ARM9存储控制（个人愚见，不对地方请高手指教）

最新推荐文章于 2024-08-25 10:00:00 发布

顶狐

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分类专栏： ARM 文章标签：存储 flash c

本文链接：https://blog.csdn.net/dinghu721521/article/details/6097073

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本文介绍了ARM9处理器的存储控制，包括Nand Flash和Nor Flash启动模式。在Nand Flash启动时，引导代码加载到4kb的内部SRAM，然后转移至SDRAM运行。Nor Flash启动则直接从0x00000000执行。此外，文章还提到了SRAM、SDRAM、Nand Flash和Nor Flash的区别以及地址分配。

摘要由CSDN通过智能技术生成

（1）Nand Boot：

用户可以将引导代码（我们通常说的bootloder）和操作系统镜像文件放在外部的Nand Flash中，并且从Nash Flash启动。当处理器在这种模式下上电复位时，内置的Nand Flash控制器将访问控制接口，并将引导代码（bootloder）自动加载到内部的SRAM中（此时SRAM定位于其实地址空间0x00000000，容量为4kb，处理器自带的），然后，SRAM中的引导程序（bootloder）将操作系统镜像文件加载到SDRAM中，操作系统就能够在SDRAM中运行了。这也是bootloder的作用，如果仅仅是小容量的裸机程序的话完全没有必要编写bootloder，直接放在NASH FLASH中就可以运行了（实验验证通过），但是由于SRAM容量比较小并且昂贵，所以必须用bootloder把容量大的操作系统加载到相对容量较大的SDRAM中运行。如果是从nor flash或者SDRAM中运行，

（2）两种启动方式

记住一点，所以的处理器复位都是从0x00000000处开始执行

a：在Nand Flash 启动模式下，处理器内部的4kb boot SRAM（处理器内部拥有并不是我们的外部存储空间）被映射到nGCS0(bank0)片选空间中。此时SRAM的地址为0x00000000（暂时可以这么认为），至于Nash Flash 的地址我们不用管它，反正从Nand Flash 启动我们总会把里面前4kb的代码复制到0x00000000中执行。这个理解也合乎代码从0X00000000处执行。