STM32---存储器

STM32—存储器

 今天拿M0核的开发板做ADC采样实验，突然发现采样到的数据存储有问题，虽然可以通过串口实时发送到PC端进行存储，但是实际工程中还是将数据存在存储器中，在合适的时候发送出来比较合适，那么今天就整理一下存储器的相关知识，然后拿手头的STM32F407系统板做一个简单的数据采集、存储和发送实验，通过实验感受不同存储器之间的区别。

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常用存储器介绍

1.基本存储器分类：易失性存储器和非易失性存储器

2.易失性存储器

2.2.1.RAM存储器

 RAM是“Random Access Memory"的缩写，被译为随机存储器。所谓“随机存取”，指的是当存储器中的消息被读取或写入时，所需要的时间与这段信息所在的位置无关。这个词的由来是因为早期计算机曾使用磁鼓作为存储器，磁鼓是顺序读写设备，而RAM可随读取其内部任意地址的数据，时间都是相同的，因此得名。实际上现在RAM已经专门用于指代作为计算机内存的易失性半导体存储器。
根据RAM的存储机制，又分为动态随机存储器DRAM(Dynamic RAM)以及静态随机存储器SRAM(Static RAM)两种。

2.2.1.1 DRAM
　　动态随机存储器DRAM的存储单元以电容的电荷来表示数据，有电荷代表1,无电荷代表0，但时间一长，代表1的电容会放电，代表0的电容会吸收电荷，因此它需要定期刷新操作，这就是“动态(Dynamic)”一词所形容的特性。刷新操作会对电容进行检查，若电量大于满电量的1/2， 则认为其代表1，并把电容充满电;若电量小于1/2,则认为其代表0，并把电容放电，藉此来保证数据的正确性。
2.2.1.2 SDRAM
　　根据DRAM的通讯方式，又分为同步和异步两种，这两种方式根据通讯时是否需要使用时钟信号来区分。图23-3是一种利用时钟进行同步的通讯时序，它在时钟的上升沿表示有效数据。由于使用时钟同步的通讯速度更快，所以同步DRAM使用更为广泛，这种DRAM被称为SDRAM(Synchronous DRAM)。
　　😒 所以这两种通讯方式以有没有时钟来进行区别？ 有时钟CLK的是静态 SDRAM 没有时钟CLK的是动态 DRAM 😒

2.2.2.SRAM存储器

  静态随机存储器SRAM的存储单元以锁存器来存储数据这种电路结构不需要定时刷新充电，就能保持状态(当然，如果断电了，数据还是会丢失的)，所以这种存储器被称为“静态(Static)”RAM。

2.2.3.DRAM存储器与SRAM存储器的区别

1. DRAM的结构简单得多
2. DRAM的成本要更低
3. DRAM集成度更高
4. 速度不如SRAM
5. SRAM 一般只用于 CPU内部的 高速缓存(Cache)
6. 外部扩展的内存一般使用DRAM
7. 在STM32系统的控制器中，只有STM32F429型号或更高级的芯片才支持扩展SDRAM，其它型号如STM32F1、STM32F2及STM32F407等型号只能扩展SRAM
8. 非易失性存储器
   

3.非易失性存储器

  非易失性存储器种类非常多，半导体类的有ROM和FLASH，而其它的则包括光盘、软盘及机械硬盘。

3.1.ROM存储器

  ROM是“Read Only Memory”的缩写，意为只能读的存储器。由于技术的发展，后来设计出了可以方便写入数据的ROM，而这个“Read Only Memory”的名称被沿用下来了,现在一-般用于指代非易失性半导体存储器，包括后面介绍的FLASH存储器，有些人也把它归到ROM类里边。

3.1.1.MASK ROM
　　MASK(掩膜)ROM就是正宗的“ReadOnlyMemory"，存储在它内部的数据是在出厂时使用特殊工艺固化的，生产后就不可修改，其主要优势是大批量生产时成本低。当前在生产量大，数据不需要修改的场合，还有应用。
　　
3.1.2.OTPROM
　　OTPROM(One Time Programable ROM)是一次可编程存储器。这种存储器出厂时内部并没有资料，用户可以使用专用的编程器将自己的资料写入，但只能写入一次，被写入过后，它的内容也不可再修改。在NXP公司生产的控制器芯片中常使用OTPROM来存储密钥或设备独有的mac地址等内容。

3.1.3.EPROM
　　EPROM(Erasable Programmable ROM)是可重复擦写的存储器，它解决了PROM芯片只能写入一次的问题。这种存储器使用紫外线照射芯片内部擦除数据，擦除和写入都要专用的设备。现在这种存储器基本淘汰，被EEPROM取代。
　　
3.1.4.EEPROM
　　EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM)是电可擦除存储器。EEPROM 可以重复擦写，它的擦除和写入都是直接使用电路控制，不需要再使用外部设备来擦写。而且可以按字节为单位修改数据，无需整个芯片擦除。现在主要使用的ROM芯片都是EEPROM。

3.1.FLASH存储器

 　FLASH存储器又称为闪存，它也是可重复擦写的存储器，部分书籍会把FLASH存储器称为FLASH ROM，但它的容量一般比EEPROM大得多，且在擦除时，一般以多 个字节为单位。如有的FLASH存储器以4096个字节为扇区，最小的擦除单位为一一个扇区。根据存储单元电路的不同，FLASH 存储器又分为NOR FLASH和NAND FLASH，见表23-2。

一、实验