硬件学习笔记第五节三极管

三极管的分类

按材料分：硅管，锗管

按工作频率分：超高频率，高频管，低频管

Ft：特征频率，表征晶体管在高频时放大能力（电流放大系数下降到1时的频率）

功率大的三极管：结电容大，频率低

按功率分

              小功率：<500mW

              中功率：500mW~1W

              大功率：>1W

按结构分：npn，pnp

硅管的电流增加速度大于锗管（导通之后）

硅管的漏电流小于锗管的漏电流

硅管的反向耐压大于锗管

锗管的导通电压小于硅管（同样电流）

三极管的电路符号/注意事项

直流放大倍数：Ic/Ib

交流放大倍数：

三极管的四种状态

倒置状态：集电结正偏，发射结反偏

截止状态：三极管未导通/发射结反偏

放大状态：发射结正偏  集电极反偏  

临界饱和导通状态：发射结正偏  集电结0偏

饱和导通状态：发射结正偏 集电结正偏  IC不受IB之控制

三极管工作在什么状态是由什么决定的呢？

是由基极电流（Ib）来决定的

如果Ib=0，则三极管工作在截止区

如果饱和电流，则三极管工作在放大区。

如果饱和电流，则三极管工作在饱和区

饱和导通的深度：在Ic增大的时候，hFE会减小，所以我们应该让三极管进入深度饱和Ib>>Ic（max）/hFE

加下拉电阻有的好处

工作在一个确定状态

提高导通阈值，在一定程度上防止干扰

对结电容放电，在一定程度上加速关断

计算

Ibq=(Vin-Vbe)/R5

Vce=vcc-Icq*R6

共射极放大电路，不仅放大了电流，还放大了电压

Ibq=(Vin-Vbe)/R5+(Vcc-Vbe)/R4

Vceq=Vcc-Icq*R6

共集电极放大电路，又称射极跟随器

温度升高->增益加大->Ic加大->Ibq减小->Ic减小

只进行电流放大，无电压放大，输出电压跟随

共基极放大电路

 约等于Ibq<<I1,十倍的关系

共基极对电压放大，对电流没放大