STM32学习笔记——十八、常用存储器介绍

1 存储器种类

1. 存储器是计算机结构的重要组成部分
2. 存储器：用来存储程序代码和数据的部件

• 有了存储器，计算机才具有记忆功能

3. 基本的存储器种类
   
4. 存储器按其存储介质特性分为：

• 易失性存储器
  • 存储器断电后，存储数据内容丢失
  • 优势：存取速度快
  • 代表：内存
• 非易失性存储器
  • 存储器断电后，存储数据内容丢失
  • 优势：可长期保存
  • 代表：硬盘

2 RAM 存储器

1. RAM随机存储器(Random Access Memory)：

• 随机存取含义：存储器中消息被读取或写入时，所需要的时间与这段信息所在的位置无关
• RAM可随时读取磁鼓内部任意地址的数据，时间都是相同的，名字由此得来
• RAM 专门用于指代作为计算机内存的易失性半导体存储器

2. RAM 的存储机制将RAM分为：

• 动态随机存储器DRAM(Dynamic RAM)
• 静态随机存储器SRAM(Static RAM)

2.1 DRAM 动态随机存储器

动态随机存储器 DRAM

• 存储单元：以电容的电荷来表示数据
  • 有电荷代表1
  • 无电荷代表0
  • 定期刷新操作（即动态一词形容的特性）：时间一长，代表1的电容会放电，代表0的电容会吸收电荷
    • 刷新操作：电量大于1/2，认为为1，充满电；电量小于1/2，认为为0.电容放电
      

2.1.1 SDRAM 同步动态随机存储器

DRAM根据通讯方式可分为：

• 同步动态随机存储器
• 异步动态堆积存储器
• 根据通讯时是否需要使用时钟信号来区分

同步通讯时序图：

• 一种利用时钟进行同步的通讯时序
• 在时钟的上升沿表示有效数据
• 
  同步DRAM（Synchronous DRAM）：
• 优点：使用时钟同步的通讯速度更快，同步DRAM使用更广泛

2.1.2 DDR SDRAM

DDR SDRAM（Double Data Rate SDRAM）：

• 为了进一步提高SDRAM的通讯速度，设计了DDR SDRAM
• 存储特性：与SDRAM没有区别
  • SDRAM只在上升沿表示有效数据，在一个时钟周期内，只能表示一个有效数据
  • DDR SDRAM在时钟上升沿及下降沿各表示一个数据，在一个时钟周期内，可以表示两位数据
  • 同时中频率下，提高了一倍速度
• DDRII和DDRIII通讯方式无区别，通讯同步时钟的频率提高了

2.2 SRAM 静态随机存储器

静态随机存储器 SRAM：

• 存储单元：以锁存器来存储数据
  • 电路结构不需要定时刷新充电，能保持状态，断电后，数据还是会丢失，称其为静态（Static） RAM
    
• 通讯方式：
  • 同步(SSRAM)
  • 异步SRAM：异步SRAM用的比较广泛

2.3 DRAM 与 SRAM 的应用场合

对比DRAM 与SRAM 的结构

• DRAM 的结构简单得多，所以生产相同容量的存储器，DRAM的成本要更低，且集成度更高。
• DRAM 中的电容结构则决定了它的存取速度不如SRAM
• 特性对比见表DRAM 与SRAM 对比
  
• 在实际应用场合中：
  • SRAM 一般只用于CPU 内部的高速缓存(Cache)
  • 外部扩展的内存一般使用DRAM
• 在STM32 系统的控制器中，只有STM32F429 型号或更高级的芯片才支持扩展SDRAM，其它型号如STM32F1、STM32F2 及STM32F407 等型号只能扩展SRAM

3 非易失性存储器

非易失性存储器：

• 种类非常多
• 半导体类：
  • ROM
  • FLASH
• 光盘
• 软盘
• 机械硬盘
  

3.1 ROM 存储器

ROM 存储器(Read Only Memory):

• 只能读存储器
• 后来设计出了可方便写入数据ROM
• Read Only Memory名称延续下来
• 指代非易失性半导体存储器
  • 包括：FLASH存储器

3.1.1 MASK ROM

MASK(掩膜)ROM：

• 正宗的Read Only Memory
• 存储在内部的数据，是出场时使用特殊工艺固化的，生产后不可修改
• 主要优势：大批量生产时成本低
• 应用场合：生产量大，数据不需要修改的场合

3.1.2 OTPROM

OTPROM(One Time Programable ROM) 一次可编程存储器：

• 用户可使用专用的编程器，将自己的资料写入，只能写入一次、
• 被写入后，内容也不可再修改
• 应用场合：
  • NXP公司生产的控制器芯片中尝试用OTPROM来存储密钥
  • STM32F429芯片中具有一部分OTPROM空间

3.1.3 EPROM

**EPROM(Erasable Programmable ROM)**可重复擦写的存储器：

• 解决了PROM芯片只能写入一次的问题
• 使用紫外光线照射芯片内部擦除数据，擦出和写入都要专用的设备
• 现在这种存储器基本淘汰，被EEPROM取代

3.2 FLASH 存储器

FLASH存储器闪存（可重复擦写的存储器）：

• 有书籍称为：FLASH ROM
• 容量比EEPROM大得多
• 在擦除时，一般以多个字节为单位
  • 例如：有的FLASH存储器以4096个字节为山区，最小的擦除单位为一个扇区

根据存储单元电路的不同存储器分为：

• NOR FLASH
• NAND FLASH
• 特性对比
  

1. NOR 与NAND 的共性：

• 在数据写入前都需要有擦除操作，而擦除操作一般是以“扇区/块”为单位的

2. NOR 与NAND 特性的差别

• 主要是由于其内部“地址/数据线”是否分开导致的
  • 由于NOR 的地址线和数据线分开，它可以按“字节”读写数据，符合CPU 的指令译码执行要求
    • 假如NOR 上存储了代码指令，CPU 给NOR 一个地址，NOR 就能向CPU 返回一个数据让CPU 执行，中间不需要额外的处理操作。
  • 而由于NAND 的数据和地址线共用，只能按“块”来读写数据
    • 假如NAND 上存储了代码指令，CPU 给NAND 地址后，它无法直接返回该地址的数据，所以不符合指令译码要求。
  • 表NOR_FLASH与NAND_FLASH 特性对比中的最后一项“是否支持XIP”描述的就是这种立即执行的特性(eXecuteIn Place)。

3. 若代码存储在NAND 上，可以把它先加载到RAM 存储器上，再由CPU 执行。

• 在功能上可以认为NOR 是一种断电后数据不丢失的RAM，但它的擦除单位与RAM 有区别，且读写速度比RAM 要慢得多。

4. FLASH 的擦除次数都是有限的(现在普遍是10 万次左右)，当它的使用接近寿命的时候，可能会出现写操作失败。
5. 由于NAND 通常是整块擦写

• 块内有一位失效整个块就会失效，这被称为坏块
• 由于擦写过程复杂，从整体来说NOR 块块更少，寿命更长
• 由于可能存在坏块，所以FLASH 存储器需要“探测/错误更正(EDC/ECC)”算法来确保数据的正确性

6. 由于两种FLASH 存储器特性的差异

• NOR FLASH 一般应用在代码存储的场合，如嵌入式控制器内部的程序存储空间
• NAND FLASH 一般应用在大数据量存储的场合，包括SD 卡、U 盘以及固态硬盘等，都是NAND FLASH 类型的。