Abstract
本实验实现了对SRAM每一个地址进行遍历读/写操作，然后对比读写前后的数据是否一致，最后通过一个LED灯的亮灭进行指示；
Introduction
DE2-115上用的SRAM是IS61WV102416BL(1Mx16 High-Speed Asynchronous CMOS Static RAM With 3.3V Supply)
我们把SRAM_CE,SRAM_OE,SRAM_UB,SRAM_LB置0,这样写操作时,只需送数据和地址,同时把SRAM_WE拉低,然后延时Twc时间在把SRAM_WE拉高,这时就把数据写入相应的地址;读数据时,只需把需要读出的地址放到SRAM的地址总线上,然后延迟Taa时间后就可以读出数据了.
SRAM写时序:
SRAM读时序:
sram_controller.v
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