【STM32CubeIDE】 stm32f103的内部Flash读写,double数值读写

单片机stm32f103c8t6,程序存储器64Kb:

对其最后一页,第63页进行读写操作,空间1Kb。

 写入一个32位的数据0x12345678到Flash首地址为0x0800FC00.则在Flash中存储情况如下:

 即,低位地址存储数据的低位,高位地址存储数据的高位。数据的首地址为存储地址的低位。

浮点数存储格式参考:

浮点数double在内存中的存储方式_double存储格式_HeisenbergWDG的博客-CSDN博客

Flash读写参考:

STM32CUBEIDE(16)----内部Flash读写_记帖的博客-CSDN博客

main.c代码:

/* USER CODE BEGIN Header */
/**
  ******************************************************************************
  * @file           : main.c
  * @brief          : Main program body
  ******************************************************************************
  * @attention
  *
  * Copyright (c) 2022 STMicroelectronics.
  * All rights reserved.
  *
  * This software is licensed under terms that can be found in the LICENSE file
  * in the root directory of this software component.
  * If no LICENSE file comes with this software, it is provided AS-IS.
  *
  ******************************************************************************
  */
/* USER CODE END Header */
/* Includes ------------------------------------------------------------------*/
#include "main.h"
#include "rtc.h"
#include "usart.h"
#include "gpio.h"

/* Private includes ----------------------------------------------------------*/
/* USER CODE BEGIN Includes */
#include "stdio.h"
/* USER CODE END Includes */

/* Private typedef -----------------------------------------------------------*/
/* USER CODE BEGIN PTD */

/* USER CODE END PTD */

/* Private define ------------------------------------------------------------*/
/* USER CODE BEGIN PD */
/* USER CODE END PD */

/* Private macro -------------------------------------------------------------*/
/* USER CODE BEGIN PM */

/* USER CODE END PM */

/* Private variables ---------------------------------------------------------*/

/* USER CODE BEGIN PV */
uint8_t rxdata1;
/* USER CODE END PV */

/* Private function prototypes -----------------------------------------------*/
void SystemClock_Config(void);
/* USER CODE BEGIN PFP */
#ifdef __GNUC__									//串口重定向
#define PUTCHAR_PROTOTYPE int __io_putchar(int ch)
#else
#define PUTCHAR_PROTOTYPE int fputc(int ch, FILE *f)
#endif
PUTCHAR_PROTOTYPE
{
    HAL_UART_Transmit(&huart1 , (uint8_t *)&ch, 1, 0xFFFF);
    return ch;
}

/* USER CODE END PFP */

/* Private user code ---------------------------------------------------------*/
/* USER CODE BEGIN 0 */

//发字符串函数
uint8_t Usart_SendString(const uint8_t* str)
{

	while(*str!='\0')
	{
		if(HAL_UART_Transmit(&huart1, (uint8_t *)str, 1, 1000)!=HAL_OK)
		{
			return 0;  //发送失败
		}
		str++;
	}
	return 1;  //发送成功
}

void  HAL_UART_RxCpltCallback(UART_HandleTypeDef *huart)
{
	if (huart->Instance == USART1){
	/* 将接收成功的数据通过串口发出*/
	//HAL_UART_Transmit_IT(&huart1,&rxdata1, 1); //不要在此处用中断式发送,不然会丢失信息
	HAL_UART_Transmit(&huart1,&rxdata1, 1, 0xffff);//查询法发
	HAL_UART_Receive_IT(&huart1, &rxdata1, 1);    //重新启,接收1个数
	}

}

// 芯片的Flash为64K,最后一页Flash的首地址为0x0x0800FC00,每页1Kb。
#define FLASH_FOR_EEPROM_ADDRESS		0x0800FC00
uint32_t WriteFlashData[3] = {0x12345678,0x22222222,0x33333333};//数据
uint32_t addr = 0x0800FC00; // 芯片的Flash为64K,最后一页Flash的首地址为0x0x0800FC00,每页1Kb。
/*FLASH写入程序*/
void WriteFlashTest(uint32_t L,uint32_t Data[],uint32_t addr)
{
	uint32_t i=0;
	/* 1/4解锁FLASH*/
	HAL_FLASH_Unlock();
	/* 2/4擦除FLASH*/
	/*初始化FLASH_EraseInitTypeDef*/
	/*擦除方式页擦除FLASH_TYPEERASE_PAGES,块擦除FLASH_TYPEERASE_MASSERASE*/
	/*擦除页数*/
	/*擦除地址*/
	FLASH_EraseInitTypeDef FlashSet;
	FlashSet.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;
	FlashSet.PageAddress = addr;
	FlashSet.NbPages = 1;
	/*设置PageError,调用擦除函数*/
	uint32_t PageError = 0;
	HAL_FLASHEx_Erase(&FlashSet, &PageError);
	/* 3/4对FLASH烧写*/
	for(i=0;i<L;i++)
	{
		HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, addr+4*i, Data[i]);
	}
	/* 4/4锁住FLASH*/
	HAL_FLASH_Lock();
}
/*FLASH读取打印程序*/
void PrintFlashTest(uint32_t L,uint32_t addr)
{
	uint32_t i=0;
	for(i=0;i<L;i++)
	{
		printf("addr is:0x%x, data is:0x%x\n", addr+i*4,  *(__IO uint32_t*)(addr+i*4));
	}
}

double WriteFlashData2[3]={3.5,1234567890,-3.5};
typedef union{
	double doubleNum;
	uint64_t u64Num;
} DoubleAndU64;
void WriteFlashDouble(uint32_t L,double Data[],uint32_t addr)
{
	DoubleAndU64 data2u64;
	uint32_t i=0;

	/* 1/4解锁FLASH*/
	HAL_FLASH_Unlock();
	/* 2/4擦除FLASH*/
	/*初始化FLASH_EraseInitTypeDef*/
	/*擦除方式页擦除FLASH_TYPEERASE_PAGES,块擦除FLASH_TYPEERASE_MASSERASE*/
	/*擦除页数*/
	/*擦除地址*/
	FLASH_EraseInitTypeDef FlashSet;
	FlashSet.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;
	FlashSet.PageAddress = addr;
	FlashSet.NbPages = 1;
	/*设置PageError,调用擦除函数*/
	uint32_t PageError = 0;
	HAL_FLASHEx_Erase(&FlashSet, &PageError);

	/* 3/4对FLASH烧写*/
	for(i=0;i<L;i++)
	{
		data2u64.doubleNum=Data[i];
		HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD, addr+8*i, data2u64.u64Num);
	}
	/* 4/4锁住FLASH*/
	HAL_FLASH_Lock();
}
void PrintFlashDouble(uint32_t L,uint32_t addr)
{
	DoubleAndU64 data2double;
	uint32_t i=0;
	for(i=0;i<L;i++)
	{
		data2double.u64Num=*(__IO uint64_t*)(addr+i*8);
		printf("addr is:0x%x, data is:%f\n", addr+i*8, data2double.doubleNum );
	}
}

/* USER CODE END 0 */

/**
  * @brief  The application entry point.
  * @retval int
  */
int main(void)
{
  /* USER CODE BEGIN 1 */
	uint8_t dat1[]={"China "};
	uint8_t dat2[]={"Back!\r\n"};
//	uint8_t *dat2="7777 ";
  /* USER CODE END 1 */

  /* MCU Configuration--------------------------------------------------------*/

  /* Reset of all peripherals, Initializes the Flash interface and the Systick. */
  HAL_Init();

  /* USER CODE BEGIN Init */

  /* USER CODE END Init */

  /* Configure the system clock */
  SystemClock_Config();

  /* USER CODE BEGIN SysInit */

  /* USER CODE END SysInit */

  /* Initialize all configured peripherals */
  MX_GPIO_Init();
  MX_USART1_UART_Init();
  MX_RTC_Init();
  /* USER CODE BEGIN 2 */

  HAL_UART_Receive_IT(&huart1, &rxdata1, 1);  //中断接收函数


	WriteFlashDouble(3,WriteFlashData2,addr);
	PrintFlashDouble(3,addr);

  /* USER CODE END 2 */

  /* Infinite loop */
  /* USER CODE BEGIN WHILE */

  while (1)
  {
	  //记得看看奇偶校验
	  HAL_GPIO_WritePin(GPIOB,GPIO_PIN_12,GPIO_PIN_RESET);
	  HAL_Delay(2000);
	  HAL_GPIO_WritePin(GPIOB,GPIO_PIN_12,GPIO_PIN_SET);

//	  HAL_UART_Transmit(&huart1,(uint8_t*)"China ",sizeof("China "), 0xffff);
	  HAL_Delay(2000);
	  while(huart1.gState != HAL_UART_STATE_READY);
	  HAL_UART_Transmit_IT(&huart1,dat1,6); //不要在此处用sizeof(dat1),不然下一次连续发送就会失效!
	  while(huart1.gState != HAL_UART_STATE_READY);
	  HAL_UART_Transmit_IT(&huart1,dat2,7);


	  while(huart1.gState != HAL_UART_STATE_READY);
      printf("Hello\r\n");  //使用printf必须用\n结束!!

    /* USER CODE END WHILE */

    /* USER CODE BEGIN 3 */
  }
  /* USER CODE END 3 */
}

/**
  * @brief System Clock Configuration
  * @retval None
  */
void SystemClock_Config(void)
{
  RCC_OscInitTypeDef RCC_OscInitStruct = {0};
  RCC_ClkInitTypeDef RCC_ClkInitStruct = {0};
  RCC_PeriphCLKInitTypeDef PeriphClkInit = {0};

  /** Initializes the RCC Oscillators according to the specified parameters
  * in the RCC_OscInitTypeDef structure.
  */
  RCC_OscInitStruct.OscillatorType = RCC_OSCILLATORTYPE_HSE|RCC_OSCILLATORTYPE_LSE;
  RCC_OscInitStruct.HSEState = RCC_HSE_ON;
  RCC_OscInitStruct.HSEPredivValue = RCC_HSE_PREDIV_DIV1;
  RCC_OscInitStruct.LSEState = RCC_LSE_ON;
  RCC_OscInitStruct.HSIState = RCC_HSI_ON;
  RCC_OscInitStruct.PLL.PLLState = RCC_PLL_ON;
  RCC_OscInitStruct.PLL.PLLSource = RCC_PLLSOURCE_HSE;
  RCC_OscInitStruct.PLL.PLLMUL = RCC_PLL_MUL9;
  if (HAL_RCC_OscConfig(&RCC_OscInitStruct) != HAL_OK)
  {
    Error_Handler();
  }

  /** Initializes the CPU, AHB and APB buses clocks
  */
  RCC_ClkInitStruct.ClockType = RCC_CLOCKTYPE_HCLK|RCC_CLOCKTYPE_SYSCLK
                              |RCC_CLOCKTYPE_PCLK1|RCC_CLOCKTYPE_PCLK2;
  RCC_ClkInitStruct.SYSCLKSource = RCC_SYSCLKSOURCE_PLLCLK;
  RCC_ClkInitStruct.AHBCLKDivider = RCC_SYSCLK_DIV1;
  RCC_ClkInitStruct.APB1CLKDivider = RCC_HCLK_DIV2;
  RCC_ClkInitStruct.APB2CLKDivider = RCC_HCLK_DIV1;

  if (HAL_RCC_ClockConfig(&RCC_ClkInitStruct, FLASH_LATENCY_2) != HAL_OK)
  {
    Error_Handler();
  }
  PeriphClkInit.PeriphClockSelection = RCC_PERIPHCLK_RTC;
  PeriphClkInit.RTCClockSelection = RCC_RTCCLKSOURCE_LSE;
  if (HAL_RCCEx_PeriphCLKConfig(&PeriphClkInit) != HAL_OK)
  {
    Error_Handler();
  }
}

/* USER CODE BEGIN 4 */

/* USER CODE END 4 */

/**
  * @brief  This function is executed in case of error occurrence.
  * @retval None
  */
void Error_Handler(void)
{
  /* USER CODE BEGIN Error_Handler_Debug */
  /* User can add his own implementation to report the HAL error return state */
  __disable_irq();
  while (1)
  {
  }
  /* USER CODE END Error_Handler_Debug */
}

#ifdef  USE_FULL_ASSERT
/**
  * @brief  Reports the name of the source file and the source line number
  *         where the assert_param error has occurred.
  * @param  file: pointer to the source file name
  * @param  line: assert_param error line source number
  * @retval None
  */
void assert_failed(uint8_t *file, uint32_t line)
{
  /* USER CODE BEGIN 6 */
  /* User can add his own implementation to report the file name and line number,
     ex: printf("Wrong parameters value: file %s on line %d\r\n", file, line) */
  /* USER CODE END 6 */
}
#endif /* USE_FULL_ASSERT */

debug中的memory:

正好对应WriteFlashData2[3]={3.5,1234567890,-3.5}中的三个双精度浮点数。

串口打印出来的数据,与实际一致。

这里double类型数据的存储,采用了联合体(union)完成的。

完整stm32cubeide工程:

https://download.csdn.net/download/fengyuzhe13/88049497

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### 回答1: STM32F103是意法半导体推出的一款32位单片机,内置了一块FLASH存储器,用于程序和数据的。下面将详细介绍STM32F103内部FLASH操作。 首先,内部FLASH是非易失性存储器,可以长时间保存数据,即使在断电后也不会丢失。该存储器分为多个扇区,每个扇区大小为2KB或16KB,总的容量取决于具体型号。 对于操作,首先需要擦除要入的扇区。擦除是一个扇区级别的操作,即需要擦除整个扇区,每个扇区都有一个固定的扇区号。在擦除之前,必须保证该扇区的所有数据已经备份,因为擦除操作会将该扇区的数据全部清除。 擦除完成后,可以对扇区进行编程操作。编程是以字为单位进行的,每个单元的大小是2个字节。对于编程操作,可以选择使用不同的编程函数,例如“HAL_FLASH_Program”函数。编程时需要注意,每个单元只能由0xFF入0x00,即从1到0的入是不被允许的。而且,编程操作之前需要先校验该单元是否已经被编程过。 取操作则比较简单,可以使用“HAL_FLASH_Read”函数取指定地址的数据。为了确保取的数据的正确性,通常会在取之前对要取的地址进行校验。 需要注意的是,对于内部FLASH操作,必须先进行相应的初始化,例如,配置FLASH许可、时钟使能等。 综上所述,STM32F103内部FLASH操作主要包括擦除、编程和取。通过合理地使用这些操作,可以对内部FLASH进行有效的数据存储和取。 ### 回答2: STM32F103是一种基于ARM Cortex-M3内核的32位微控制器,它具有内部Flash存储器,可以用于程序的存储和执行。下面我们将讨论STM32F103内部Flash操作。 STM32F103的内部Flash分为多个扇区,每个扇区的大小为2KB或16KB,具体取决于芯片的型号。在进行Flash之前,我们需要注意以下几点: 1. Flash编程需要先解锁,然后进行擦除和编程操作。解锁可以通过设置特定的Flash解锁和编程保护位来实现。 2. 在进行Flash编程之前,应该关闭中断,以防止程序干扰Flash访问过程。 3. Flash之前,必须先进行擦除操作。擦除是以扇区为单位进行的,可以选择擦除单个扇区或多个相邻扇区。 4. Flash时,需要将数据按字大小入,特别是在入半字(16位)或字(32位)数据时,需要确保数据对齐。 5. 每次Flash之后,应该进行校验,以确保数据入正确。校验可以通过Flash中的数据并与原始数据进行比较来实现。 总结起来,STM32F103内部Flash操作需要解锁、擦除、编程和校验等步骤。在进行这些操作时,应该注意保护位设置、中断关闭、数据对齐和校验等问题。这样才能确保程序正确地取和内部Flash,并且保证数据的完整性和一致性。 ### 回答3: STM32F103是STMicroelectronics(意法半导体)推出的一款基于ARM Cortex-M3内核的微控制器芯片。它内置了Flash存储器,可以用于程序代码和数据的存储。 首先,STM32F103系列芯片的内部Flash存储器容量可以根据不同型号而不同,通常为64KB、128KB、256KB或512KB。通过编程将代码和数据存储在Flash中,可以实现可靠的程序执行,而且Flash可以被擦除和编程多次,使得开发者能够灵活地进行程序的更新和修改。 对于STM32F103内部Flash取,开发者可以通过取指定地址的方式来访问存储在Flash中的数据。可以使用如`*(uint32_t*)address`的语法,将Flash的指定地址强制类型转换为指向32位无符号整数的指针,并通过解引用指针访问Flash中的数据。需要注意的是,Flash存储器的取速度相对较慢,因此在程序执行过程中可能会遇到一定的延迟。 至于内部Flash入,由于Flash存储器具有较高的可靠性要求,所以入操作需要特定的处理来确保数据的完整性。开发者需要在编程序时使用特定的编程算法和接口,例如ST提供的Flash等库函数,来进行数据的入。此外,为了避免入操作对Flash的擦除,开发者还需要提前进行相关的Flash扇区擦除操作。 总的来说,STM32F103的内部Flash存储器提供了方便可靠的程序代码和数据存储方式。通过正确的取和入操作,可以实现对Flash存储器的数据访问和更新。但需要开发者额外注意Flash取速度和入算法的正确性,以确保程序的稳定性和可靠性。

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