本文详细介绍了碳化硅二极管的工作原理、结构特点，包括高击穿电压、低热阻和快速开关特性，并梳理了其工艺流程，如外延生长、离子注入和封装等。选型时需关注额定电压、电流、正向压降、反向恢复时间等关键参数，同时在设计中要注意热管理、开关速度和保护电路等方面。
1，概述
碳化硅（SiC）二极管是一种使用碳化硅材料制作的半导体器件。碳化硅由于其优异的物理特性，如高硬度、高热导率、高临界电场强度和高饱和电子漂移速度，被广泛应用于制作高功率、高频、高温和高效能的半导体器件。本文对碳化硅二极管的工作原理，结构特点，工艺流程，选型参数及设计注意事项进行总结。
2，工作原理
碳化硅二极管的工作原理与常规的硅基二极管类似，都是基于PN结（P型半导体和N型半导体的交界面）的特性。当给碳化硅二极管的PN结施加正向电压时，P区的正电荷和N区的负电荷会被吸引到交界面处，形成电流，即二极管处于导通状态。而当施加反向电压时，由于PN结内建电场的存在，电流会受到阻碍，此时二极管处于截止状态。
订阅专栏 解锁全文
扫一扫
191
被折叠的 条评论
为什么被折叠?
到【灌水乐园】发言
