmum^2，SOT线电阻率=160u ohmcm，自旋霍尔角=-0.45，VCMA系数=300fJ/Vm。基于该条件的VGSOT器件具有2x~10x的性能提升。

总结

本文 给SOT加上一个短电压脉冲，利用了VCMA效应，称之为VGSOT，降低了写功耗和WER，同时提出了一个一个底电极track上做多个MTJ pillar的方案，来适当提高SOT集成度。此外，根据实测的数据进行拟合，发现SOT参数之间的一些线性关系。

下一篇研究下spinlib的SOT STT VCMA的spice model，把公式理一遍.