1. 实验目的
1)
2)
3)
2. 实验原理
存储器实验电路及模块内部电路图如图2-2。每个1bit RAM是一个存储单元,它由RS触发器和控制门电路组成。
本实验的主要目的是通过向存储器的指定单元写入数据和从存储器的指定存储单元读出数据,进而掌握存储器的读写操作方法,了解存储器的使用特性。当SELECT=1时,R/W为高平,读出数据:R/W为低电平,写入数据。可把1bit RAM作位扩展和字扩展来构造大容量的存储器。
图2-2
3. 实验内容
可参考下图验证RAM芯片读写控制。
图2-3
1:1bit电路中,当R/W为0,SELECT=1时写入数据。INPUT为数据输入端,数据通过电路保存在RS触发器中。后面的开关的作用相当于继电器,只有当SELECT为一时,开关才闭合。写入数据之后,当R/w为1时,读出数据
2:8bit,input为8位输入,out为八位输出。R/W集成在一根线上,select集成在一根线上。8bit是在1bit的基础上完成的,先要把1bit封装完成之后才能做到8bit。
3:32bit是在8bit的基础上完成的,先对8bit封装之后,连续接4个8bit构成。
4:心得和总结
这个设计主要是电路的封装,完成1bit的电路封装之后,再作成8bit,之后再做成32bit。电路封装步骤:
1:加引脚
选择绿色按钮之后。浏览文件即可。
存储器主要的原理就是通过RS触发器,将数据保存,再通过调节R/w控制输出。