雪崩二极管选型参数,结构原理,工艺与注意问题总结

雪崩二极管是一种利用碰撞电离产生电流增益的半导体二极管。文章详细介绍了其工作原理,包括初始阶段、加速阶段、碰撞电离和倍增效应,以及电流输出过程。此外,还涵盖了结构特点,如载流子加速和雪崩效应,并详细阐述了从材料选择到封装测试的工艺流程。在选型方面,强调了光谱响应范围、暗电流、增益、噪声、饱和光电流、响应时间和封装尺寸等关键参数。设计时需要注意反向电压控制、散热、过电流防护、信号稳定性和噪声,以及遵循使用说明。最后,强调了可靠性和安全性在设计和使用中的重要性。
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1,概述

    雪崩二极管,也被称为碰撞雪崩渡越时间二极管(IMPATT二极管)或阶跃恢复二极管(SRD),是一种特殊的半导体二极管。它的工作原理基于半导体中电子与晶格原子之间的碰撞过程,使电子从高能级跃迁到低能级,同时放出能量。这种能量释放形式与雪崩过程相似,因此得名雪崩二极管。本文对雪崩二极管的工作原理,结构特点,工艺流程,选型参数及设计注意事项进行总结。


1,工作原理

    雪崩二极管的工作原理可以归纳为以下几个步骤。


2.1,初始阶段

    在反向偏压下,二极管中的少量载流子开始从 P 区向 N 区移动,或从 N 区向 P 区移动。这些载流子通常是由热激发产生的。

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