正激拓扑的仿真分析

1. 前言

本文是基于saber的仿真分析。saber这个软件，一言难尽，总是跑出错，还不知道原因，好在跑正常的时候，结果跟实际的相差不大，这倒是值得欣慰的。
下面正式进入分析。

2. 正激电路的仿真分析

正激电路仿真的原理图如下：

主拓扑是正激电路，采用复位绕组复位，辅助绕组供电，正激谐振复位作为反馈，uc3845作为控制器。

上图是正激电路的工作过程示意图，红色线为开通过程，蓝色的为关断过程。开通时，母线电压给变压器加电，副边整流二极管导通，电感电流上升；关断时，变压器原边通过复位绕组复位，反馈给母线，副边电感电流通过续流二极管续流。
这里顺便复习下mos的开关过程。

开通：当Vgs小于Vth时，驱动电压给Cgs充电，当Vgs>vth时，mos开始导通，id增加，驱动电流一部分给Cgs充电，一部分给Cgd充电，当mos完全导通后id几乎不变，Vgs不变，驱动电流走向Cgd，进入米勒平台区，当Vd下降等于Vgs-Vth时，Vgs继续上升到最大值。
关断：Vgs减小，当减小到米勒平台区时，预示着关断，Vd开始增加，增加到一定值时，打破米勒平台区，Vgs继续下降，Id开始下降，当Vgs下降到Vth之下时，mos完全关断，直至为0.
注意这里米勒平台有可能会震荡，这是因为电流上升很快时，寄生电感产生电压叠加在Vgs上所致，而且Vds上升或者下降的过快，都会使得Vgs震荡，这是由于米勒电容充放电所致。
米勒平台的抑制有以下几种方法：
 选取合适的驱动电阻抑制栅极震荡
 栅源之间并电容，增加Cgs与Cgd的比值，但并的电容不能过大，否则延缓开通，一般选取为0.1Ciss。
 漏源之间并联RC，降低Vds的变化率，以减缓米勒电容对Vgs的充放电速率
 直流母线上并电容，降低Vds的变化率
 减少mos栅极驱动的走线长度
 优化PCB布局，缩小驱动环路
 选择米勒电容小，Cgs与Cgd比值大的mos，Qgd也要小。

2.1 主拓扑仿真

下面分别介绍空载和满载仿真的结果。
空载仿真：

从图中可以看到，mos管关断后，有一段时间的震荡。而且可以看到，这个震荡只在轻载的情况下出现。这是因为轻载mos关断时，电感续流截止，副边寄生电容与原边mos的寄生电容，一起与变压器的励磁电感振荡。

满载仿真：

这里电容的纹波由电容本身的充放电（电感电流波动的积分）和电容ESR压降叠加而成。

2.2 控制拓扑仿真

2.2.1 光耦隔离

光耦隔离仿真的目的，主要看TL431和光耦的工作状态。下图是光耦隔离的仿真图。

从图中可以看到，当输出电压小于5V时，光耦无输出，输出电压越大，TL431电流越大，光耦输出电流越大，输出电压越小。
加入小波动（200mV,300kHz正弦波）发现当输出在5V附近波动时，TL431的cathode电压被拉低，这是由于加入负反馈积分所致，使得输出电压小于5V时，TL431也能导通，导通时Vka为0.5V左右。
仿真原理和结果图如下所示：

2.2.2 磁隔离

磁隔离仿真的目的是看分立器件磁隔离各个器件的工作状态。分立元件的磁隔离反馈，其实就是谐振磁复位的正激电路，所以搭建正激电路进行分析。
仿真原理图如下，占空比为33%：

主mos的漏极波形与谐振电容大小有关，电容越大，漏极电压越小，波形从对称磁化区转为单边磁化区。下图是谐振电感从5nF增加到50nF的波形。



对称磁化区，非对称磁化区和单边磁化区以变压器励磁电感电流的作为评判。
对称磁化区：变压器励磁电感正负电流相等，mos的Vds平台段是副边整流续流二极管同时导通的结果。这个平台因为是在主mos关断期间产生，所以不会产生大的环流。因为同时导通，所以励磁电感被短路，励磁电流不变，Vds两端的电压等于输入电压。整流续流二极管同时导通的情况，容易在负载大的时候出现，因为续流时间长，而在轻载时候，由于续流二极管断续，整流续流二极管同时关断，所以不会出现平台电压。会出现以下波形。

非对称磁化区是变压器励磁电感正负电流不相等；单边磁化区是变压器励磁电感只有正电流。之所以出现这样的情况，是因为谐振电容太大，放电不及时，导致励磁电感电流还没完全逆向复位就开通，这种情况下，励磁电感有个恒定的损耗，对效率不利。

3. 变压器电感的作用

我们知道正激和反激的不同之处有：

• 正激变压器不储能，反激变压器储能
• 正激有电感，反激没有。
  在我的印象中，反激变压器储能，正激电感滤波和储能，好像是理所当然的，但是真正深究为什么，才发现没有参透。
  那变压器的能量到底存在哪里？为什么正激变压器不储能，而反激变压器可以？
  赵修科的《开关电源磁芯元件中》给出了下面的式子，式子由u*i对时间的积分推导出来。
  
  电磁能量与B,H有关，气隙使得u减小，B一定的情况下，H增加，所以能储存的能量增加，电流也相对增加，换言之，相同的电流匝比情况下，u越大，B越容易饱和。

反激增加气隙就是想避免变压器饱和，顺便储能。
关于正激变压器储能，不考虑励磁电感，变压器是不储能的，因为原副边同时导通，磁芯里的磁通抵消，变压器的尺寸取决于磁芯的窗口面积可以放多少铜，非处理功率的能力。

电感的作用有两个，储能和滤波。
1）储能
w=1/2LI^2
从上面的式子可以看到，电感上有电流就能储能。
2) 滤波
电容的作用是维持电压的稳定，因为电容电压不能突变。电感的作用是维持电流的稳定，所以是对电流进行滤波。但电感并不是越大越好，越大，电流上升的越慢，给电容充电的就越慢，输出电压到达稳定值就越慢。