正激拓扑的仿真分析

本文详细探讨了基于Saber的正激电路仿真,包括空载和满载条件下的主拓扑分析,重点阐述了MOSFET的开关过程及米勒平台抑制方法。此外,还介绍了光耦隔离和磁隔离在控制拓扑中的作用,分析了变压器电感在正激变换器中的功能。

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1. 前言

本文是基于saber的仿真分析。saber这个软件,一言难尽,总是跑出错,还不知道原因,好在跑正常的时候,结果跟实际的相差不大,这倒是值得欣慰的。
下面正式进入分析。

2. 正激电路的仿真分析

正激电路仿真的原理图如下:
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主拓扑是正激电路,采用复位绕组复位,辅助绕组供电,正激谐振复位作为反馈,uc3845作为控制器。
在这里插入图片描述
上图是正激电路的工作过程示意图,红色线为开通过程,蓝色的为关断过程。开通时,母线电压给变压器加电,副边整流二极管导通,电感电流上升;关断时,变压器原边通过复位绕组复位,反馈给母线,副边电感电流通过续流二极管续流。
这里顺便复习下mos的开关过程。
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开通:当Vgs小于Vth时,驱动电压给Cgs充电,当Vgs>vth时,mos开始导通,id增加,驱动电流一部分给Cgs充电,一部分给Cgd充电,当mos完全导通后id几乎不变,Vgs不变,驱动电流走向Cgd,进入米勒平台区,当Vd下降等于Vgs-Vth时,Vgs继续上升到最大值。
关断:Vgs减小,当减小到米勒平台区时,预示着关断,Vd开始增加,增加到一定值时,打破米勒平台区,Vgs继续下降,Id开始下降,当Vgs下降到Vth之下时,mos完全关断,直至为0.
注意这里米勒平台有可能会震荡,这是因为电流上升很快时,寄生电感产生电压叠加在Vgs上所致,而且Vds上升或者下降的过快,都会使得Vgs震荡,这是由于米勒电容充放电所致。
米勒平台的抑制有以下几种方法:
 选取合适的驱动电阻抑制栅极震荡
 栅源之间并电容,增加Cgs与Cgd的比值,但并的电容不能过大,否则延缓开通,一般选取为0.1Ciss。
 漏源之间并联RC,降低Vds的变化率,以减缓米勒电容对Vgs的充放电速率
 直流母线上并电容,降低Vds的变化率
 减少mos栅极驱动的走线长度
 优化PCB布局,缩小驱动环路
 选择米勒电容小,Cgs与Cgd比值大的mos,Qgd也要小。

2.1 主拓扑仿真

下面分别介绍空载和满载仿真的结果。
空载仿真:
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从图中可以看到,mos管关断后,有一段时间的震荡。而且可以看到,这个震荡只在轻载的情况下出现。这是因为轻载mos关断时,电感续流截止,副边寄生电容与原边mos的寄生电容,一起与变压器的励磁电感振荡。

满载仿真:在这里插入图片描述
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这里电容的纹波由电容本身的充放电(电感电流波动的积分)和电容ESR压降叠加而成。
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2.2 控制拓扑仿真

2.2.1 光耦隔离

光耦隔离仿真的目的,主要看TL431和光耦的工作状态。下图是光耦隔离的仿真图。
在这里插入图片描述

从图中可以看到,当输出电压小于5V时,光耦无输出,输出电压越大,TL431电流越大,光耦输出电流越大,输出电压越小。在这里插入图片描述
加入小波动(200mV,300kHz正弦波)发现当输出在5V附近波动时,TL431的cathode电压被拉低,这是由于加入负反馈积分所致,使得输出电压小于5V时,TL431也能导通,导通时Vka为0.5V左右。
仿真原理和结果图如下所示:
在这里插入图片描述
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2.2.2 磁隔离

磁隔离仿真的目的是看分立器件磁隔离各个器件的工作状态。分立元件的磁隔离反馈,其实就是谐振磁复位的正激电路,所以搭建正激电路进行分析。
仿真原理图如下,占空比为33%:
在这里插入图片描述
主mos的漏极波形与谐振电容大小有关,电容越大,漏极电压越小,波形从对称磁化区转为单边磁化区。下图是谐振电感从5nF增加到50nF的波形。
在这里插入图片描述
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对称磁化区,非对称磁化区和单边磁化区以变压器励磁电感电流的作为评判。
对称磁化区:变压器励磁电感正负电流相等,mos的Vds平台段是副边整流续流二极管同时导通的结果。这个平台因为是在主mos关断期间产生,所以不会产生大的环流。因为同时导通,所以励磁电感被短路,励磁电流不变,Vds两端的电压等于输入电压。整流续流二极管同时导通的情况,容易在负载大的时候出现,因为续流时间长,而在轻载时候,由于续流二极管断续,整流续流二极管同时关断,所以不会出现平台电压。会出现以下波形。
在这里插入图片描述
非对称磁化区是变压器励磁电感正负电流不相等;单边磁化区是变压器励磁电感只有正电流。之所以出现这样的情况,是因为谐振电容太大,放电不及时,导致励磁电感电流还没完全逆向复位就开通,这种情况下,励磁电感有个恒定的损耗,对效率不利。

3. 变压器电感的作用

我们知道正激和反激的不同之处有:

  • 正激变压器不储能,反激变压器储能
  • 正激有电感,反激没有。
    在我的印象中,反激变压器储能,正激电感滤波和储能,好像是理所当然的,但是真正深究为什么,才发现没有参透。
    那变压器的能量到底存在哪里?为什么正激变压器不储能,而反激变压器可以?
    赵修科的《开关电源磁芯元件中》给出了下面的式子,式子由u*i对时间的积分推导出来。
    在这里插入图片描述
    电磁能量与B,H有关,气隙使得u减小,B一定的情况下,H增加,所以能储存的能量增加,电流也相对增加,换言之,相同的电流匝比情况下,u越大,B越容易饱和。

反激增加气隙就是想避免变压器饱和,顺便储能。
关于正激变压器储能,不考虑励磁电感,变压器是不储能的,因为原副边同时导通,磁芯里的磁通抵消,变压器的尺寸取决于磁芯的窗口面积可以放多少铜,非处理功率的能力。

电感的作用有两个,储能和滤波。
1)储能
w=1/2LI^2
从上面的式子可以看到,电感上有电流就能储能。
2) 滤波
电容的作用是维持电压的稳定,因为电容电压不能突变。电感的作用是维持电流的稳定,所以是对电流进行滤波。但电感并不是越大越好,越大,电流上升的越慢,给电容充电的就越慢,输出电压到达稳定值就越慢。

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