模拟电路设计（1）--- PN结

理解PN结要先理解P、N型半导体。以特殊工艺，向单晶体本征半导体中掺入杂质原子，导致原有原子多出或缺少自由电子。有“多出”电子的掺杂材料为Negative型半导体，即N型半导体，带“空穴”的掺杂材料为Positive型半导体，即P型半导体。P型半导体和N型半导体通过原子级结合就可以形成PN结。

PN结示意图

N型半导体本身是中性，但有多子--电子，P型半导体也是中性，但是有多子--空穴，在pn接触面，N型半导体的电子和P型半导体的空穴相互“渗透”复合，那么N型少了电子带正点，P型少了空穴带负电，所以电场由N到P会形成N指向P的接触电场，这也导致了PN结的单向导通性。只有P接正向，N接负向才能削弱接触电场从而实现导通，反向增强接触电场将截止，所以这个接触电场就是pn节的导通压降，硅材料的一般为0.6V，锗材料的一般为0.3~0.5V。

PN结的典型V-I特性曲线

 PN结除了正向导通电压V2，还有反向击穿电压V1，表现为电流快速增加，但电压比较稳定，这个特性被用于稳压。
 击穿就是电介质在足够高的电场强度作用下瞬间失去介电功能的现象。说白了，本来不应该有电流通过的地方，由于加在它两端的电压过高，导致它有了电流通过，并且是大电流通过。这种情况就叫击穿。像生活中我们插拔大功率电器插头的时候，会看到电火花，这就是空气被“击穿”的现象。

        PN结反向击穿从机理上来说分为：齐纳击穿和雪崩击穿。

  雪崩击穿示意图

 所谓雪崩击穿，当电场强度足够大时，自由电子不断撞击介质内的离子，并把能量传递给离子使之电离，从而产生新的次级电子，这些次级电子在电场中获得能量而加速运动，又撞击并电离更多的离子，产生更多的次级电子，如此连锁反应，如同“雪崩”，载流子倍增得非常快。

 而齐纳击穿，当反向电压增大到一定程度时，空间电荷区内就会建立一个很强的电场。这个强电场能把价电子从共价键中拉出来，从而在空间电荷区产生大量电子-空穴对。这些电子-空穴对产生后，空穴被强电场驱到P区，电子被强电场驱到N区，使反向电流猛增。这种由于强电场的作用，直接产生大量电子-空穴对而使反向电流剧增的现象叫做齐纳击穿。这种击穿是因为量子力学里面的隧穿效应导致的。简单理解就是两条线太近了，就直接穿过去了，此时势垒失去了阻挡电子的作用，发生了击穿。    

                                                              齐纳击穿示意图 

 对于掺杂浓度较高势垒较薄的PN结，主要是齐纳击穿。掺杂较低因而势垒较宽的PN结，主要是雪崩击穿，而且击穿电压比较高。一般反压小于4V的击穿则为齐纳击穿，稳压值的温度系数为负。反压大于7V称为雪崩击穿，稳压管的温度系数为正。介于两者之间可能两种模式都存在，两种模式都需要对击穿电流做外界限制，不然会过热损坏，若做了外部限制，PN结都不会损坏。

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